Сравнительные х-ки для систем ПХТ

Основу процесса ПХТ и ИХТ процессов составляют хим. реакции энергетических частиц плазмы с материалом на его поверхности. В процессе ПХТ радикалы возникающие при диссоциации молекул раб. Газа хемсорбируются на поверхности обрабатываемого материала, обьединяя свои испаряемые электроны с атомами имеющими свободное валентности. Между радикалами и атомами материала образуется прочные ковалентные связи. В процессе ИХТ ионы обладающие высокой кинетической энергией бомбардируют поверхность материала, при этом происходит нейтрализация ионов, их внедрение в обрабатываемый материал и фрагментация на составные элементы атомы. После фрагментации происходит хим. реакция составных частей иона с обрабатываемым материалом.

№30. Диффузионные дефекты. Макродефекты и микродефекты.

1)Эрозийные ямки образ при диффузии в атмосфере сухого азота засчет возникновения наруш-й пов-ти,связ –х с испарением атомов хим соединений,кот синтезируются в ней при некоторых условиях и для предотвращения этого в смесь добавляют малый кислород. 2)сильно легированные «трубки»: повляю-ся при скоплении диффузанта в отдельн участках пов-ти. могут образ-ся в областях структурных дефектов Si. 3)образов-е 2-й фазы происходит из-за выпадения скопления атомов Ме-в или тверд растворов. образ-ся на дефектах упаковки и дислокациях. 4)термические ямки травления появл-ся за счет роста одних кристаллограф-х областей, засчет др. 5)неравномерность диффуз-го фронта по глубине: происх из-за скопления дислокаций в приповерхностном слое. 6)линии скольжения образ по тем же прич, что и при окислении. Микродефекты: 1)дислокации: причина их появления явл внедрение в КР кремния, примеси размеров атомов кот, отлич от размера атомов решетки. 2)дефекты упаковки – из-за нарушения чередования плоскостей КР при длит нагреве. микродефекты приводят к ухудшению и деградации параметров ИМС.

№31.Назначение, область применения лазеров. В микроэлектронике: лазерно-стимулированное травление, маркировка, скрайбирование, подгонка тонкопленочных резисторов, в медицине, лазерная сварка, лазерная резка, В машиностроении, приборостроении, в военной промышленности. Применение лазеров используют Свойства: 1.Создавать высокую плотность в луче. 2. Использование когерентности и монохромотичности излучения лазера. Когерентность- это пространственная и временная кориляция отдельных электромагнитных колебаний по частоте и фазе. Когерентное излучение-излучение, частота и фаза которой в любой точке пространства и в любом нашем времени строго определены. Свойства когерентного излучения: 1.Все излучение монохроматическое- это электромагнитное излучение в диапазоне частот непосредственно воспринимаемые человеческим глазом и фазносвязное. 2. Излучение может быть сконцентрировано в пятно, яркость которого больше яркости источника. 3. Дифракционные потери очень малы. Типы лазеров оптических квантовых генераторов.(ОКГ) ОКГ делится на: 1. Газовые: делятся на: атомарные,,молекулярные, ионные. Атомарные- это источники ИК излучения небольшой мощности, они делятся на: а) Лазеры на атомах инертных газов. б) Лазеры парах металла. Ионные- излучают видимые УФ электромагнитные колебания. Молекулярные- это источники мощного ИК излучения с λ=5мкм, они подразделяются на: Газодинамические лазеры- это источники, энергией которых служит колебательно возбужденные молекулы содержащие в газе. Химические лазеры- это большой самостоятельный квантовой энергии. 2. На конденсированных средах: лазеры на диэлектрических кристаллах и стеклах; на п.п материалах; жидкостные лазеры: Они могут быть редкоземельными активаторами или металлич. Основе органических красителей. Основными распространенными лазерами являются: молекулярные из группы газовых лазеров и лазеры на диэлектриках из группы лазеров на конденсированных средах.

№32.Св-ва ПКК, способы легирования ПКК. Легировать ПКК можно и донорными и акцепторными примесями. В процессе роста ПКК, методом ионного легирования, а после выращивания – методом высокоt-ной диффузии. В 1ом случае в ПГС реактора добавляют фосфин, диборан, мышьяк, Н3. При добавленииAsH3, PH3 – п-типа, а при добавлении В2Н6 – р-типа. От концентрации легирован примеси будет зависеть размер зерна, структура пов-ти и предпочтительная ориентация. Св-ва ПКК зависят от структуры, скорости травления и окисления, от концентрации легирующ примеси. Сильнолегир ПКК растет быстрее. Оптич св-ва будут зависеть от структуры, аморфный ПКК имеет более высокий коэффициент преломления, чувствительность к структуре и диэлектр проницаемость пленок.

№33.Дефекты ок-ния, причины. 1)Мех напряжения – возн после процесса ок-ния и охлаждения пл-н,они вызваны различием ТКЛР Si и SiO₂.Мех U ярко выражены если пленку наносят на одну сторону при выс Т:а)сжимающие U – из-за того,что при остывании пленка SiO₂ не может занять такую же пл-дь как пов-ть пл-ны и будет стараться растянуть ее,Si в свою очередь будет пытаться сжать пленку – из-за этого пл-на изгибается; б)растяг U – изгиб пл-ны происходит из-за несоответствия кристаллич стр-р пленки и Si на границе раздела.Снизить мех U можно уменьшив Т пленок,согласовав ТКЛР пленок и Si(измен стр-ру пленок и зернистость),использ 2хстор пленки,кот будут уравновешивать U и не будут вызывать прогибов.Мех U могут привести к растрескиванию и отслаиванию пленок,к повыш пористости и дефектообр-нию в припов слое пл-ны при проведении послед высокоТ операций. 2)Заряд состояния – приводят к измен Uпорог,они возн при попадании в пленку ионов щел Ме(Na,K),что вызывает на границе раздела Si-SiO₂ нестаб состояния;оценивают их снятием воль-фарадных хар-к и замером Uплоских зон(гистерезис).Для снятия заряд состояний проводят отжиги в Н₂,в HCl при Т=1000,если Uпорог больше нормы;если Uпорог меньше нормы при поднятии Т до раб к Н₂ доб малый О₂. 3)Эрозия пов-ти(эроз ямки) – возн при повыш Т до 1000,когда N₂ из инертного газа превращ в травящ.Для исключ эрозии на стадии подъема Т доб малый О_2. 4)Сыпь – возн из-за раскварцовки реактора,грязн фильтров на газ магистралях,из-за подачи технол газов с точкой росы,не соотв норме(-60град),из-за грязн реактора,из-за нарушения ЭГ.Для борьбы надо проводить чистку реактора,менять фильтры,собл ЭГ. 5)Пористость – возн при нарушении режимов ок-ния(во вл О₂ и Н₂О);для исключ этого брака использ сух О₂-вл О₂-сух О₂.

№34.Влияние параметров ПХ-травления на скорость удаления фоторезиста. Скорость удаления фоторезиста зависит от кол-ва атомарного О₂ в реакторе, от кол-ва загр пл-н,от расстояния между пластинами и их положение в камере, от параметров плазмы, от ВЧ мощности, типа фоторезиста, толщины фоторезиста и конструкции и массы кварцевых кассет

№35.Конструктивные особенности установок непрерывного действия. Магна 2М, Оратория 29П. Установки непрерывного действия имеют несколько раб. Камер(камера ионной зачистки, нагрева, распыления, состоящих из 3 магнетрон) и вх. и вых. шлюзов. Эти установки поточного дейсвия с непрерывным перемещением и поштучной их загр. Выгрузкой пластин по принципу из кассеты в кассету.. Магна 2М, Оратория 29П созданы на базе 3 планарных магнетронов с овально протяженной зоной эрозии мишени. Составные части: Рабочая камера, размещенная в каркасе; агрегат высоковакуумной откачки на базе криогенных диффузионных насосов и агрегат откачки шлюзов АВР 50; нагреватель на основе ИК лампы КТ-1000; транспортная система; шкафы питания магратронов, ионной зачистки; шкафы управления установкой в авт. и руч. режимах; микропроцессор на основе ЭВМ электроника 60,100, управляют транспортированием и нагревом пластин, напуском нагревав зону распыления, ионной зачистки, управляет режимами 3 магратронов, управляет работой шлюзовых устройств, обеспечивает контроль всех систем и блокировку при отказе одной из них. Установка выполнена в линейном варианте. В раб. камере изготовленной из нерж. Стали размещен конвеер - представляет собой цепь из нерж. Стали соединенный в одном месте. Крышка вверху камеры обеспечивает доступ внутрекамерному устройству для ремонта, очистки, замены мишени, цепей, ИК ламп, кранов. Крышка служит для размещения на ней ВЧ устройства для ионной зачистки и 3 магнетронов расположенных в камере распыления Устройство ионной зачистки и магнетроны снабжены вибронатекателями для напуска рабочих газов.

№36.Разновидности систем металлизации. Метализацию подразделяют на: однослойную, многослойную и многоуровневую, одноуровневая, объемная. Основным материалом служит Al. 1-слойная применяется для ИМС малой степени интеграции. Чтобы изучить св-ва Аl в него добавляют Si или Тi для уменьшения размера зерна 0.1 %,или медь для снижения электомиграции 0.5 %. Дл улучшения контактных св-в мет-ции к активной структуре ее делают многослойной: 1-контактный (выполняется из Ме или их силицидов: титан, ПКК лигир-й фосфором, силицид пластины. Они не должны вступать с Si во взаимодействие, иметь хорошую адгезию. 2- проводящий и обеспечивать качество подсоединения к контактным площадкам и выводам корпуса (Au,cu,AL,Si,Ti); 3-й –барьерный слой (применяют тогда, когда нужно подобрать хорошо согласующегося Ме контактного и проводящего слоев. Этот слой предотвращает образование интермеханических связей между 1 и 2 слоем, препятствует диффузии Ме из одного слоя в дугой (серебро,Cu,W,TiN). Многоуровневая применяется для разводки СБИС и УБИС. Уровни металлизации в этом случае разделяются изолирующими слоями(БПС)и соединяются в нужных местах. Многослойную Мет-цию применяют для 1ого ур-ня многоуровневой мет-ции.

№37.Назначение, работа масс-сепаратора установок ионного легирования. Масс-сепараторы предназначены для выделения из общего пучка ионов определенной массы и зарядов. В кач-ве сепараторов используют секторные магниты и фильтры Вина, последние применяются редко, т.к. пропускают нейтральные частицы и не компенсируют пространственный заряд сильно точного пучка. Осн типом сепаратора явл секторный электромагнит с углом поворота 60 град и неоднородным МП(переменным). Применение их позволяет избежать использования дополнит систем фокусировки, т.к. регулировкой угла поворота магнита можно изменять фокус ионного пучка. Осн задачей при проектировке массепаратора явл снижение их массы и габаритов и достижение max коэффициента переноса пучка для дополнительной щели экстракции. Применяются в установках типа «Везувий».

№38.Устр-во,работа ионного ист-ка. Ионный ист-к – ддля возбуждения атомов раб в-ва да энергии как min большей потенциала его ионизации,в рез чего получаем пучок + заряж ионов.Любой ионный ист-к имеет разр или ионизац камеру;анод для созд эл поля внутри разр камеры;ист-к электронов(катод) для перемещения в зону разряда необх кол-ва ускор электронов;магн систему для повышения эффект-ти ионизации и плотности плазмы в зоне экстракции(извлечение ионов);экстрактор,кот явл электродом перв фокусировки пучка ионов,т.е. он созд перв ускорение ионного пучка;систему подачи раб в-ва;ист-ки питания катода,анода,экстрактора,электромагнитов.Виды:ВЧ,СВЧ,с холл или гор катодом,дуговые,магнетр,с полым катодом,лаз.Самые распр:с гор или хол катодом.Ист-ки с термокатодо выполн в 2вариантах:1)с экстракцией ионов вдоль оси разр камеры через отверстие круглой формы; 2)перпендик оси разр камеры через отверстие прямоуг формы – радиальн или лент экстракция.При аксиальн – пучок будет конич формы,что совместимо с ионно-оптич системой уст-к.При радиальн – пучок в форме ленты.При прохождении пучка через электростатич линзы пучок разфокус-ся и обр-ся объемн заряд.Раб в-ва:элемент газы(H₂,He,Ar,N₂),легир в-ва(As,Sb,Al,Zn,В,Р).Раб в-ва могут подаваться в разр камеру в виде элемент. газов, газообр соед-ий.

№39.Назначение вакуумметров. Принцип действия термопарного вакуумметра. Любой вакуумметр состоит из 2х частей: манометрического преобразователя, кот-ые подсоединяются к вакуумной системе и измерительному прибору, кот-ый измеряет элек-ую величину эквивалентного давления. Шкала измерительного устройства проградуирована в ед-цу давления. Вакуумметры подразделяются на: тепловые вакуумметры R, термопарные, ионизационные магнитноэлектроразрядные. Принципдействия тепловых вакуумметров основан на зависимости теплопередачи через разрежённый газ от давления, передача теплоты происходит от тонкой металлической нити. Металлическая нить нагревается в вакууме путём пропускания эле-го тока. В тепловых манометрах использована зависимость теплопроводности газа, от давления, по конструкции они делятся на манометры сопро-ия и термопарные. Тепловые манометры состоят из 2-х основных частей: 1) датчик, кот-ый непосредственно сообщается с вакуумной системой, давление в кот-ой должно измеряться. 2) измерительный блок к кот-му подключается датчик. Датчик также наз-ют манометрической лампой. Манометрическая лампа представляет собой стеклянную полку, в кот-ой на 2-х вводах смонтирована одна или несколько тонких металлических нитей, нагреваемых элек-им током. В вакуумной системе манометрическая лампа присоединяется трубкой, измерительная часть представляет собой мостик для измерения сопро-ия. Давление газа манометром сопро-ия измеряется следующим образом: включается цепь мостика и по прибору(1) реостатом (5) устанавливается ток накала нити манометрической лампы, кот-ый поддерживается постоянным при всех измерениях. Пока не начата откачка в вакуумной системе устанавливают такой сопро-ие R2, что бы мост был в равновесии. Если в данный момент начать откачку то при достижении нужного давления теплопроводность газа начнёт заметно уменьшаться, t⁰ нити будет повышаться, а вместе с t⁰ увеличится сопро-ие R1, равновесие мостика нарушается, и стрелка прибора 2 начнет перемещаться с нулевого положения в право, чем дольше, тем ниже давление, что бы по положению стрелки на шкале прибора 2 можно было судить о давлении, манометр заранее градуируется. Манометр сопротивления с компенсатором. В этом варианте манометра влияние измерения окружающей t⁰ , практически исключается. Это достигается заметной R2, компенсатором, кот-ый яв-ся точным воспроизведением МЛ и отличается от неё только тем, что он применяется в западном виде предварительно откаченным до давления не выше чем 10^{-5 мм РТ. Ст. т.к. сопрот-ие компенсатора не подаётся регулировки, R3 и R4 выполняются в виде потенциометра, положение кот-го выбирается таким, что бы при атмосферном давлении (Ра) мостик был в равновесии.}

№40.Особенности оборудования для ПХТ. Установки дел. на установки планарного типа с загружаемым анодом или катодом; и объёмного типа. В системах объёмного типа, пл-ны как бы плавают в пдазме, а в сист-х планорного типа, пл-ны располог. на одном из плоскорасположенных электродов. Если на катоде – то на него подаётся отриц. потенц., кот. вытяг. ионы. Если на аноде, где отсутствует отриц. потенц., то уменьш. вероятность бомбардир. энергетич. ионами. Уст-ка 08ПХО-110Т-001: двухкамерная установка с ёмкостной системой пдачи ВЧ, может быть использована для удаления ф/р и ПХ зачисток.Камера представляет собой цельносварной кварцевый цилиндрический реактор,диаметром 200мм. и длиной 400 мм.Придел.остат. давл. 6,65Па, Раб давл 133па.Уст-ка раб и в ручном и в автомат. реж. Плазма-150: уст-ка планарного типа. для удал. ф/р с индивид. обр. пл-ны.Работает только в автономном режиме.Имеет раб. камеру и шлюзы загр. и выгр.Ввод и вывод информ. осущ. через дисплей. Для возбужд. Плазмы исп. ВЧ-ген. мощностью 12.56 мГц.Позвол. снизить кол-во брака по вине обор-я т.к.при сбое обор-я след.пл-на на позицию обр-ки не поступает. Уст-ка 08ПХО-100Т-005 Планарная с загр.катодом.В основу раб. уст-ки положен метод вобуждения молекул реакционных газов энергией ВЧ-плазм-го разряда и взаим-я их с поверх. обр-го мат-ла.Внутри камеры имееися полый электрод диам. 710мм, охлажд-ый водой Вращ-ся электрод со скор. 5 обор/мина нанижнем лектроде располог. пл-ны, врехним служит крышка камеры.Расстояние между ними 100мм. Уст-ка 08ПХО-100Т-004: с загр.анодом.Предназ. для травл. Многосл-х стр-р в плазме.Внутри камеры уже 2 електрода; расстояние между которыми 3-5см; электроды полые и охлажд-ся водой; к верхнему подведён токоввод для подачи ВЧ-мощн. 08ПХО-12550-008. Уст-ка индивид. обр-ки. В основе раб.уст-ки лежит принцип возбужд. и активации молекул реакционных газов энергией ВЧ-пламенного разряда и взаим-ии с поверхн. обр-го мет-ла, с обр-ем летучих соед-ий, откач-х вак. сист. Уст-ка раб. в автономном режиме по принципу из кассеты в кассету по заданной программе.Газораспред-я сист-ма имеет 5 магистралей (4 для осн. газов и 1 для балластного азота)

№41.Назначение и свойства термического окисла в зависимости от среды окисления. 1-ый – окисление в сухом кислороде; метод обаспечивает выс.качество и низкую пористость, но скор очень мала. Плёнка использ в качестве маски.2-ой – окисление во влажном кислороде: скор.выше, но кач-во слоя неудовлетворительно из-за выделения на поверхн. водорода (пористость). Плёнки использ.в качестве электр. изоляции, в качестве подзатворного диэл-ка, межслойного диэл.3-ий – окисление во влажном кислороде: обеспеч. Формир-е слоёв с миним. кол-ом деф-ов, при макс. возможн.скор. Плёнки получ-е этим методом исп-ют в качестве пассивации, в качестве ист-ка примесей(ФСС; БСС), а так же как диэл-ки

№42.Назначение, особенности ВЧ-распыления. Вч напыление для напыления диэлектрических пленок.При распылении Ме, ударяющиеся о мишень ионы Аr нейтрализуются на ней и возвращаются в вакуумный объем рабочей камеры. Если распыляется материал диэлектрика, то положит ионы не нейтрализ, и за короткий промежуток времени подача на катод отриц потенциала, диэл мишень покрывается положит заряженными ионами и распыление прекращаются. Чтобы продолжить распыление мишени, надо нейтрализовать положит заряд и подать на катод положит ВЧ-потенциал. При этом происходит притягивание к мишени ВЧ електронов, нейтрализация положит заряда и при след подаче положит потенциала на мишень начинается распыление. ВЧ ведется на частоте 13.56 МГц. Эта разновидность распыления реализуется как в диодных, так и в магнетронных системах.

№43.Основные узлы и блоки МЛЭ. Уст-ка сост из термопары, кварцевого датчика для измерения толщины слоя, теплового экрана, резистивного нагревателя, Si пластины, подложкодержателя, окна для визуального наблюдения, масспектрометра для контроля парциального давления, ионизационного вакуумметра, механического затвора, источника Si, и электронно-лучевого испарителя, источника примесей, криогенного или ионно-гетерного высоковакуумного насоса, турбомолекулярного насоса. В установке использ метод испарения Si электронно-лучевым, а примеси резистивным нагревом. По методу нехимического осаждения МЛЭ используется таким образом, что хим осаждение и ПГС, а конденсацию молекулярных пучков, в-ва Si или легирующих примесей в вакууме на пластину. Методы МЛЭ различают по способу генерации пара и в-ва, пар получают сублимацией, испарением или реактивным испарением. Установка – высоковак камера, в которой нах пластина и нагреватель.

№44.Основные узлы и блоки установок диодного типа для напыления металлов. Предельно-остаточное давление 10^-4 Па, рабочее 1-100 Па. Состоит из высоковольтного ввода, вакуумной камеры, экрана, катода, мишени, пластины, анода-подложкодержателя, патрубка к вакуумной системе, натекателя. Принцип работы: на катод через высоковольтный ввод подается U=3-4 кВ. На катоде располаг мишень из распыляемого мат-ла; анод нах под потенциалом земли. Расстояние между анодом и катодом 3-5 см. При подаче напряжения, между анодом и катодом загорается плазма тлеющего разряда. Образованные в плазме ионы Аr, который подают в рабочую камеру через натекатель, бомбардируя мишень и выбивая из нее частицы мат-лов, кот летят к аноду и осаждаются на пластины в виде пленки. Скорость нанесения пленки 0.5 нм/с

№45.Особ-ти тр-ния пленок Al на уст-ках ПХТ. ПХТ Al и его сплавов с Si,Cu,Ti исп для созд Конт площадок и межсоединений.При тр-нии Al и его сплавов возн трудности,связ с тем что пов-ть Al покрыта тонкой,плотной и хим стойкой пленкой Al₂O₃ и ее до начала тр-ния надо уд-ть,т.к. Al₂O₃ приводит к эрозии фр и коррозии Al.Чтобы как можно быстрее уд-ть Al₂O₃ надо до min уменьшить в камере кол-во вод паров;осн продукт взаимод-я Al c CCl4 – AlCl3(лет и очень гигроскопичн соед-ние),кот может конденс-ся на охлаждаемых стенках реактора и поглащать пары воды из атмосферы.При зажигании плазм разряда в камере вода десорб-ся(выд-ся) из AlCl3 и вызывает коррозию.Чтобы исключить попадание в камеру воды из атмосферы надо исп уст-ки,кот имеют шлюз камеры,а раб камера все время под вакуумом(не разгермет-ся);исп криог откачку,чтобы обесп пред разряжение;исп азотные ловушки,чтобы в РК не проникали разл пары.Самый эффект способо – тр-ние в 2стадии:1)в хлорсодерж плазме;2)в элегазе SF6(антикороз). При ПХТ Al-Si на пов-ти ост-ся Siкрошка,кот затем уд-ся в плазме фрионов с О2.Сплавы Al-Si-Cu представляют еще большие трудности при ПХТ,связ с низкой лет-тью CuCl3.Проблема эта может быть решена при ВЧ мощности и глуб вакууме,но при увеличении ВЧ мощности наруш-ся цел-ть маски,через кот травят,т.к. увелич Т в реакторе.

№46. Дефекты ионно-легированных слоев. Возникновение РД и их ликвидация - одна из проблем в пр-ве ИМС. Появл РД в м-ах приводит к изменению определ св-в мат-ов. Механизм возн РД - сложный, бомбардирующий ион,с талкиваясь с атомами мишени, передат им часть своей кинетич энергии. И если эта энергия больше некоторой крит-ой энергии связи в кристалле, то атом ПП пл-ны выбивается из узла решетки, вызывая каскад столкновений. Легкие и тяж ионы ведут себя по разному => вокруг траектории их движения РД тоже ведут себя по разному. Пространство, занимаемое сложным древовидным рис РД наз кластером дефектов. Особенность графика явл сдвиг кривых РД по отношению к кривым распределения примесных атомов в сторону меньших глубин =>что энергия ионов бора в конце их пути еще достаточна для их продвижения вперед, но уже не достаточна для генерирования дефектов. Концентрация РД увелич с ростом массы имплантированного иона. При наличии дефекта каналирования профиль каналирования сдвигается внутрь мишени.

№47.Разнов-ти систем ускорения и форм-ния ионного пучка. Система ускорения – для ускорения ионов до опред энергии.В кач-ве ускор устр-ва исп 3типа конструкций:1)ускорит трубка с пост градиентом потенциала вдоль оси;2)2хэлектр линза с 1зазорн ускорением;3)3хэлектр линза с 2зазорн ускорением.Ускоритель – конструкция черед мет и изолир колец,скрепл между собой.Изоляторы – стекло,керамика.Такая система может выполнятся в виде 2 или 3электр линз.В системе с 2хзазорн ускорением электроды вып из нержавейки или титана,в кач-ве изоляторов – тугопл борное стекло(пирекс) и свинц резена,имеющая низкую электропров-ть,что обесп распред-ние U по пов-ти и экранирование рентген излучения.Для экран-ния – экраны из Мо и пост магниты.

№48.Назначение и методы получения пленок реактивным распылением. Применяется для получения пленок химических соединений. Основным условием для получения таких пленок явл отсутствие натекания и газовыделения в рабочей камере и чтобы кол-во реактивов газа не превышало 10% смеси Ar и реактивов газа. При реактивн распылении газы взаимодействуют с конденсир на подложке воды, образуя оксид кремния.. Условия реакции при получении пленок реактивным распылением существенно зависит от постоянства в рабочем объеме % содержания реактивного газа. Есть неск методов его подачи в камеру: 1. Оба газа вводят из магистрали или баллона, контролируя расход реактивного газа и поддерживая постоянное давление. 2. В реактор вводят заранее подготовленную смесь в нужном соотношении из резервуара или бочки. Метод применяется на установках ионного распыления и на установках эл-луч нагрева.

№49.Особенности удаления ф-та на ПХ оборудовании. Используют кислородную плазму, сост из атомарного О2, азона, возбужденных молекул О2, положит и отрицат заряженных ионов О2. Это образ в плазме. Химич активными явл атомарный О2 и азон, кот взаимодействует с ф-том, окисляют и разлагают его. В рез-те образуется в-во с малой молекулярной массой, кот легко улетучивается.

№50.Особенности магнетронных систем ионного распыления. Магнетронные системы – усовершенствованная диодная система и отличается от них тем, что в прикатодной обл-ти идет существование электрич и кольцеобразного магнитных полей, кот направлены перпендикулярно друг другу. Скорость напыления в магнетронных системах 100-200 нм/с, следовательно, наличие МП увеличивает эффективность ионизации и тлеющий разряд в таких системах поддерживается при более глубоком вакууме, чем в диодных. Рабоч давление 10 10 Па, а это обеспечивает чистоту получаемых пленок. Источники магнетронного распыления называются магротронами, которые позволили повысить параметры и расширить технологич особенности распылительных систем. В установках использ планарно-кольцевые и овально-протяженные магратроны.

№51.Назначение автоматизированных систем загрузки-выгрузки Автомат-е сист-мы загр/выгр., при термическом окислении вдвигают перед началом и выдвигают после процесса кассету с пластинами со скор. 30-300мм/мин, а также во избежание приварки кассеты к стенкам трубы, перемещают её возвратно-поступательно с амплитудой 20мм.Задавать опр-ю скорость загр/выгр. необх. для того, чтобы обеспечить равномерный прогрев пластин по всей площади т.к если пл-ны загружать быстро, то возникает градиент температур,что может привести в деформации пл-ны.

№52.Основные узлы и блоки установок типа «Изотрон». Осн узлы: газораспред система – содержит основные каналы для рабочих газов и вспомогательных. В каждом газовом канале есть запорный кран, регулятор давления, РРГ, ДРГ, натекатель, эл-магн клапан, смеситель, байпасная линия; вакуумная система – сост из насоса Рутса (АВР-150, 300, 500), кот сост из двухроторного насоса и механич насоса. В вакуумной сист расположена азотная ловушка, регулятор быстроты откачки, вакуумный вентиль, фильтр и маслоочиститель, предназнач для увеличения ресурса работы насоса. Система очистки выбросов сост из маслоотражателя, фильтра, поглотителя, единого откачного поста, который должен располагаться в отдельных помещениях; Реактор – он имеет вакуумные шлюзы, электропечь с 2мя резистивными нагревателями. 1 вак шлюз – для загр/выгрузки пл-н, 2ой – откачной шлюз. В нем расположен датчик давления и блок из 3ех термопар

№53. Особенности ПХТ по сравнению с жидкостным:ПХТ обладает по сравн с жидкостным след особенностями: высокая скорость травления, анизотропия, селективность, загрузочн эффект, текстурой. Сухой метод травления, по-сравнению с жидкостным имеет ряд преимуществ: не вспучивается ф-т; в 2-3р. Увелич. точность обработки; в3р. Увелич. Скорость; появляется возможность определ. Момента окончания травления по разнице скоростей травления, служащего под слоем SIO_2, Si₃N₄ скорость которого выше в 2-4 раза; приПХТ на пленку Si₃N₄ не наносят дополнительно маскирующего слоя, что сокращ. Маршрут изготовления ИМС. Трав Si₃N₄ можно совместить с удаленим фоторез-та в одном технол-м цикле,заменой травящего газа фриона кислородом.

№54. Основные узлы и блоки установок ПХТ для травления диэл слоев. 1) газораспределительная система (термостат с испарителями жидких реагентов магистраль с клапанами, газораспределительный коллектор) 2) Система питания и управления (ВЧ-генератор, коаксиальный электрод, согласующ уст-во) 3) Вакуумная система (вакуумная камера колпакового типа, система откачки, форвак насос, азотная ловушка, высоковак затвор, высоковак диффуз насос, тепловой и ионизационный вакуумметры) 4) Транспортнаясистема (подложкодерж, вращение подложкодерж). 5) Вспомогательные уст-ва (ИК-лампы, термопары)

№55.Принцип работы лазеров на газовых средах. Принцип работы молекулярного лазера на СО2, N2, Не. Состоит из:1 напуска газа СО2, N2, Не 2.Выход охлаждающей воды. 3. Откачка газа. 4 Выход лазерного излучения. 5 Полупрозрачное стекло. 6 пирексовая трубка. 7 Вход воды. 8 Полые электроды. 9 Золоченое зеркало. В оптических квантовых генераторах на СО2 используются переходы между колебательными и вращательными энергетическими уровнями, возникающими в результате этих переходов когерентное излучение имеет λ лежащую в ИК диапазоне волн. Предварительно смешанные газы СО2 при давлении 165 Па, азот- при давлении 100Па, Не при 1100 Па прокачиваются непрерывно через размерную трубку из пирекса и это препятствует наполнению в разрядном пространстве продуктов разложения смеси, что может привести к снижению давления лазера. С обеих сторон к разрядной трубке при помощи сильфона прикреплены юстируемые зеркала, одно из них с высоким коэф. отражения представляет собой золотое покрытие на полированной подложке из пирекса или нерж. стали. Второе зеркало полупрозрачное, предназначено для выхода излучения, имеет диэл. покрытие а подложке, прочность этого стекла 20% Полый лазер дает в непрерывном режиме 120-150 Вт на λ 10мкм, при КПД трубки 15%. Плотность мощность генерации = 0,06 Вт на при квантовой эффективности перехода 41%. Для диаметра трубки 10 погонная мощность генератора = 60 Вт на метр. Для давления порядка кВт лазер будет представлять мощные сооружения систем электропитания, охлаждения, газообеспечения, молек. лазеров нашли решение путем раздельной инжекции возбужденной смеси N2, Не в СО2 прокачиваемый с высокой скоростью

№56 Устройство и работа простейшей вакуумной системы. На схеме изображено последовательное включение низковакуумного и высоковакуумного насоса. Низковакуумный насос в этом случае наз-ют форвакуумным. Форвакуум – это вакуум создаваемый насосом более низкого вакуума при последовательном соединении нескольких насосов.Ловушки предохраняют откачиваемый объёмраб-ей камеры от попадания в неё паров рабочего в-ва насоса. Ловушка под форвакуумным насосом необходима для попадания в высоковакуумный насос паров масла форвакуумного насоса. Вакуумные клапаны(к) и затвор позволяют соединять и разобщать элементы вакуумной системы, а так же регулировать поток газа в вакуумной системе. Трубопровод соединяющий н.в. насос через клапан(к₃) с раб-ей камерой носит наз-ие байпасной линии(а, б), кот-ая позволяет откачивать раб-ую камеру от атмосферного давления до низкого вакуума так, чтобы поток атмосферного газа не попадал в работающий в.в. насос, кот-ый в этот момент отделён от остальной вакуумной системы клапанов(к₂) и затвором.

№57.Назн-ние план-ции в процессе пр-ва ИМС. План-ция – для провед фл с выс разрешением,для более равном перекрытия степеньки мет-ции межсоед-ний.С этой целью прим толстые пленки SiO2 и Si2N4,получ любым способом(ПХО,центр-ние,пиролиз);могут прим-ся и фр,полиимиды,оплавл БФСС.Если исп-ть полиимиды или жидкие стекла,то практически не треб-ся доп обр-ки.Если мы формируем приборы в слое SiO2 и присутствие орг материала нежелательно,то с помощью РИТ одновременно уд-ют и планар-ют пов-ть. Когда для план-ции примен фр равные скорости тр-ния фр и SiO2 обеспдоб-ние в фрион плазму(СF4) О2,кот явл сильным окисл-лем;можно доб-ть Н2 или Не,чтобы обесп-ть равн скорости тр-ния. При план-ции рельефа(SiO2 на ПКК) низкая стойкость фр и др полимерных материалов РИТ оказ полезн.

№58.ТП на СДОМ-3-100. Уст-ка имеет ДРГ(контр расход и конц-цию ПГС),дозатор вод пара(под нужн кол-во ж-ти в камеру испар),камеру испарения(обр-ние паров воды,поступ в реактор),реактор,кассету с пл-нами,резист нагрев-ль(контр Т в реакторе),нагрев-ль воды(нагрев воду до Тиспар),вентили(регул газ потоки),газ магистраль(для поступл газов в реактор),магистраль охлажд воды(охлажд воду). ТП:Вывести печь на предварит режим(750град)→Уст-ка исполнит мех-мов в исх положение→Проверка запыл-ти→Уст-ка врем режимов,Т,режимов подачи и расхода О2 и N2→Загр пл-н в кассету(25) →Запуск программатора→Вкл автозагр→Загр кассеты в печь(30мм/мин)→Продувка N2→Вкл нагрев-ль→Подъем Т до раб(1250град,10град/мин)→Подача О2 и N2(400л/ч) →Откл подачу раб газов→Откл нагрев-ль→Сброс Т(750град,3град/мин) →Выгр кассеты с пл-нами(30мм/мин) →Контроль

№59. Разработка ТП напыления Al/Si 1 на установке Магна 2М. начало →загрузка кассет пластин в шлюз→(25штук) → откачка раб. камеры→ (Р=10Па, t=2мин) → выбор прграммы→(шаг 150, V=300мм/мин, N1-5кВт, N2- кВт, N3-5кВт, РAr=0,8 Па, Iн=5А, ресурс 80%, Nиз-300Вт, t=300С) →Осаждение Al на 1 магнетрон→(d=1мкм) → осаждение Осаждение Al на 2 магнетрон→(d=1мкм) →выгрузка пластин в приемную кассету, в шлюз→ конец.

№60.ТП пол-ния легиров Аs слоя Хj=1мкм. Ампульн метод.Его проводят в ампуле,в кот загр ТВ диффузант и раб пл-ны.Затем ампулу откачив до 10^-3 Па или заполн инертным газом(аргоном),а затем запаивают.Ампулу вводят в раб зону реактора,при поднятии Т пары диффузанта осад на пл-ны и диффундируют в глубь пл-ны.Этим методом можно проводить диффузию любой примесью,но т.к. ампула после процесса разрушается,поэтому исп только для As. +: min токсичность; недост: дорогостоящий.

№61.Мероприятия по снижению коэффициента заполнения линиями скольжения Клс после термических операций. Оптимизировать мягкие режимы, загрузка/выгрузка, пластины поставить с определенным шагом 2-4 мм

№62.Разработка ТП получения SI₃N₄. Разработка ТП 0,9мкм на установке «Магна-2м» начало→загрузка пл-н на падложкодержатель→опускание колпака вакуумной камеры→ откачка камеры фрвак. насосом→100Па→замораж. азотной ловушки→открыть высоковак. затвор→ откачка камеры высоковак. диф. насосом→10^-4Па→включить вращение подложкодерж.→ вкл. нагрев→250⁰C, 20-30мин.→откл. нагрев→подать в камеру О₂→вкл. ВЧ генератор→обработать пл-ны в плазме О₂→1-2 мин.→подача в камеру реагентов→наращ-ся плёнка→0,65 мкм→ контроль толщины плёнки→откл. подачу реагентов→обработка в плазме О₂→1-2 мин.→откл. подачу ВЧ→ закрыть подачу О₂→остудить пл-ны→50⁰C→подача в камеру N₂→поднять колпак→выгрузка пл-н→контроль→конец.

№63. Разработка получения SIO₂ d=0,65мкм на установке «Изоплаз 150»

начало→загружаем пл-ны на электроды подложкодерж.→40 шт.→откачка раб. камеры→ 1 Па→ подаём ВЧ на подложкодерж.→частота≈440 МГц→диапазон 500В, мощность 150В →?→получение(формирование)SiO₂→газы: моносилан(SiH₄),О₂→t=100⁰C, толщина 0,65 мкм→ выгрузка пл-н→контроль→конец.

№64.Разработка ТП получения ПКК при атмосферном давлении на установке УНЭС 101. начало→поднять колпак с помощью гидропривода→ протереть реактор и кварцевую оснастку батистовой салфеткой смоченной спиртом→проверка работы исполнительных механизмов→ проведение оприсовки→V=100л, N₂ Р=0,12×10⁵ Па,t=30 мин.→ продувка реактора N₂→ V(N₂)=100л, t=10 мин.→продувка реактора Н₂→V(Н₂)=100л,t=15мин.→ на пульте управления программатора и газораспределительном блоке устанавливаем режимы t⁰временные, подачи и расхода Н_2, N_2, НCl.→ контроль рабочих пл-н→дефектов не должно быть→загрузка на подложкодерж. пл-н→ опустить копак с помощью гидропривода→нагрев подложкодерж. до рабочей t⁰.→ t⁰=1000⁰C→ отжиг пл-н в Н₂→расход 100л/ч, t⁰=10 мин.→газовая полировка HCL→ расход 3л/ч, t⁰=5 мин.→ закрытие магистрали с HCL →подача реагентов→SiH₄, t=20мин.→закрытие магистрали с реагентами→ охлаждение реактора→t=50⁰C→продувка N₂→ расход N 100л/ч, t⁰=10 мин.→поднять колпак→выгрузка пл-ны→контроль пл-н→дефектов не больше 1→конец.

№65.Разработка ТП селективной диффузии (вариант 1). Окисление поверхн пл-н→ФЛ для вскрытия окон по диффузию→нанесение на поверхн. примесно-селикатного стекла и проведение стадии «загонки», при которой на поверхн. пл-ны обра-ся высоколегированный объёмный источник

№66. Разработка ТП селективной диффузии (вариант 2). нанесение окисла→нанесение ФСС(тотальная диф-я) →проводим ФЛ и травим стекло там где необходимо его убрать→засовываем пл-ну в печи и проводим вторую стадию диф-ии т.е. разгонку

№67.Разработка ТП получения термического SiO₂ d=0,29мкм в среде HCL+H₂. Проводим на уст-ке для окисления в парах соляной кислоты.Процесс: Подъём темп. в реакторе→Загр.пл-н→ нагрев испарителя→подача соляной кислоты через запорный кран из резервуара на испаритель→захват паров солян. кисл. газоразбавителем и перенос их в раб. камеру с одновременной подачей влажного кислорода→выращивание окисла в течении 20 мин→снижение температуры→продувка азотом→выгрузка пл-н

№68.ТП эпит наращ хлор методом. УНЭС-101 – 2реакт колпак типа с 2водоохлажд стенками,подложкодерж,внутри кот индуктор,на кот под ток выс частоты,индуктор закрыт кварц стаканом,испаритель из нержавейки(цилиндр сосуд внутри кот теплообменник),газораспределит система в виде газ блоков и блоков клапанов,скруббер для утил-ции продуктов р-ции,система упр-ния в отд шкафу. ТП:Поднять колпак→Протереть оснастку реактора→Проверка работы исполнит мех-мов→Загр пл-н→Опустить колпак→Опрессовка(избыт давл 0,2*10⁵ Па за 30мин выдержки в атмосфере N2 не падает) →Продувка N2 и Н2(10-15мин)→Нагрев подложкодерж(1200град) →Отжиг в Н2(5-10мин) →Газ полировка в HCl(1-5мин) →Закр магистраль с HCl→Подача реагентов(SiCl4+H2) →Растет ЭС(0,1-100мкм) →Закр магистральс подачей реагентов→Охлаждение(50град) →Продувка N2→Поднять колпак→Выгр→Контроль

№69.ТП селект эп-и. Сущ неск эпит наращивания.Для этого пл-ну скрайбируют на нужных участках,а затем на пл-нах выращ ЭС;на скрайбиров участках растет ПКК,а на нескрайбиров – монокристалл. В др способе созд зародыш участки.Для этого на маскир пл-не после фл осаждают ПКК 0,1мкм;после тр-ния области ПКК над слоем SiO2 уд-ся,далее растят ЭС;при этом над областями затравки растет ПКК,а над чист – ЭС.

ТП:Ок-ние Si пл-ны→фл(получаем окна,сформиров фл) →Повт оп-ция ок-ния→Фл→Процесс эп-и(наращивание ЭС,кот будет в осн находиться в окнах фл за счет того,что в окнах скорость роста ЭС выше) →Шлифовка для получения равном пов-ти пл-ны.

№70.Разработка ТП получения БФСС d= 0,8 мкм на установке Изотрон 4 150. Начало→подготовка к работе газовых и вак. Систем → Выбор программы процесса и программирования на программаторе с помощью коммутации штырей → вывод на t режим→(t=400C t=500С) →загрузка контрольных пластин→(4шт) →продувка реактора →(V(N2)=300л) →откачка реактора(t=1мин, Р=10Па) → проверка натекания →(меньше Па/с) →откачка(Р=6,6Па) →запуск прграммы→откачка→(Р=6,6Па) →выдержка→(t=30 мин) → подача реакционных газов→(SiHCL3+O2+B2H6+PH3→SiO2(БФСС)d=0,8мкм) →продувка N2→ (V(N2)=300л) →выгрузка→контроль→(вид, толщина, пористость, Rсветящихся точек) →конец

№71.Влияние технологических факторов на качество ионно-легированных слоёв. Факторы:энергия ионов;доза имплантации; плотность тока в пучке; время облучения; ориентация крисаллографической плоскости пл-ны относ-но пучка; темп. пл-ны; уровенб чистоты остаточной среды; давл.в приёмной камере; спектр остаточных газов; кострукция держателей пластин. Все эти факторы влияют на глубину, характер и профиль залегания ионов примеси. Тщательно подобрав их можно определить параметры ИИ для получения необх. легированной области.

№72.ТП лег-ния Р Хj=1мкм,Е=20кэВ,D=10^-9 см^-2. 1Опред «эффект толщину» слоя маски через торм спос-ть Si,исходя из зад толщины.Считаем,что торм спос-ть Si и маски одинак,т.е.

Хsi[А]=Хмаски[А]*dмаски/dsi;

2Опред величину проектного пробега ионо примеси в Si: Rp=Xsi+Xk

3Выьираем по табл Е и Rp

4Опред дозу лег-ния: D=√2П * Rp(Nk-Nм)

5Опред время облучения: t=D*e*n/f

6Расчит конц-цию примеси в зав-ти от «эффект толщины» маски: N(x)=D/√2П * Rp exp[-1/2 * (x-Rp/Rp)²]

№73.Сравнительный анализ методов ПХТ и жидкостного травления Si₃N₄. Сухой метод травления, по-сравнению с жидкостным имеет ряд преимуществ: не вспучивается ф-т; в 2-3р. Увелич. точность обработки; в3р. Увелич. Скорость; появляется возможность определ. Момента окончания травления по разнице скоростей травления, служащего под слоем SIO_2, Si₃N₄ скорость которого выше в 2-4 раза; приПХТ на пленку Si₃N₄ не наносят дополнительно маскирующего слоя, что сокращ. Маршрут изготовления ИМС. Трав Si₃N₄ можно совместить с удаленим фоторез-та в одном технол-м цикле,заменой травящего газа фриона кислородом.

№74.Мероприятия по сниж брака при ПХТ Al/Cu/Si/Ti. При ПХТ Al-Si на пов-ти ост-ся Siкрошка,кот затем уд-ся в плазме фрионов с О2.Сплавы Al-Si-Cu представляют еще большие трудности при ПХТ,связ с низкой лет-тью CuCl3.Проблема эта может быть решена при ВЧ мощности и глуб вакууме,но при увеличении ВЧ мощности наруш-ся цел-ть маски,через кот травят,т.к. увелич Т в реакторе.

Корозия после процесса тр-ния Al и его сплавов в хлорсодерж плазме вызвана обр-нием AlCl3 и CuCl3,кот ост-ся на пов-ти пл-н и захват-ся фр,а при взаимод-и с атмосферой в рез гидролиза обр-ся капли HCl,кот вызывает коррозию. При сплаве Al с Cu обр-ся гальванич ячейка,кот тоже вызывает электрохим коррозию в присутствии влаги.Чтобы снизить коррозии надо пров антикорроз обр-ку;обраб-ть пл-ны после тр-ния в В-содерж плазме,или в плазме N2+H2;защ-ть Al термич его ок-нием перед тр-нием при Т=300-350град;исп в кач-ве барьерн слоев Ti,W,силициды,тегоплавк Ме,кот более стаб к коррозии и легче трав-ся.

№75.Разработка ТП напыления 2ого Ме на установке «Оратория 29». Начало→Откачка рабочей камеры (Р_ост=6.6*10^-5Па, t=30 мин) →Разгонка мишени→Прогрев (N_1,2,3=0-6кВт,)→ Загрузка пл-н в кассету (25 шт) →Откачка шлюза(Р=10Па, 2 мин) →Напуск Ar (Р=1 Па)→Напыление 2ого Ме(1.1 мкм,t=300град,I_нагр=5А)→Выгрузка→Контроль (адгезия, чистота, R? толщина)→Конец.

№76.Разработка ТП напыления Pt УВН-2М-2. Начало → Откачка рабочей камеры (Р_ост=6.6*10^-5Па, t=30 мин) →Разгонка мишени(Pt) → Прогрев (N_1,2,3=0-6кВт,)→ Загрузка пл-н в кассету (25 шт) → Откачка шлюза(Р=10Па, 2 мин) →Напуск Ar (Р=1 Па) → Напыление (0.04 мкм,t=300град,I_нагр=5А)→Выгрузка→Контроль (адгезия, чистота, R, толщина)→Конец

№77.Разработка ТП удаления ф-та на установке 08 ПХО-100Т-001. Начало→Загрузка пл-н в кассету→ Откачка рабоч камеры(6.65Па 30с) →Проверка натекания(1*10^-4Па/с)→ откачка(6.65Па)→подача рабочего газа (V(О₂)=30л, 133Па)→Включить ВЧ генератор(частота 13.56Гц, Р_вых=200Вт)→Согласовать ВЧ-генератор с нагрузкой→травление (10 мин)→выгрузка→конец.

№78.Разработка ТП напыления ТiN на установке «Оратория 5».

Начало → Подготовка уст-ки к работе → Загрузка пл-н на подлождержатель → Загрузка планетарного уст-ва в шлюз →Откачка шлюза (10-100Па) →Опустить вниз мех-м вак блокировки → перевод пл-н на позицию нагрева→ поднять вверх мех-м вак блокировки(нагрев 100-250 град) →перевод пл-н на позиции 1 и 2 магратрона (напыление 250с) → перевод пл-н в шлюзовую камеру→ Выгрузка→ контроль(зеркальность, удельн R, коэффициент заполнения рельефа) → Конец.

№79.Разработка ТП получения термического SiO₂ на установке «Термоком». Начало→ выведение печи на предварительный режим→ Установка временных режимов и режимов подачи газов→ загрузка пл-н в кварцевую кассету→ Откачка камеры (2Мпа) → Запуск программатора → Включение автозагрузчика→загрузка пл-н с опред скоростью(продувка реактора азотом) → Включение нагревателя(до 900гр)→Подача в камеру инертных газов (впрыскивание в реактор деиониз воды) → Получение толстого слоя SiО₂=2 мкм→Отключение газов → Отключение нагревателя, сброс t→ Выгрузка→ Контроль (дефектов не больше 1)→Конец.

№80.Разработка ТП диф-ии бора(B) из ТПИ методом открытой трубы. Проводят в 2 стадии т.к диф-я при легировании бором связана с тем что треб. Получить распределение со сравнительно невысокой поверхностной концентрацией, что не всегда возможно с помощью одностадийной диф-ии.Процесс:Загр.пл-н в высокотемпер. зону,а ТПИ в низкотемпер. зону→подъём темпер.→напуск газоносителя, кот.вытесняет воздух из реактора и проходя через зону источника примеси,захватывает испаряющееся атомы примеси и переносит их в кл-м→атомы адсорбируются на поверхн. пл-н и диффундируют вглубь→сниж темп. →продувка→выгр. пл-н.ф

№81.Разработка ТП получения НТФСС на установке Изотрон 2М Начало→подготовка к работе газовых и вак. Систем → Выбор программы процесса и програмировария на программаторе с помощью коммутации штырей → вывод на t режим→(t=40C t=500С) →загрузка контрольных пластин→(4шт) →продувка реактора →(V(N2)=300л) →откачка реактора(t=1мин, Р=10Па) → проверка натекания →(меньше Па/с) →откачка(Р=6,6Па) →запуск программы→откачка→(Р=6,6Па) →выдержка→(t=30 мин) → подача реакционных газов→(SiHCL3+O2+PH3→SiO2(НТФССd=0,3мкм)) →продувка N2→ (V(N2)=300л) →выгрузка→контроль→(вид, толщина, пористость, Rсветящихся точек) →конец

№82.Разработка ТП на установке оратория 9. начало→ загрузка пластин на подложкодержатель → (25 штук) →откачка раб. Камеры форвак. Насосом через байпасную линию→(Р=100Па) →Загрузка ловушек между затворами и высоковак. насосом→Откачко высоковак. Насосом раб.камеры→(Р=6,65 * Па) →открытие высоковак. затвора→ Откачка форвак. Насосом до высокого вак. →(t=5мин) →Включение вращения подложкодержателя и нагрева→(нагрев 15-30мин,t=300С) →Отключение нагрева→подача выс U на эл. пушку. →(I эмиссии = 1,2А,I коррекции = 05-0,7 А) →Напыление на заслонку →(Мо 0,1 мкм t=1мин) →Открываем заслонку и напыляем на пластины→(Мо 0,1 мкм) →Закрываем заслонку→(Iэмисии=0, отключаем высокое, охлаждение 50С напуск азота для разгерметизации,) → выгружаем пластины, отключаем подложкодержатель→ конец

№83.Разработка мероприятий по снижению брака в блоке 2-х уровневой металлизации. Подобрать Ме, выбрать оборудование, диэлектрик, выбр способ травления, снизить зарядовые состояния, соблюдать концентрацию примесей, обеспечить, чтобы слои не взаимодействовали с прилегающими слоями, снизить диэлектр потери, добавлять в Al титан – для уменьшения размера зерна, или медь – для снижения электромиграции, следить за кач-вом пассевации.

№84.Разработка ТП получения ПКК на установке Изотрон 4-150. Начало→подготовка к работе газовых и вак. Систем → Выбор программы процесса и программирования на программаторе с помощью коммутации штырей → вывод на t режим→(t=400C t=500С) →загрузка контрольных пластин→(4шт) →продувка реактора →(V(N2)=300л) →откачка реактора(t=1мин, Р=10Па) → проверка натекания →(меньше Па/с) →откачка(Р=6,6Па) →запуск прграммы→откачка→(Р=6,6Па) →выдержка→(t=30 мин) → подача реакционных газов→(SiH4) →продувка N2→ (V(N2)=300л) →выгрузка→контроль→(вид, толщина, пористость, замер зерна) →конец

№85.Разработка ТП на установке 08 ПХО-100Е-004. Начало →Загрузка пластин на анод →(14шт) →Откачка рабочей камеры →(Рост Па) →проверка натекания →(1* Па/с) →подача раб. газа →V(CHF3)=30л р=150Па) → включение ВЧ генератора → (f=13,56 МГц Рвых=600Вт) →Согласование ВЧ генератора с нагр. →(Рпод:Ротр=10:1, 550:55Вт)→ травление SiO2 →(t=10мин d=0,3мкм) →продувка N2 →(V(N2)=30л, t=10мин) →выгрузка пластин→конец

№86.Разработка методики снижения дефектов упаковки и дислокаций при эпитаксиальном наращивании. Необх тщательно обраб пл-н эпитаксии (резка,шлифовка,полировка), кремний должен быть выс кач-ва, не должно быть ничего,,хим обработка, оптимизировать загрузку, хим обработка в Н2, режимы в водороде, темп-ые режимы

Поиск по сайту: