АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Устройство и принцип действия биполяроного транзистора. Схема с общей базой

Читайте также:
  1. D. Принципи виваженості харчування та поступового розширення обсягу харчових предметів, що споживаються
  2. I .Характер действия лекарственных веществ 25 мин.
  3. I. Выражение обязательности действия, совета
  4. I. Действия водителей на месте ДТП
  5. I. Назначение, классификация, устройство и принцип действия машины.
  6. I. Первый (и главным) принцип оказания первой помощи при ранениях является остановка кровотечения любым доступным на данный момент способом.
  7. I. Первым (и главным) принципом оказания первой помощи при ранениях верхней конечности является остановка кровотечения любым доступным на данный момент способом.
  8. I. Поэтому первым (и главным) принципом оказания первой помощи при ранениях является остановка кровотечения любым доступным на данный момент способом.
  9. I. ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СООБРАЖЕНИЯ
  10. II. Классификация С/А в зависимости от способности всасываться в кровь и длительности действия.
  11. II. Методологічні засади, підходи, принципи, критерії формування позитивної мотивації на здоровий спосіб життя у дітей та молоді
  12. II. Общие принципы исчисления размера вреда, причиненного водным объектам

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, основу которого составляют два взаимодействующих p-n-перехода, образованные в едином кристалле полупроводника и разделенные очень узкой областью взаимодействия, называемой базой. Широко используется как усилительный элемент и как переключательный.

Конструктивно транзистор состоит из эмиттера (левая p-область), эмиттерного p-n-перехода, коллектора (правая p-область), коллекторного p-n-перехода и узкой базы (n-область между переходами). Эмиттерная область имеет внешний вывод Э, коллекторная – вывод К, а база – базовый вывод Б.

Каждый из p-n-переходов транзистора может быть смещен в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от полярности смещений двух переходов возможны 4 режима транзистора. Основным является активный (усилительный) режим, при котором эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный в обратном.

Включение с общей базой: (не усиливает ток)

Эмиттор инжектирует в базу дырки, где они являются неосновным носителем заряда. При небольшом напряжении смещения ток эмиттора достаточно велик. Изначально база нейтральна, электрического поля в ней нет. Такой транзистор бездрейфовый.

Инжектированные дырки увеличивают концентрацию неосновных зарядов вблизи перехода ЭБ. Образуется градиент концентрации дырок в базе. Начинается диффузия инжектированных дырок в сторону коллекторного перехода.

Часть дырок рекомбинирует, встречая электроны, так образуется ток базы. Большая часть достигает коллекторного перехода. Коллекторный переход смещен в обратном направлении, его поле является ускоряющим для дырок. Дырки экстрагируют (втягиваются) в коллектор, так образуется ток коллектора.

Ток коллектора управляется током эмиттора (чем больше ток эмиттора, тем больше ток коллектора).

; - коэффициент передачи тока;


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)