|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Дарлингтона
В рассмотренных до сих пор схемах ток в нагрузке может составлять несколько десятков миллиампер. При необходимости получения больших выходных токов следует применять транзисторы с более высокими допустимыми токами. Для этих целей можно использовать составные транзисторы по обычной или комплиментарной схеме Дарлингтона. На рис. 8.6 приведена принципиальная схема усилителя мощности, в которой используется принцип Дарлингтона. Рис. 8.9. При работе этой схемы в режиме АВ установка тока покоя связана с определенными затруднениями, поскольку необходимо скомпенсировать четыре зависящих от температуры напряжения база-эмитер. Этого можно избежать, задавая ток покоя только для предкооконечных транзисторов Т1 и Т2. При этом мощные выходные транзисторы будут открываться лишь при больших выходных токах. С этой целью величину напряжения смещения U1 выбирают такой, чтобы падение напряжения на резисторах R1 и R2 составляло около 0,4 В, так что U1=2(0,4+0,7)=2,2 В. В этом случае выходные транзисторы даже при высокой температуре перехода оказываются закрыты. При увеличении выходного тока напряжение база-эмиттер выходных транзисторов возрастает приблизительно до 0,8 В. В результате падение напряжения на резисторах R1 и R2 ограничивается удвоенной величиной смещения при отсутствии сигнала. По этой причине большая часть эмитерного тока предоконечных транзисторов попадает на базу выходных транзисторов. Резисторы R1 и R2 одновременно служат в качестве сопротивлений утечки для базового заряда выходных транзисторов. Чем меньше значение этих сопротивлений, тем быстрее будут запираться выходные транзисторы. Это особенно важно в тех случаях, когда при изменении знака входного напряжения один транзистор открывается, хотя второй еще не закрыт. В данном случае через выходные транзисторы будет протекать шунтирующий ток, вызывающий искажение выходного сигнала. Это приводит к ограничению полосы пропускания выходного каскада при больших сигналах.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |