ФВ НА ТРЕХДЕЦИБЕЛЛЬНЫХ МОСТАХ

ТДМ предназначен для деления входной СВЧ мощности пополам. ТДМ относятся к четырехполюсникам, следовательно, они работают в проходном режиме, т.е. через него проходит СВЧ энергия.

Рис. 4-3

Мосты называются:

Рис. 4-3 а – сонаправленными;

Рис. 4-3 б, в – противонаправленными.

Их характеризует направление выходящей мощности по отношению ко входящей (падающей).

В зависимости от схемы построения, выходные мощности сдвинуты по фазе друг относительно друга:

Рис. 4-3 а – 90⁰;

Рис. 4-3 б - 180^0;

Рис. 4-3 в – (-90⁰).

Для использования ТДБ в качестве ФВ один из его выходов используется как выход на излучатели, а к одному или двум свободным выходам подключаются коммутируемые отражательные ФВ.

В поперечном сечении ПВ устанавливается реактивный элемент, называемый диафрагмой, который служит для частичного пропускания энергии (Р’) и частичного пропускания энергии (Р”). В зависимости от воздействия на составляющие электромагнитного поля волны H₀₁, диафрагмы делятся на:

1) емкостные (воздействующие на электрическое поле);

2) индуктивные (воздействующие на магнитное поле);

3) индуктивно-емкостные или резонансные (воздействующие на магнитное и электрическое поля).

Независимо от типа диафрагмы, их воздействие возможно только на стоячую волну. Вследствие этого, толщина диафрагмы много меньше l_В и обычно составляет 0,2¸1,5 мм в зависимости от диапазона.

Переключение состояния диафрагмы в ФВ осуществляется с помощью p-i-n диодов, которые в индуктивных диафрагмах работать не могут, поэтому индуктивные диафрагмы не используются.

Для коммутации диафрагм используются два встречно включенных p-i-n диода, расположенных в максимуме электрического поля. Встречное включение диодов позволяет свести к 0 воздействие на них электрического поля волновода. При включении напряжения +5В диоды открываются, сопротивление падает до 1 Ома, диафрагма шунтируется.

При подаче (-27В) диоды запираются, сопротивление увеличивается до кОм, диафрагма открыта и часть СВЧ - мощности проходит через диафрагму. Элементы R, С и L образуют ФНЧ ограничителями тока. На ВУМ во избежание пробоя диодов может быть использовано несколько диафрагм, включенных последовательно.

Рис. 4-4

Для улучшения электрических и температурных характеристик ФВ используется схема (рис. 4-3в), где т.2 и 3 подсоединяются отражательными ФВ.

Рис. 4-4 (а)

Рис. 4-4 (б)

Рис. 4-5

Поиск по сайту: