|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Структура напівПР4 валентних ê розташовані на останньому енергетичному рівні і беруть участь у ковалентному зв’язку. При розриві ковалентного зв’язку валентні ê можуть вільно залишати свій атом,стаючи вільним,а атом перетворюється на +іон, +заряд іона=-заряд ê,цей +іон може приймати вільні ê речовини, які пішли від інших атомів,при чому атом знову стає нейтральнии,а сусідній атом → +іоном. Таким чином +заряд → по кристалічній решітці. 51. НапівП р та n-типу. При додаванні до напівП домішок(речовин іншої валентності) виникає домішкова провідність.Якщо до 4-валентного Ge додати 5-валентну домішку(P,сурьма,миш’як),то домішка заміщує атоми основної речовини в кристалічній решітці,утворюючи при цьому ковалентні зв’язки з валентними ê основної речовини. 4 валентні ê домішки утворюють ковалентні зв’язки з ê основної речовини,а 1 ê залишаеться вільним і може переміщуватися по речовині. При цьому утворюється нерухомий +іон домішки. Такі домішки називаються донорними, а напівП - n-типу. При додаванні 3-валентної домішки утворююється напівП р-типу. 52.Власна провідність. напівП-це речовини,які проявляють властивості як П,так і Д в залежності від зн.y.Умовами провідності є: ↑t,опромінення εП і МП.Ці умови сприяють появі власної провідності напівП. За впливу вищезгаданих зн.факторів ковалентні зв’язки валентних ê атомів речовини руйнуються.При цьому утворюється вільні носії зарядів ê та + іони.Коли така речовина натрапляє до εП,то у ній відбувається направлений рух цих частинок,тобто з’являеться εС.
Заняття 3. Ел-дірков. Перехід. Напівпровідниковий діод. Вах р-n переходу. Застосування.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.) |