 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Маломощный транзистор S8050 (n-p-n)
Рис. 8. Чертёж корпуса.
S8050(D) — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n–проводимости.
Таблица 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора S8050
| Номер технических условий | ЖКЗ.365.200 ТУ/02 |
| Максимальное напряжение К-Б при заданном обратном токе и разомкнутой цепи Э (Uкбо макс), В | |
| Максимальное напряжение К-Э при заданном токе К и заданном сопротивлении в цепи Б-Э (Uкэr макс), В | |
| Максимально допустимый ток К (Iк макс), А | 1,5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность К (Pк), Вт | |
| Температура перехода (Tj), °C |
Была снята входная характеристика Iб = f(Uбэ).
Рис.9. Входные характеристики транзистора S8050
Рис.10. Выходные характеристики транзистора S8050
Если проведем прямые через линейные участки характеристик до пересечения с осью Uкэ, то графически получим значение напряжения Эрли, равное: Uэрли = - 30,5 B
Рис.11. Выходные характеристики транзистора
Теперь напряжение Эрли определим теоретически, по формуле:
| Uкэ1, В | |
| Uкэ2, В | 1,5 |
| Iк1, мА | 0,45 |
| Iк2, мА | 0,457 |
получим: UЭрли = - 31,4B
Далее построены графики прямых передаточных характеристик Iк=f(Iб) и В=f(Iк), где В= Iк/Iб – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, рассчитанные по выходным характеристикам, снимались при постоянной разности потенциалов коллектор эмиттер, Uкэ = 1 В.
Рис.12. Передаточная характеристика
Рис.13. Зависимость B от тока коллектора
Для определения коэффициентов неидеальности и токов насыщения транзистора и диода Б-Э, были построены в полулогарифмическом масштабе графики 
. I0=1A
Входная характеристика в полулогарифмическом масштабе
Рис.14. Зависимость тока базы от напряжения Б-Э
Рис.15. Зависимость тока коллектора от напряжения Б-Э
Графически определим ток насыщения диода база-эмиттер и ток насыщения транзистора. Для чего продлим кривые до пересечения осью ln(Ik),ln(Ib).
Найдём коэффициент неидеальности и ток насыщения эмиттерного перехода:
.
..
Проверим полученные результаты в 2 точках с помощью модели Эберса-Молла
Найдем коэффициент неидеальности и ток насыщения коллектора транзистора:
1,09
Найдем последовательное сопротивление базы и коллектора по прямым характеристикам их p-n переходов:
Таблица 5. Параметры модели для биполярного транзистора n-p-n типа
| Параметры модели для биполярного транзистора n-p-n (p-n-p) типа | Значение параметра |
| Ток насыщения диода Б-Э, А | 
|
| Коэффициент неидеальности диода Б-Э | 
|
Ток насыщения коллектора транзистора  (для модели Эберса-Молла), А
|
|
Коэффициент неидеальности транзистора  (для модели Эберса-Молла)
| 1,09 |
| Напряжение Эрли (для модели Гуммеля-Пуна), В | -31,4 |
| Ток коллектора, при котором на ступает спад h21э | - |
| Последовательное сопротивление базы, Ом | 0,85 |
| Последовательное сопротивление коллектора, Ом |
Поиск по сайту: