Полевые транзисторы

1.5.1.Устройство полевого транзисто­ра. Физические принципы, положенные в основу поле­вых транзисторов, были известны давно, однако их реализация встретила существенные технические трудности. Только в 60-х годах полевые транзисторы начали широко применять в различных областях электроники.

В полевых транзисторах используют эффект воз­действия поперечного электрического поля на прово­димость канала, по которому движутся носители электрического заряда. Полевые канальные транзисторы имеют существен­ные преимущества, к которым прежде всего относятся большое входное сопротивление приборов (1010-1015 Ом), большая устойчивость к проникающим излучениям (допускается уровень излучений, на 3-4 порядка больший, чем для биполярных транзисторов), малый уровень собственных шумов, малое влияние температуры на усилительные свойства.

Типы полевых транзисторов: с затвором в виде р-n-перехода и с изолированным затвором.

Основу прибора состав­ляет слаболегированная полупроводниковая плас­тина р -типа, к торцам которой приложено напряжение U _c, создающее ток I _с через сопротивление нагрузки R _н.

Рис.1.22.Схематическое изображение полевого тран­зистора с затвором в виде р-n -перехода: И-исток; С — сток; l -обед­ненный слой.

В полупроводниковой пластине этот ток обеспечивается движением основных носителей заряда. Торец пластины, от которого движут­ся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому движутся носители заряда— стоком. В две противоположные боковые поверхности основной р -пластины вплавлены пластинки типа n. На границе раздела пластин n и р возникают электронно-дырочные переходы, к которым в непроводящем направ­лении приложено входное напряжение U _вх. Пластины n -типа образуют затвор, а вокруг них образуется слой, обеднен­ный носителями заряда с малой проводимостью. Между обедненными слоями сохраняется канал с высокой проводимостью.

Поиск по сайту: