АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Порядок розрахунку

Читайте также:
  1. II. ПОРЯДОК И МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКЗАМЕНА
  2. IV. Порядок представления работ на Конкурс
  3. V. ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ СОРЕВНОВАНИЯ
  4. VII. Порядок проведения предполетного досмотра
  5. XII. Порядок учета и отчетность работы групп досмотра
  6. Алгоритм розрахунку
  7. Банківські об'єднання: порядок створення та їх типи
  8. Бюджет продаж. Назначение и порядок разработки.
  9. Венская конвенция о праве международных договоров 1969 г.: сфера применения, порядок заключения и вступления в силу договоров; применения договоров.
  10. ВИМОГИ ДО ОФОРМЛЕННЯ, ПОРЯДОК ЗАХИСТУ ТА КРИТЕРІЇ ОЦІННЮВАННЯ КУРСОВОЇ РОБОТИ
  11. Випадки та порядок повідомлення про підозру.
  12. Вихідні дані для розрахунку змін щодо удосконалення чинного економічного стану підприємства

1. Перевіримо правильність попереднього вибору тран­зистора:

1) допустима напруга між колектором та емітером повинна пере­вищувати напругу джерела живлення

 

За результатами попереднього розрахунку було обрано у якості підси­люючого елемента транзистор типу КТЗ15. За даними табл. 11.2.2 зна­ходимо, що заданим вимогам відповідає транзистор КТ315Г, у якого UK max = 35 В, ІК тах = 100 мА, h21Е = 50...350, РК тах = 150 мВт.

11.3.6.3.2. Знаходимо напругу між колектором та емітером транзис­тора у режимі спокою



 



де Uост - напруга між колектором та емітером, нижче якої при роботі кас­каду виникають значні нелінійні викривлення через те, що у робочу зону потрапляють ділянки характеристик транзистора зі значною кривизною. Для малопотужних транзисторів як правило задають Uост = =1В. Тоді

 

 


 


3. Знаходимо потужність, що виділяється на колекторі тран­зистора:

При цьому необхідно забезпечувати виконання умови:

Таким чином, вибраний тип транзистора відповідає вимогам за по­тужністю.

11.3.6.3.4. Знаходимо опір навантаження у колі колектора. Виходячи з (11.3.4), маємо

Потужність, що розсіюється в резисторі:

Отже

За табл. 11.3.2 - 11.3.4 вибираємо резистор типу С2-33 потужністю 0,25 Вт з опором 1200 Ом.

 

5. Знаходимо опір резистора R4 у ланцюгу термостабілізації:

При цьому необхідно виконувати співвідношення:



 


що забезпечує незначне зниження динамічного діапазону каскаду і падіння напруги на R4, яке перевищує значення контактного потенціалу р-п переходу транзистора (для забезпечення умов температурної ста­білізації режиму спокою каскаду). Отже:

Останнє відповідає умові (11.3.10). Потужність, що розсіюється в R4

За табл. 11.3.2-11.3.4 вибираємо резистор типу С2-3 3 потужністю 0,25 Вт з опором 360 Ом.

6. Знаходимо ємність конденсатора С3, що шунтує R4 за умови, що його опір на частоті fн повинен бути у 10 разів меншим за опір резистора R4:

де множник 106 дозволяє отримувати значення ємності у мікрофарадах.




 


За табл. 11.3.2, 11.3.3, та 11.3.5 вибираємо конденсатор типу К50-35 ємністю 100 мкФ на напругу 6,3 В.

7. Знаходимо величину струму спокою бази транзистора

8. Оскільки у відкритому стані транзистора напруга між його базою та емітером становить близько 0,6 В, то напруга спокою бази

і можна знайти орієнтовне значення вхідного опору транзистора

.9. Знаходимо величини опорів резисторів дільника R1 R2 Дільник підімкнено до напруги.



 


Величина струму в дільнику вибирається в межах



 


що забезпечує незалежність задання режиму спокою транзистора при зміні його параметрів під впливом температури, при заміні на інший і т.п.



 


Падіння напруги на резисторі R4 складає

Тоді

 


 

Отже,



 

 


За табл. 11.3.2 - 11.3.4 вибираємо R1=15 кОм; R2 =4,3 кОм.

Знаходимо потужність, що виділяється в резисторах R1 і R2:

 

 

З табл. 11.3.2 - 11.3.4 вибираємо резистори типу С2-33 потужністю 0,125 Вт.

10. Знаходимо ємність конденсатора С2 за умови забезпе­чення допустимого значення коефіцієнта частотних викривлень М:

значення якої отримується в мікрофарадах. Робочу напругу С2 приймаємо рівною

Тоді

За табл. 11.3.2, 11.3.3, та 11.3.5 вибираємо конденсатор типу К73-17 ємністю 0,68 мкФ на напругу 250 В.

 

11. Знаходимо амплітудні значення струму й напруги на вході каскаду:

 


 

 

де h21Еmin - мінімальне значення коефіцієнта передачі струму в схемі з СЕ для обраного транзистора.

 


Необхідна потужність вхідного сигналу

12. Знаходимо розрахункові коефіцієнти підсилення каскаду за струмом, напругою та потужністю:

Раніше було прийнято значення коефіцієнта підсилення за потужніс­тю 20 дБ, отже каскад розраховано вірно.

Більш того, навіть за мінімального значення коефіцієнта підсилення транзистора h2]Еmjn = 50 маємо запас за підсиленням. Діапазон можли­вих значень коефіцієнта підсилення у транзисторів досить широкий: для КТЗ15Г він складає h21E = 50...350. Отже основний параметр може перевищувати своє мінімальне значення у сім разів!

На перший погляд це може здатися суттєвим недоліком, бо резуль­тати розрахунків, що ми отримали, виявилися досить приблизними. Але Ви знаєте про застосування в підсилювачах від'єм­ного зворотнього зв'язку, введення якого у цьому випадку зможе стабі­лізувати значення коефіцієнта підсилення, а також покращити інші пара­метри пристрою.

13. Електричну принципову схему розрахованого каскаду підсилення з СЕ наведено на рис. 11.3.1.

 

 


1 | 2 | 3 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.006 сек.)