ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
При плотном соприкосновении полупроводников разных типов проводимости на границе раздела со значительным перепадом концентрации носителей зарядов движение зарядов приобретает характер диффузионного движения, в результате которого n-область заряжается положительно, р-область — отрицательно. В пограничном слое возникает контактное электрическое поле Ек, противодействующее дальнейшему переходу электронов и дырок из одной области в другую (рис. 4-3, а). Образовался р- n -переход с пониженной концентрацией основных носителей: электронов — со стороны полупроводника типа п, дырок — со стороны полупроводника типа р.
1.Схематическое обозначение и устройство типового плоскостного
диода
2. Электронно-дырочный р-п- Переход
3. Если к p-n-переходу подключить внешний источник тока, то напряжение указанной на рисунке 4-3, б полярности, называется обратным
4. напряжение, указанной на рисунке 4-3 в, полярности,
называется прямой
5. ВАХ- вольт-амперная характеристика
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | Поиск по сайту:
|