ТИПИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ДІОДІВ

Випрямні діоди використовують для випрямляння змінних струмів частотою 50 Гц - 100 кГц. У них використовується головна властивість p-n-переходу - одностороння провідність. Головна особливість випрямних діодів великі площі p-n-переходу, оскільки вони розраховані на випрямляння великих по величині струмів. Основні параметри випрямних діодів даються стосовно їх роботи в однонапівперіодному випрямлячі з активним навантаженням (без конденсатора, що згладжує пульсації).

Середня пряма напруга U_пр.._ср — середня за період пряма напруга на діоді при протіканні через нього максимально допустимого випрямленого струму.

Середній зворотний струм I_{обр. ср} — середній за період зворотний струм, вимірюваний при максимальній зворотній напрузі.

Максимально допустима зворотна напруга U_{обр. mах} (U_{обр. и mах}) – найбільша постійна (або імпульсне) зворотна напруга, при якій діод може тривало і надійно працювати.

Максимально допустимий випрямлений струм I_{вп. ср mах} — середній за період струм через діод (постійна складова), при якому забезпечується його надійна тривала робота.

Перевищення максимально допустимих величин веде до різкого скорочення терміну служби або пробою діода.

Максимальна частота f_тах — найбільша частота напруги, що підводиться, при якій випрямляч на даному діоді працює достатньо ефективно, а нагрів діода не перевищує допустимої величини.

У випрямному пристрої енергія змінного струму перетвориться в енергію постійного струму за рахунок односторонньої провідності діодів.

Випрямлена напруга звичайно використовується як напруга живлення електронних схем.

Високочастотні (універсальні) і імпульсні діоди застосовують для випрямляння струмів, модуляції і детектування сигналів з частотами до декількох сотень мегагерц. Імпульсні діоди використовують як ключові елементи в пристроях з мікросекундною і наносекундною тривалістю імпульсів. Їх основні параметри:

Максимально допустимі зворотні напруги U_{звр. mа х} (U_{звр. и mа х}) – постійні (імпульсні) зворотні напруги, перевищення яких приводить до його негайного пошкодження.

Постійна пряма напруга U_пр – падіння напруги на діоді при протіканні через нього постійного прямого струму I_пр.

Постійний зворотний струм I_звр — струм через діод при постійній зворотній напрузі (U_{обр мах}). Чим менше величина I_звр, тим більш якісний діод.

Місткість діода С_д — місткість між висновками при заданій напрузі. При збільшенні зворотної напруги (по модулю) місткість С_д зменшується.

При коротких імпульсах необхідно враховувати інерційність процесів включення і виключення діода. Воно характеризується:

1) Час встановлення прямої напруги на діоді (t _вст) – час, за який напруга на діоді при включенні прямого струму досягає свого стаціонарного значення із заданою точністю (рис.4.8).

Рисунок 5.8 – до часу встановлення прямої напруги на діоді

Цей час зв'язаний із швидкістю дифузії і полягає в зменшенні опору області бази за рахунок накопичення в ній неосновних носіїв заряду які інжектуються емітером. Спочатку він високий, оскільки мала концентрація носіїв заряду. Після подачі прямої напруги концентрація неосновних носіїв заряду в базі збільшується, це знижує прямий опір діода.

2) Час відновлення зворотного опору діода (t _відн.), визначається, як час, протягом якого зворотний струм діода після перемикання полярності прикладеної напруги з прямого на зворотне досягає свого стаціонарного значення із заданою точністю (рис.4.9), звичайно 10% від максимального зворотного струму.

Рисунок 4.9 –часові діаграми до часу відновлення діода

Цей час пов'язаний з розсмоктуванням з бази неосновних носіїв заряду накопичених при протіканні прямого струму. Воно складається з двох складових t _відн.= t_{1 .}+ t_{2 .}, де t_{1 .} – час розсмоктування, за яке концентрація неосновних носіїв заряду на межі р-п переходу звертається в нуль; t_{2 .} – час розряду дифузійної місткості, зв'язаний розсмоктуванням неосновних зарядів в об’ємі бази діода.

В цілому час відновлення цей час виключення діода.

Там, де потрібен малий час перемикання, використовують діоди Шотки. Вони мають перехід метал - напівпровідник, який володіє випрямним ефектом. Накопичення заряду в переході цього типа виражене слабо. Тому час перемикання може бути зменшений до значення близько 100 пс. Іншою особливістю цих діодів є мала (в порівнянні із звичайними кремнієвими діодами) пряма напруга, що становить близько 0,3 В.

Стабілітрони призначені для стабілізації напруги на навантаженні при зміні живлячої напруги або опору навантаження, для фіксації рівня напруги і т.д.

Для стабілітронів робочим є ділянка електричного пробою ВАХ у області зворотної напруги (рис. 4.10).

Рисунок 4.10 – ВАХ стабілітрона

На цій ділянці напруга на діоді залишається практично постійною при зміні струму через діод.

Основні параметри стабілітрона:

номінальна напруга стабілізації U_{ст ном} — напруга на стабілітроні в робочому режимі (при заданому струмі стабілізації);

мінімальний струм стабілізації I_ст.min — найменше значення струму стабілізації, при якому режим пробою стійкий;

максимально допустимий струм стабілізації I_ст.max — найбільший струм стабілізації, при якому нагрів стабілітронів не виходить за допустимі межі.

Диференціальний опір r_ст — відношення приросту напруги стабілізації що викликає приріст струму стабілізації: r_ст= DU_ст /DIст.

До параметрів стабілітронів також відносять максимально допустимий прямий струм I_max, максимально допустимий імпульсний струм I_{пр.и max}, максимально допустиму потужність Р _max.

Варікап - напівпровідниковий діод, призначений для застосування як елемент з електрично-керованою місткістю. При збільшенні зворотної напруги місткість варікапа зменшується згідно із законом

де С(u) — місткість діода; С₀ — місткість діода при нульовій зворотній напрузі; φ_к — контактна різниця потенціалів; n — коефіцієнт, залежний типу варікапа (n= 1/2÷1/З); U – зворотна напруга на варікапі. Варікап, який призначений для множення частоти сигналу, називають варактором.

До основних параметрів варікапу відносять:

1. загальна місткість варікапа Св - ємність, зміряна при певній зворотній напрузі (вимірюється при U = 5В і складає десятки - сотні пФ);

2. коефіцієнт перекриття по місткості Кп = С_{в max}/С_{в min} — відношення ємностей варікапа при двох крайніх значеннях зворотної напруги (К_п=5-8 раз);

3. добротність варікапа Q=Х_с/r_п де X_c – реактивний опір варікапа; r_п – опір активних втрат;

4. I_звр — постійний струм, що протікає через варікап у зворотному напрямі при заданій зворотній напрузі.

Тунельний діод має ВАХ (рис. 4.11.), яка містить ділянку з негативним диференціальним опором. Це дозволяє використовувати такий діод в підсилювачах і генераторах електричних коливань, а також в імпульсних пристроях.

Рисунок 4.11 – ВАХ тунельного діода та схема заміщення

Якість діода визначають протяжність і крутизна «падаючої» ділянки ВАХ. Частотні властивості діода, що працює при малих рівнях сигналу на ділянці з негативним диференціальним опором, визначаються параметрами елементів еквівалентної схеми (рис. 5.10). Активна складова повного опору має негативний знак аж до частоти f_R=((r_диф/R_п)-1)^1/2/(2pr_дифC). Посилення і генерування коливань можливо на частотах, що не перевищують f_R.

Основні параметри тунельного діода наступні:

¾ піковий струм I _п — прямий струм в точці максимуму ВАХ;

¾ струм западини I_В — прямий струм в точці мінімуму його характеристики;

¾ напруга піку U п — пряма напруга, відповідна струму піку;

¾ напруга западини U_В — пряма напруга, відповідна струму западини;

¾ напруга розчину U_p — пряма напруга, більша напруги западини, при якій струм рівний піковому.

5.4 Порядок виконання роботи

1. Підготувати для роботи стенд для зняття вольт-амперних характеристик (ВАХ) напівпровідникових приладів.

2. Встановити перемикач вибору досліджуваного діода в положення «Внешний».

3. Подключить одержаний у викладача напівпровідниковий діод до клем «Внешний» стенда.

4. встановити ручки регуляторів напруги стенду в крайнє ліве положення. Перемикач полярності включення діода в положення «Прямое». Включити стенд і змінюючи напругу на діоді зняти дані прямої гілки ВАХ досліджуваного діода. Результати вимірювання занести таблицю 4.1.