|
|||||||||||||||||
|
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Полевой транзистор IRFZ44N
Рис. 24. Чертёж корпуса. Кремниевый диффузионно-планарный транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.
Таблица 8. Технические характеристики полевого транзистора IRFZ44N
Рис.25. Выходная характеристика IRFZ44N Строя график зависимости Ic=f(Uзи) при Ucи=5В, мы получаем кривую передаточной характеристики. Данная кривая пересекает ось напряжений затвор-исток в некоторой точке, которая и будет являться напряжением отсечки.
Рис. 26. Передаточная ВАХ транзистора. Определение напряжения отсечки
Рис. 27. Передаточная ВАХ транзистора I^(1/2)=f(Uзи). Определение напряжения отсечки
Построив линию тренда найдём значение напряжения отсечки
Используя выходные характеристики транзистора, определим коэффициент пропорциональности β, параметр модуляции длины канала λ. Рассчитаем параметры модели по выходным характеристикам. Запишем систему уравнений:
Поделим первое уравнение на второе:
Полученное напряжение отсечки согласуется с измеренным экспериментально Разделим (3) на (4) уравнения системы и выразим
Теперь найдём
Полученное напряжение отсечки согласуется с измеренным экспериментально
Таблица 9. Параметры статической математической модели полевого транзистора
ВЫВОДЫ В ходе данной курсовой работы были освоены методы и приёмы измерения статических характеристик и идентификации по ним статических параметров. Были сняты основные характеристики диода 6А10, биполярных транзисторов 2SC2570, КТ626А и полевого транзистора IRF740, из которых определили основные параметры структурно-физических математических моделей диода, биполярных и полевого транзисторов. Все расчеты, необходимые для выполнения курсовой работы производились в математическом пакете MathCAD 14.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Головатый Ю.П. Курс лекций по предмету «Твердотельная электроника». – Калуга, 2011 2. Зайончковский В.С., Головатый Ю.П. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». – Калуга, 2010 3. Электронный справочник радиолюбителя
Поиск по сайту: |
||||||||||||||||
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.09 сек.) |