АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Принцип действия полевого транзистора

Читайте также:
  1. I. ПРОБЛЕМЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ПРИРОДЫ И ОБЩЕСТВА
  2. I. Структурные принципы
  3. II. Принципы процесса
  4. II. Принципы средневековой философии.
  5. II. Пути противодействия психологическому воздействию противника.
  6. II. СВЕТСКИЙ УРОВЕНЬ МЕЖКУЛЬТУРНОЙ КОММУНИКАЦИИ ОТНОСИТЕЛЬНО ПРИНЦИПОВ ПОЛИТИЧЕСКОЙ СПРАВЕДЛИВОСТИ
  7. II. ЦЕЛИ, ЗАДАЧИ И ПРИНЦИПЫ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ВОИ
  8. II.4. Принципы монархического строя
  9. III. Принцип удовольствия
  10. III. Принципы конечного результата
  11. III. Принципы конечного результата.
  12. IV. Определите, какую задачу взаимодействия с практическим психологом поставил перед собой клиент.

Полевой транзисто­р с затвором в виде р-n -перехода. С увеличением напряжения на затворе ширина обед­ненных слоев увеличивается, поперечное сечение канала и проводимость уменьшаются. Т.о., меняя U вх на затво­ре, можно менять ток нагрузки и напряжение U вых.Работу полевого транзистора характери­зуют зависимостью тока стока I с от напряжения между истоком и стоком U c при разл. напряжениях на затворе U з.

Рис.1.23.Семей­ство характеристик полевого транзис­тора с затвором в виде р-n -перехода.

 

Сначала с увеличением U c ток I с нарастает линейно. Затем наступает режим насы­щения и ток перестает расти, т.к.при насыщении напряжен­ность продольного поля в канале складывается с напряженностью поперечн.поля и канал в области стока сужается. Причем, чем больше напряженность продольного поля (U c), тем больше су­жается канал в области стока. Ток насыщения уменьшается при увеличении напряжения на затворе (обратное напряжение р-n -перехода)

Полевой транзистор с изолированным затвором. Основу прибора составляет пластина кремния р -типа.

 

Рис.1.24.Схема полевого транзистора с изолированным затвором и его условное обозначение.

 

На малом расстоянии друг от друга в поверхность пластины вплавляют донор- ную примесь. Затем поверхность тер­мически обрабатывают и нара­щивают на ней тонкий (0,1мкм) слой изолятора - диосида. На него накла­дывают метали- ческую пластину затвора, перекрываю­щую области донорной примеси n.

В транзисторе токопроводящий канал создается при подаче на затвор напряжения опре­деленной полярности и значения. При отсутствии напряжения транзистор заперт, т.к. один из р-п -переходов смещен в обратном направлении. При положительном напряжении на затворе, в приповерхностном слое основа-ния (между истоком и стоком) будет движение электронов от истока к стоку. Слой между исто­ком и стоком называется индуцированным каналом. Т.к. индуцированный канал создается при напряжении положительной полярности, то транзистор с таким каналом работает только в режиме обогащения. Из-за простоты изго­товления и хороших техн. характеристик тран­зисторы с индуци-рованным каналом получили наи­большее применение.

Полевые транзисторы могут работать в схеме включения с общим истоком, с общим стоком или с общим затвором.

Достоинства полевых транзисто­ров:

1.Высокое входное сопротивление, в полевых транзисторах с затвором в виде р-п -перехода -106-109Ом,в транзисторах с изолированным затвором -1013-1015 Ом;

2.Малый уровень собственных шумов;

3.Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий;

4.Высокая плотность расположения элементов при использовании приборов в интегральных схемах.

Полевые транзисторы применяются в схемах усилителей, генераторов и переключателей, в малошумящих усили­телях с большим входным сопротивле-нием. Тран­зисторы с изолированным затвором используются в цифровых и логических схемах, их на­зывают транзисторами типа МДП (металл-диэлектрик— полупроводник).

Маркировка полевых транзисторов. Обозначение транзисто­ров состоит из шести элементов.

Первый элемент(буква или цифра)-материал, из которого изготовлен: Г или 1- германий, К или 2 - кремний, А или 3- арсенид галлия.

Второй элемент(буква)- класс при­боров: Т — биполярные транзисторы, П — полевые транзисторы.

Третий, четвертый и пятый элементы—трех­значное число(таблица выше), первая цифра - классификационный номер, характеризую­щий назначение прибора (диапазон рабочих частот и мощность), а две последующие цифры от 01 до 99 — порядковый номер разработки типа прибора.

Шестой элемент — буква от А до Я — определяет деление технологического типа на параметрические группы (разновидности типа).

Примеры обо­значений:

КТ324А- кремниевый биполярный транзи­стор, высокочастотный, малой мощности, номер раз­работки 24, группа А;

1Т806Б-германиевый бипо­лярный транзистор, среднечастотный, большой мощ­ности, номер разработки 06, группа Б;

КП102Е — кремниевый полевой транзистор, низкочастотный, малой мощности, номер разработки 02, группа Е.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)