АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Биполярные транзисторы с пониженным накоплением заряда в режиме насыщения

Читайте также:
  1. Анализ работы усилительного каскада в режиме покоя
  2. Биполярные клетки
  3. Биполярные расстройства.
  4. Биполярные фототранзисторы
  5. Вероятные неисправности МБВ в режиме горизонтирования ступеней.
  6. Вероятные неисправности МБВ в режиме укладки комплекта колен
  7. Взаимодействие зарядов. Закон Кулона. Закон сохранение электрического заряда.
  8. Взаимодействие заряженных тел. Закон Кулона. Закон сохранения электрического заряда.
  9. Взаимодействие заряженных тел. Электрический заряд. Закон сохранения заряда. Закон Кулона.
  10. Далее — все в режиме «ваш вопрос – мой ответ»
  11. Движение заряда в магнитном поле. Сила Лоренца.

Гетеропереходные биполярные транзисторы (HBT) имеют высокую подвижность носителей заряда и обеспечивают большую плотность рассеиваемой мощности, что положительно сказывается на их частотных характеристиках. Однако, если эти устройства используются в режимах, близких к области насы-щения (например, в коммутируемом усилителе), на них отрицательно сказывается явление, называемое накоплением заряда. В ходе программы было показано, что использование соответствующего сдвоенного HBT (DHBT) устройства с широкими коллектором и эмиттером позволяет значительно подавить эффект накопления заряда в режиме насыщения.

Рис. 10. Характеристики восстановления одинарного SHBT(а) и сдвоенного DHBT(б) транзисторов демонстрируют снижение эффекта накопления заряда в режиме насыщения

На рис. 10 показаны обратные характеристики восстановления обычного одинарного HBT (SHBT) транзистора и нового сдвоенного HBT (DHBT) транзистора при синусоидальном входном воздействии. Отсутствие отрицательного выброса тока говорит об улучшенных частотных характеристиках исследуемого транзистора. Сдвоенные DHBT-транзисторы на основе фосфида индия и галлия (GaInP) помимо этого имеют меньшее напряжение насыщения (Vcesat) по сравнению с одинарными (SHBT) прототипами. Улучшенные частотные характеристики этих устройств делают их весьма привлекательными для использования в усилителях мощности следующего поколения. С появлением DHBT-транзисторов, разработчики усилителей получают возможность использовать область низкого напряжения Vce, например, в ключевом режиме, что облегчает реализацию усилителей классов F, D и S.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)