АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Технология изготовления TN

Читайте также:
  1. Анализ процесса изготовления рукавных пленок
  2. Анализ ресурсов кандидата или партии. Технология социально-политического моделирования. Технология социально-политического моделирования
  3. Б.) Продажа вермифабрик собственного изготовления, заправленных маточным поголовьем червя (дождевой червь Eisenia fetida — Эйсения пахучая или червь навозный (компостный)).
  4. Барканов М.Б. Технология и организация строительства и ремонта зданий и сооружений. – Москва «Высшая школа» 1985.
  5. Биотехнология
  6. Болттарды дайындау технологиясы
  7. Виды копий по форме (способу) изготовления
  8. Виды методов изготовления деталей по схемам формообразования
  9. Воздушная известь, технология получения
  10. Вопрос 54: Технология изучения и подготовки юридических документов.
  11. Выбираем для изготовления колеса и шестерни сталь 40 ХН с термообработкой шестерни – закалка ТВЧ, колеса – улучшение.
  12. Выбор заготовки и методы её изготовления

Исторически первой технологией изготовления LCD-дисплеев была т.н. технология Twisted Nematic (TN). Название произошло из-за того, что в выключенном состоянии кристаллы в ячейках образовывали спираль. Эффект возникал в результате размещения кристаллов между выравнивающими панелями с бороздками, направленными перпендикулярно друг другу. При приложении электрического поля все кристаллы выстраивались одинаково, т.е. спираль распрямлялась, а при снятии кристаллы вновь стремились ориентироваться вдоль бороздок.

У TN-дисплеев было несколько существенных недостатков:

- во-первых, естественным состоянием дисплея, когда кристаллы образуют спираль, было прозрачное, т.е. она пропускала свет. Благодаря этому, при выходе из строя одного из тонкопленочных транзисторов свет беспрепятственно выходил наружу, образуя весьма заметную постоянно горящую точку;
- во-вторых, развернуть все жидкие кристаллы перпендикулярно фильтру оказалось практически невозможно, поэтому контрастность таких дисплеев оставляла желать лучшего, а уровень черного мог превышать 2 кд/м2. Такой цвет выглядел как темно-серый, но отнюдь не как черный;
- в-третьих, низкая скорость реакции, первые дисплеи имели время отклика около 50 мс. Впрочем, второй и третий недостатки удалось преодолеть с внедрением технологии Super Twisted Nematic (STN), которая позволила уменьшить время отклика до 30 мс.
- в-четвертых, маленькие углы обзора, всего около 90°. Однако нанесение на поверхность экрана полимерной пленки с большим показателем преломления позволило расширить углы обзора до 120-160° без существенного изменения технологии. Такие дисплеи получили название TN+Film.

10. Конструкція та принципи дії РК-моніторів: IPS та FFS технології.

Относятся к панелям ПЛАНАРНОЙ ориентации.

Молекули располагаются горизонтально, паралельно основанию подложек в направлении заданом протиркой. Верхняя и нижняя подложки протерты в одном направлении.

Все электроды как пиксельные так и общие находятся на одной стеклянной подложке панели (внутренней) вместе с линиями данных.

В IPS технологиях пиксельные и общие электроды расположены параллельно чередуясь с другими. Силовые линии Пуля проходят горизонтально, но под некоторым углом относительно направлению протирки.

Поэтому при подачи напряжения, молекулы, обладающие в данном случае положительной диэлектрической анизотропией, поворачиваются на некоторый угол в зависимости от напряжения поля.

В случая FFS общий электрод расположен под пиксельным, при такой конструкции приложенное к электродам напряжение образует эл. поле имеющие как горизонтальную так и вертикальную составляющую.

Если для IPS в показанных координатах электр. поля можно охарактеризовать как Ey, то для FFS это будет Ey+ Ez, такое расположение силовых линий позволяет исп. ЖК материалы как с положительной так и с отрицательной диэлектрической мезонтропии.

11. Конструкція та принципи дії РК-моніторів: MVA та PVA технології.

Относятся к панелям ГОМЕОТРОПНОЙ ориентации.

Директор ориентирован перпендикулярно основанию стекл подушки, что достигается применением в покрытии подложек поверхностно активных веществ.

Общие и пиксельные электроды расположены на противоположных подложках. Поле ориентировано вертикально. Использует ЖК материалы с отрицательной диэлектрической анизотропией.

MVA отличается наличием микроскопических продольных технологических выступов, которые предназначены для преднаклона молекул на верхней, либо на обеих подложках, поэтому исходное вертикальное выравнивание молекул не является полным.

Молекулы выравниваясь по этим выступам получают небольшой преднаклон, что позволяет задеть для каждой области ячеек определенное направление в котором будет происходить поворот молекул под воздействием поля.

В DVA технологии выступы отсутствуют и при отсутствии напряжения директор ориентирован строго перпендикулярно поверхности.

А пиксельный и общий электроды смещены друг-от-друга так, что создаваемое ими поле не строго вертикально, а содержит наклоненные компоненты.

Существует так же деление ЖК модулей в зависимости от состояния ячеек при отсутствии напряжения.

Панели блокирующие прохождение света при отсутствии напряжения относятся к нормально-черным, такими явл. все рассмотренные выше технологии.

 

 

12. НГМД, основні параметри


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)