АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Обозначения, характеристики и параметры

Читайте также:
  1. I. Схема характеристики.
  2. Акустические колебания, их классификация, характеристики, вредное влияние на организм человека, нормирование.
  3. Амплітудна і фазова частотні характеристики
  4. Антикризисные характеристики управления персоналом
  5. Антропометричні характеристики людини
  6. Антропометричні характеристики людини.
  7. БАЗОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБЩЕСТВА
  8. Бюджетна система України: основні характеристики
  9. Вибрация и ее характеристики
  10. Виды адаптации и их основные характеристики
  11. Виды внимания и их сравнительные характеристики
  12. Виды технических обслуживаний (ТО), их периодичность, простои в них, характеристики.

 

Полупроводниковый диод – это прибор содержащий полупроводниковый кристалл с p-n переходом(сплав двух проводников разного типа проводимости).

 

A- анод. N - катод.

А К

 

 

Если на «P» область подать положительный потенциал по отношению к «N» области то p-n переход смещается в прямом направлении, его сопротивление уменьшается и появляется ток, если на «P» область подать отрицательное напряжение, то p-n переход смещается в обратном направлении и его сопротивление резко увеличивается.

Полупроводниковые диоды на схемах имеют следующее условное обозначение.

 

 
 

Для характеристики диодов применяют ВАХ. Iд = f(Uд);

 

Аналитическое выражение для ВАХ p-n перехода. Iд = Is(l Uд\jт -1)

Is – величина тока насыщения

Uд – напряжение на диоде

jт – потенциал

jг =0.025В при t=20 с.

В т. А наступает туннельный пробой p-n перехода в точке B наступает тепловой пробой. На участке АВ будет лавинный пробой p-n перехода. Если наступил тепловой пробой, то диод выходит из строя.

Основные параметры диода:

1. Uпр p-n перехода при прямом смещении

2. Максимальное значение выпрямленного тока Iпр.

3. Обратное напряжение Uобр.

4. Напряжение Зенеровского пробоя (туннельный пробой) UобрА.

5. Величина обратного тока Iобр.

6. Дифференциальное сопротивление rдиф= DUд\ DIд=dUд\dIд

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)