|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Принцип действия полевого транзистораПолевой транзистор с затвором в виде р-n -перехода. С увеличением напряжения на затворе ширина обедненных слоев увеличивается, поперечное сечение канала и проводимость уменьшаются. Т.о., меняя U вх на затворе, можно менять ток нагрузки и напряжение U вых.Работу полевого транзистора характеризуют зависимостью тока стока I с от напряжения между истоком и стоком U c при разл. напряжениях на затворе U з. Рис.1.23.Семейство характеристик полевого транзистора с затвором в виде р-n -перехода.
Сначала с увеличением U c ток I с нарастает линейно. Затем наступает режим насыщения и ток перестает расти, т.к.при насыщении напряженность продольного поля в канале складывается с напряженностью поперечн.поля и канал в области стока сужается. Причем, чем больше напряженность продольного поля (U c), тем больше сужается канал в области стока. Ток насыщения уменьшается при увеличении напряжения на затворе (обратное напряжение р-n -перехода) Полевой транзистор с изолированным затвором. Основу прибора составляет пластина кремния р -типа.
Рис.1.24.Схема полевого транзистора с изолированным затвором и его условное обозначение.
На малом расстоянии друг от друга в поверхность пластины вплавляют донор- ную примесь. Затем поверхность термически обрабатывают и наращивают на ней тонкий (0,1мкм) слой изолятора - диосида. На него накладывают метали- ческую пластину затвора, перекрывающую области донорной примеси n. В транзисторе токопроводящий канал создается при подаче на затвор напряжения определенной полярности и значения. При отсутствии напряжения транзистор заперт, т.к. один из р-п -переходов смещен в обратном направлении. При положительном напряжении на затворе, в приповерхностном слое основа-ния (между истоком и стоком) будет движение электронов от истока к стоку. Слой между истоком и стоком называется индуцированным каналом. Т.к. индуцированный канал создается при напряжении положительной полярности, то транзистор с таким каналом работает только в режиме обогащения. Из-за простоты изготовления и хороших техн. характеристик транзисторы с индуци-рованным каналом получили наибольшее применение. Полевые транзисторы могут работать в схеме включения с общим истоком, с общим стоком или с общим затвором. Достоинства полевых транзисторов: 1.Высокое входное сопротивление, в полевых транзисторах с затвором в виде р-п -перехода -106-109Ом,в транзисторах с изолированным затвором -1013-1015 Ом; 2.Малый уровень собственных шумов; 3.Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий; 4.Высокая плотность расположения элементов при использовании приборов в интегральных схемах. Полевые транзисторы применяются в схемах усилителей, генераторов и переключателей, в малошумящих усилителях с большим входным сопротивле-нием. Транзисторы с изолированным затвором используются в цифровых и логических схемах, их называют транзисторами типа МДП (металл-диэлектрик— полупроводник). Маркировка полевых транзисторов. Обозначение транзисторов состоит из шести элементов. Первый элемент(буква или цифра)-материал, из которого изготовлен: Г или 1- германий, К или 2 - кремний, А или 3- арсенид галлия. Второй элемент(буква)- класс приборов: Т — биполярные транзисторы, П — полевые транзисторы. Третий, четвертый и пятый элементы—трехзначное число(таблица выше), первая цифра - классификационный номер, характеризующий назначение прибора (диапазон рабочих частот и мощность), а две последующие цифры от 01 до 99 — порядковый номер разработки типа прибора. Шестой элемент — буква от А до Я — определяет деление технологического типа на параметрические группы (разновидности типа). Примеры обозначений: КТ324А- кремниевый биполярный транзистор, высокочастотный, малой мощности, номер разработки 24, группа А; 1Т806Б-германиевый биполярный транзистор, среднечастотный, большой мощности, номер разработки 06, группа Б; КП102Е — кремниевый полевой транзистор, низкочастотный, малой мощности, номер разработки 02, группа Е.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.) |