Устройство и принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором

Полевыми называются транзисторы, которые управляются электрическим полем. Принцип действия полевых транзисторов:

Затвор

E_зи

исток

E_сгл

Полевой транзистор с p-n переходом и каналом p - типа

с с

з и з и

P - типа n – типа

В транзисторе с p-n переходом должен смещаться только в обратном направлении. Т.к. p-n переход подключен последовательно соединённый

источник E_зи и E_сгл , то область заряда внутри канала сужается к стоку.

Изменение величины E_сп можно достичь полного перекрытия канала.

Характеристика полевого транзистора

I_c=f(U_сп)= const

I_c

U_зи=0 А - пробной

U_зи=1В

U_зи =3В

U_{зи отсечки}

U_сп

Для характерной работы транзистора применяют передаточную характеристику.

Ic= f(U_зи)| _Ucи= const

I_c

0 U_зи

Для транзистора с каналом n типа необходимо изменять полярность источника. Основным параметром является крутизна передаточного характера.

S = ΔIc\ Δ U_зи| _Ucи – const

Ri = Δ Ucи\ ΔIc μ = Δ Ucи\ Δ U_зи= S Ri

Полевой транзистор с изолированным затвором.

U ”О” ист t з диод

с

n P типа

з u

подложка

n- стрелка направлена

Ic = f(Ucи)| _Uзи = CONST

Ic

Uзи > 0

Uзи = 0

Uзи < 0

0 Ucи

Uзи > 0 режим называется обогащением если наоборот, то обеднение

I = f(Uзи)| U_cи= const Ic

Обогащение

Обеднение

Uзи

Поиск по сайту: