|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Выбор частоты дискретизации при широтно-импульсной модуляции
В соответствии с теоремой Котельникова минимальное значение частоты дискретизации для неискаженной передачи сообщения должно быть больше или равно удвоенному значению верхней частоты усиливаемого (передаваемого) сигнала. Однако, это справедливо только при использовании амплитудно-импульсной модуляции (АИМ). Спектр АИМ сигнала содержит спектральные составляющие Широтно-импульсная модуляция относится к угловой модуляции. Спектр сигнала с ШИМ содержит значительно большее количество спектральных составляющих, частоты которых определяются выражением
Рис. 8.16. Спектр сигнала с ШИМ при частоте сигнала F = 5, частоте дискретизации fd = 50
Рис. 8.17. Спектр сигнала с ШИМ при частоте сигнала F = 5, частоте дискретизации fd = 25
На рис.8.16 приведен спектр сигнала при Уменьшение частоты дискретизации до 25, рис.8.17, приводит к большому уровню спектральных составляющих Однако увеличение частоты дискретизации приводит к уменьшению к.п.д. усилителя. Это обусловлено конечной длительностью времени установления фронта сигнала с ШИМ (рис.8.18). На рисунке показаны зависимости токов и напряжений реального импульса с конечным временем установления
Рис. 8.17. Временные зависимости токов, напряжений и мощности на транзисторе а – зависимость тока стока и напряжения сток-исток; б – зависимость мощности, рассеиваемой на транзисторе. Из рисунка видно, что при значении напряжения на открытом транзисторе Выводы: 1. В усилителях с ШИМ КПД определяется: – мощностью, рассеиваемой на сопротивлении насыщения открытого транзистора; – мощностью, рассеиваемой на транзисторе на фронтах импульса. 2. Увеличение частоты дискретизации приводит к уменьшению нелинейных искажений усилителя, однако, при этом увеличивается мощность, рассеиваемая на фронтах импульса, и уменьшается к.п.д.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |