|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Графический метод (построение Понселе)
Проведем из точки А (рис. 5) под углом φ к горизонту линию АС предельного свободного откоса до пересечения с поверхностью грунта ВС (действительной или условной при наличии пригрузки на засыпке). Условная поверхность расположена выше действительной на величину h пр. Из точки В пересечения задней грани стены с условной поверхностью грунта проведем ориентирующую прямую ВВ1 под углом φ + δ к линии АВ. Из точки В1 восставим перпендикуляр к АС до пересечения в точке В 2 с полуокружностью, построенной на АС как на диаметре. Радиусом АВ2 засечем положение точки D1 (АВ2 = AD1). Точку D находим, проведя D1D параллельно ВВ1. Наконец, радиусом D1D из центра D1 находим положение точки К. Треугольник КDD1, у которого стороны DD 1 и D1К равны, называется треугольником Ребхана. Его площадь, умноженная на длину призмы обрушения ,равную 1 м, и на удельный вес засыпки γзас, равна Е а усл – равнодействующей активного давления грунта на стену с условной высотой Н + h пр. Тогда Е а усл = · КD 1 · DD 2 · γзас · . (3.17)
Рис. 5. Определение активного давления с помощью построения Понселе
Нижняя ордината эпюры интенсивности активного давления, найденного графически, = . (3.18) Ордината той же эпюры на уровне верха стены = · . (3.19) Равнодействующая активного давления на стену заданной высоты Н, найденная графическим путем, при длине стены 1 м = · (3.20) Расхождение между и Е ане должно превышать 5 %.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.005 сек.) |