 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Проверка исправности транзисторов инвертора и шунтирующих их обратных диодов
С помощью справочных данных, определяют расположение выводов и основные характеристики полупроводниковых приборов.
С помощью омметра измеряют сопротивления переходов силовых транзисторов RЭ – К, RК – Э, RБ – Э, RЭ – Б, RК –Б, RБ – К. Результаты измерений при проверке исправности мостового инвертора, выполненного на транзисторах VT1 – VT6 и диодах VD3 – VD8, заносят в табл. 3.
Таблица 3
| VT1 Сопротивл. Ом | VT2 Сопротивл. Ом | VT3 Сопротивл. Ом | VT4 Сопротивл. Ом | VT5 Сопротивл. Ом | VT6 Сопротивл. Ом | |||||||||||||
| Полярность омметра | RБЭ | RБК | RКЭ | RБЭ | RБК | RКЭ | RБЭ | RБК | RКЭ | RБЭ | RБК | RКЭ | RБЭ | RБК | RКЭ | RБЭ | RБК | RКЭ |
| Прямая | ||||||||||||||||||
| Обратная |
При измерениях необходимо учесть, что между эмиттером и коллектором в обратном направлении включен шунтирующий диод, поэтому сопротивление этого перехода определяется сопротивлением обратного диода в прямом направлении. Сопротивление RК–Э в прямом направлении должно составлять десятки мОм. Сопротивление переходов RБ-Э, RБ-К в прямом направлении должно составлять несколько десятков Ом. Сопротивление переходов RБ-Э, RБ-К в обратном направлении должно составлять несколько десятков мОм. Если сопротивления RЭ – К и RК_- Э одинаковы и «малы», то это говорит о том, что обратный диод пробит, если же эти сопротивления одинаковы и «велики» - структура оборвана.
Исправность транзистора можно дополнительно проверить путем закорачивания перехода база–коллектор, при приложенном прямом напряжении к коллекторно – эмиттерной цепи. Сопротивление перехода коллектор-эмиттер RК-Э исправного транзистора при этом должно резко уменьшиться и составить, например, несколько десятков Ом вместо десятков мОм. Если же этого не происходит, то транзистор неисправен.
Убедившись в исправности силовых транзисторов и шунтирующих их обратных диодов, производят проверку наличия «паразитных» связей. При проверке убеждаются в том, что коллекторная и эмиттерная группы не «звонятся» между собой. Значения сопротивлений между эмиттерной и коллекторной группами приводят в отчете.
В заключение оценивают идентичность характеристик силовых транзисторов. Для этого сравнивают значения сопротивлений переходов транзисторов. Значения сопротивлений переходов коллектор-эмиттер не должно отличаться между собой более чем на 3…5%. Транзисторы должны иметь небольшой разброс сопротивлений коллектор-эмиттер для равномерной загрузки фаз по току. Различие в сопротивлениях переходов RБ-Э , RБ-К каналов незначительно сказывается на симметрии токов фаз в связи с тем, что транзисторы работают в ключевом режиме.
В отчете делают выводы о наличии паразитных связей, исправности транзисторов и обратных диодов, идентичности характеристик.
Поиск по сайту: