|
|||||||||||||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Полевой транзистор IRFZ44N
Рис. 24. Чертёж корпуса. Кремниевый диффузионно-планарный транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.
Таблица 8. Технические характеристики полевого транзистора IRFZ44N
Рис.25. Выходная характеристика IRFZ44N Строя график зависимости Ic=f(Uзи) при Ucи=5В, мы получаем кривую передаточной характеристики. Данная кривая пересекает ось напряжений затвор-исток в некоторой точке, которая и будет являться напряжением отсечки. Рис. 26. Передаточная ВАХ транзистора. Определение напряжения отсечки Рис. 27. Передаточная ВАХ транзистора I^(1/2)=f(Uзи). Определение напряжения отсечки
Построив линию тренда найдём значение напряжения отсечки . (3.64В) Используя выходные характеристики транзистора, определим коэффициент пропорциональности β, параметр модуляции длины канала λ. Рассчитаем параметры модели по выходным характеристикам. Запишем систему уравнений: (1) (2) (3) (4) Поделим первое уравнение на второе:
Полученное напряжение отсечки согласуется с измеренным экспериментально Разделим (3) на (4) уравнения системы и выразим :
Теперь найдём : Полученное напряжение отсечки согласуется с измеренным экспериментально
Таблица 9. Параметры статической математической модели полевого транзистора
ВЫВОДЫ В ходе данной курсовой работы были освоены методы и приёмы измерения статических характеристик и идентификации по ним статических параметров. Были сняты основные характеристики диода 6А10, биполярных транзисторов 2SC2570, КТ626А и полевого транзистора IRF740, из которых определили основные параметры структурно-физических математических моделей диода, биполярных и полевого транзисторов. Все расчеты, необходимые для выполнения курсовой работы производились в математическом пакете MathCAD 14.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Головатый Ю.П. Курс лекций по предмету «Твердотельная электроника». – Калуга, 2011 2. Зайончковский В.С., Головатый Ю.П. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». – Калуга, 2010 3. Электронный справочник радиолюбителя
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.006 сек.) |