АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

ПРОХОДНЫЕ ФВ

Читайте также:
  1. III. Светофоры на транспорте
  2. Агата Кристи на отечественном литературном фоне
  3. Аннотация
  4. Безопасность зданий.
  5. Билет № 16
  6. БИЛЕТ №7
  7. в кварталах ____________________________________лесничества
  8. В мире 2,5млрд населения 4 страница
  9. ВВЕДЕНИЕ
  10. Введение
  11. Вводные указания
  12. Вводные указания

 

 

Проходные ФВ должны обеспечивать заданную разность фаз коэффициентов передачи в двух состояниях при условиях согласования входов \ выходов и при минимальном вносимом ослаблении мощности.

 

Рис. 4-6

 

Рис. 4-6 состоит из ПЛ l1 и l2 различной длины, обеспечивающих фазовые сдвиги и , согласованных изолированных входов и выходов z=1.

Схема называется на коммутированных ПЛ. При прямом включении V1 и V3 и обратном включении V2 и V4 СВЧ - мощность проходит по l1, обеспечивая фазовый сдвиг .

При распространении СВЧ - энергии она проходит через два диода и отрезок ПЛ l1. При этом потери происходят как в диодах, так и в ПЛ,

(4.3)

 

а потери в ЛП зависят от l1. Потери в l1 можно уменьшить, выбирая (если это конструктивно выполнимо).

Сравнивая (4.3) и (4.2) видно, что ПФВ с коммутируемой длиной отрезков в отличие от отражательных ФВ потери не зависят от фазового состояния ФВ. В таких ФВ потери всегда составляют 0,51 дБ. Из конструктивных соображений такие ФВ могут быть использованы в дециметровом и ниже диапазонах.


При малых значениях дискретов (11,250) для перекрытия всего диапазона фазовых состояний необходимо 32 секции. Каждый включенный p-i-n диод вносит потери 0,51 дБ, что при оптимизации фазового состояния по потерям дает общие потери на p-i-n диодах 2¸2,7 дБ, что соответствует потерям почти половины мощности.

Для уменьшения потерь в p-i-n диодах возможно использование бинарных ФВ с младшим разрядом:

,

где N – разрядность ФВ.

При N=6 , но число используемых секций, а следовательно и число p-i-n диодов уменьшается по сравнению с предыдущей конструкцией.

 

Рис. 4-7

 

На рис. 4-7 изображены 3 секции ФВ с младшим разрядом . Они должны обеспечивать фазовый сдвиг от 0 до 3600 с шагом 450. Это достигается различными комбинациями включения секций. Для развязки между собой секций по постоянному току служат разделительные емкости С1…С4, имеющие реактивное сопротивление на СВЧ много меньше волнового сопротивления полосковых линий.

 

Особенности ПЛ:

 

1. Включение / выключение p-i-n диодов должно осуществляться через НЧ фильтр. Реализация ФНЧ на ПЛ осуществляется с помощью ПЛ с изменяющейся шириной полоска W. Полосок с W1 эквивалентен емкости, W2 – индуктивности.

2. Сам p-i-n диод относительно основного проводника включен на расстоянии l/4.

При диоды открыты. При этом отрезок линии закорочен на конце.

 

Входное сопротивление такой линии равно бесконечности, такие линии подключаются к основному проводнику и изменений в работе основного проводника не происходит. Фазовый сдвиг на нем равен .

При p-i-n диоды имеют большое сопротивление (много больше волнового сопротивления линии ), что эквивалентно линии, разомкнутой на конце.

 

Входное сопротивление такой линии в т. А=0, а раз таких линий две, то вход и выход проводника в т. А равны 0, следовательно вход / выход основного проводника замкнуты, фазовый сдвиг отсутствует.

3. При использовании схемы рис. 4-7 в трехсантиметровом диапазоне при добавлении младших дискретов длины отрезков становятся физически нереализуемы, поэтому данная схема может реализоваться в дециметровом и метровом диапазонах, которые в радиолокации не используются.

4. Схему можно реализовать методами микроэлектроники, но при этом пропускаемая мощность резко падает. Микроэлектронные ФВ используются в приемо-передающих модулях активных ФАР.

 

При малых скважностях импульсов p-i-n диод длительное время находится во включенном состоянии, нагревается и может выйти из строя. Для отвода тепла p-i-n диоды приклеиваются к кристаллу алмаза размером 0,4 х 0,4 мм. На бинарном ФВ получить потери меньше 1 дБ принципиально невозможно.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.007 сек.)