Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
Однопереходной транзистор состоит из полупроводниковый
p и n типа. Б2
VT1 Б2
Э Э
Б1
Iэ UБ2,Б1= 0
UБ2,Б1>0 Б1
0 U0 UБк1 UэБ1
Однопереходные транзистор имеет участок отрицательного сопротивления в точке 1,2 его характеристика напоминает характеристику динистора.
Туннельный диод.
Участок 1,2 участок отрицательного сопротивления.
Участок 1,2 участок 1
Отрицательного
Сопротивления.
U
Литература: [1].- (стр.52-66). [2].- (стр.89-124) [3].- (стр. 118- 133).
Полупроводниковые датчики и индикаторные
Приборы 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | Поиск по сайту:
|