Высокочастотные схемы замещения транзистора

Заменяем транзистор эквивалентом четырехполюсника. Уравнения этого четырехполюсника в системе y-параметров, как известно из ТОЭ и ЭП имеют вид:

, где

– комплексная проводимость при (короткое замыкание по переменному току в коллекторной цепи транзистора).

– комплексная выходная проводимость транзистора при (короткое замыкание по переменному току в базовой цепи транзистора).

– комплексная прямая проводимость транзистора при .

– комплексная обратная проводимость транзистора при .

Уравнениям 1 и 2 соответствует эквивалентная схема транзистора с двумя генераторами тока.

РИС

В ограниченном диапазоне частот y-параметры транзистора можно представить в следующем виде:

; ; ; , где

– активная входная проводимость транзистора в схеме с общим эмиттером при .

– входная емкость транзистора при .

– активная выходная проводимость транзистора в схеме с общим эмиттером при .

– выходная емкость транзистора при .

и – активная обратная проводимость транзистора и его проходная емкость при .

S – низкочастотная крутизна транзистора.

– частота среза транзистора по крутизне.

; – постоянная времени транзистора по крутизне.

Чем больше постоянная времени транзистора по крутизне, тем больше инерционность транзистора.

– частота единичного усиления транзистора, указывается в его справочных данных.

Обычно проводимость мала и ею пренебрегают.

В резонансных усилителях (в УРЧ и УПЧ) применяют транзисторы с малой проходной емкостью и в случае необходимости принимают меры по обеспечению устойчивой работы усилителя. Это позволяет упростить схему 1, исключив из нее первый генератор тока. С учетом этого получаем схему замещения 2.

РИС

Поиск по сайту: