АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Читайте также:
  1. Алгоритм расчета и условия выплаты премии начальникАМ управлений по розничному бизнесу, советникАМ/заместителЯМ управляющих по розничному бизнесу и территориальным управляющим
  2. Биполярные транзисторы
  3. Биполярные транзисторы
  4. Полевые методы определения свойств грунтов.
  5. Полевые работы
  6. Полевые работы
  7. Полевые работы при нивелировании
  8. Полевые работы.
  9. Полевые шины РСУ
  10. Полевые электроразведочные работы методом ВП-СГ
  11. Полевые электроразведочные работы методом ТЗ-ВП

Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n - переходом, смещенным в обратном направлении. Полевые транзисторы удовлетворительно описываются четырёхпараметрической моделью Шихмана-Ходжеса, устанавливающей связь выходного стокового тока транзистора с напряжениями затвор-исток и сток-исток .

Вольтамперная характеристика полевого транзистора состоит из двух участков, соответствующих двум режимам работы транзистора[2]:

(5)

(6)

Первый участок и соответствующий ему режим называется т риодным, второй участок и соответствующий режим называется участком (режимом) насыщения или пологим участком. Параметрами модели являются . Теория предсказывает что , но в реальных транзисторах n может быть отличным от 2. Параметр есть пороговое напряжение для транзисторов с индуцированным каналом или напряжение отсечки для транзисторов с нормально открытым каналом. Параметр совместно с параметром определяет выходное сопротивление транзистора в режиме насыщения.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.302 сек.)