 |
Методические указания
МУЛЬТИВИБРАТОР на транзисторах
Задача. Объяснить принцип действия и провести расчет мультивибратора, принципиальная электрическая схема которого приведена на рис. 1. Данные для расчета взять из табл. 1, где Uвых - амплитуда выходного напряжения импульса; f - частота генерируемых импульсов; Rн - сопротивление нагрузки; b - коэффициент усиления по току заданного типа транзистора в схеме ОЭ; Iкmax - допустимое значение тока коллектора транзистора; g - коэффициент насыщения транзистора. В результате расчета должны быть определены: ЭДС источника питания Е, сопротивление резисторов базовых цепей Rб и цепей коллекторов транзисторов Rк, емкость времязадающих конденсаторов С и раздельного конденсатора Ср.
Таблица 1
| Пара-метры | Номер по журналу | |||||||||
| Uвых, В | 8,5 | |||||||||
| f, кГц | ||||||||||
| Rн,кОм | ||||||||||
| Тип VT | свой | свой | свой | свой | свой | свой | свой | свой | свой | |
| b | 50-350 | 25-50 | 45-100 | 20-90 | 25-55 | 60-180 | 50-350 | 13-125 | 15-45 | |
| Ikmax, мА | ||||||||||
| g | 1,5 | 1,4 | 1,2 | 1,3 | 1,4 | 1,75 | 1,8 | 1,1 | 1,2 |
Рис. 1. Мультивибратор на транзисторах (а) и временные диаграммы его работы (б)
Методические указания
1. Изобразить принципиальную электрическую схему симметричного мультивибратора и выписать исходные данные для расчета.
2. Принять напряжение источника питания Е = (1,2...1,3)Uвых.
3. Сопротивление резисторов Rк выбирают из решения следующей системы неравенств: 
; 
; 300 Ом< Rк < 3 кОм.
Из интервала допустимых значений Rк выбирается его большее значение.
4. Амплитудное значение импульса должно быть больше заданного
Uвых.max = U - DUкэ = Е - 0,2.
5. Сопротивление резисторов базовых цепей 
.
6. Расчетное значение емкости времязадающих конденсаторов можно определить по упрощенной формуле 
.
7. Емкость разделительного конденсатора можно определить из неравенства
.
8. Длительность фронта выходного импульса на уровне 0,9Uвых.max можно определить по формуле tф = 2,3RкС, при этом длительность фронта должна быть 
, в противном случае необходимо задаваться новыми значениями Rк и Rб (пп. 3,5).
9. Изобразить временные диаграммы напряжения Uкэ1, Uкэ2, Uб1, Uб2, Uc1, Uc2., Iб1, Iб2. (см. лекции).
Рекомендуемая литература
1. Судовая электротехника и электроника: учебник для вузов / Е.Н. Архангельский, В.Г. Богач, Д.В. Вилесов, А.П. Сеньков; Под ред. Д.В. Вилесова. - Л.: Судостроение, 1985. - 312 с.
2. Сборник задач по электротехнике и основам электроники / Под ред.
В.С. Пантюшина. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1979. - 253 с. [последующие издания].
3. Рекус Г.Г., Белоусов А.М. Сборник задач по электротехнике и основам электроники: Учеб. пособие для неэлектротехнических специальностей вузов. - М.: Высш. шк., 1991. - 416 с.
4. Основы промышленной электроники: Учебник для неэлектротехнических специальностей вузов / В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский,
В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1986. - 336 с.
5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника: Учебник для вузов / Под ред. В.А. Лабунцева. - М.: Энергоатомиздат, 1988. - 319 с.
6. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учеб. пособие для вузов. - М.: Высш. шк., 1982. - 446 с.
7. Штумпф Э.П. Судовая электроника и силовая преобразовательная техника: Учебник. - СПб: Судостроение, 1993. - 352 с.
8. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным микросхемам / Под ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергия, 1972. Последующие издания.
9. http:/faksu.vstu.vinnica.ua/SiteNEW/rus/erectronic_inter/ew1/1/1-2/1-2/htm (компоненты Electronics Workbench.
10. Кардашев, Г.А. Виртуальная электроника. Компьтерное моделирование аналоговых устройств/ Г.А. Кардашев. -М.: Горячая линия- Телеком, 2002.- 260 с.