АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Свойства интеграла ошибок

Читайте также:
  1. B. группа: веществ с общими токсическими и физико-химическими свойствами.
  2. B. метода разделения смеси веществ, основанный на различных дистрибутивных свойствах различных веществ между двумя фазами — твердой и газовой
  3. I. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВОДЫ И ВОДЯНОГО ПАРА
  4. Q.3. Магнитные свойства кристаллов.
  5. XI. ПРИСПОСОБЛЕНИЕ И ДРУГИЕ ЭЛЕМЕНТЫ, СВОЙСТВА. СПОСОБНОСТИ И ДАРОВАНИЯ АРТИСТА
  6. А. Общие химические свойства пиррола, фурана и тиофена
  7. А. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА КОРРЕКЦИЙ
  8. Аминокислоты винограда и вина. Состав, свойства аминокислот.
  9. Анализ издержек начинается с построения их классификаций, которые помогут получить комплексное представление о свойствах и основных характеристиках.
  10. Арифметическая середина и ее свойства
  11. Б) не обладающие физическими свойствами, но приносящие постоянно или длительное время доход
  12. б). теория катастрофы ошибок

 

Ф(х)=erf x=(2/ )

erf 0=0; erf ∞=1

erf x≈2x/ при х<<1; erf x≈ /x при x>>1

1-erf x=erf x

 

Числовые значения функции дополнения интеграла ошибок

x erfc x x erfc x x erfc x x erfc x
0,00 1,00000 1,00 0,15730 2,00 0,00468 3,00 0,00002
0,10 0,88754 1,10 0,11980 2,10 0,00298 3,10 0,00001
0,20 0,77730 1,20 0,08969 2,20 0,00168 3,20 0,60*10-5
0,30 0,67137 1,30 0,06599 2,30 0,00114 3,30 0,31*10-5
0,40 0,56161 1,40 0,04772 2,40 0,00069 3,40 0,15*10-5
0,50 0,47950 1,50 0,03390 2,50 0,00041 3,50 0,74*10-6
0,60 0,39614 1,60 0,02365 2,60 0,00024 3,60 0,36*10-6
0,70 0,32220 1,70 0,01621 2,70 0,00013 3,70 0,17*10-6
0,80 0,25790 1,80 0,01091 2,80 0,00008 3,80 0,08*10-6
0,90 0,20309 1,90 0,00721 2,90 0,00004 3,90 0,03*10-6

 

Приложение 2

ВАЖНЕЙШИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

 

Электрофизические характеристики арсенида галлия GaAs и

антимонида индия InSb при Т=300 К

 

Полупроводник Арсенид галлия Антимонид индия
Ширина запрещенной зоны, эВ 1,43 0,16
Подвижность, см2/(В*с) электронов дырок    
Эффективная масса электронов дырок   0,068 0,5   0,013 0,6
Концентрация собственных носителей заряда, см-3   0,9* 107   4,1* 1013

 


1 | 2 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)