Авто Автоматизация Архитектура Астрономия Аудит Биология Бухгалтерия Военное дело Генетика География Геология Государство Дом Другое Журналистика и СМИ Изобретательство Иностранные языки Информатика Искусство История Компьютеры Кулинария Культура Лексикология Литература Логика Маркетинг Математика Машиностроение Медицина Менеджмент Металлы и Сварка Механика Музыка Население Образование Охрана безопасности жизни Охрана Труда Педагогика Политика Право Приборостроение Программирование Производство Промышленность Психология Радио Регилия Связь Социология Спорт Стандартизация Строительство Технологии Торговля Туризм Физика Физиология Философия Финансы Химия Хозяйство Ценнообразование Черчение Экология Эконометрика Экономика Электроника Юриспунденкция

КОМПЛЕКТ ТЕСТОВ

Читайте также:

текущей аттестации

по дисциплине

«ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ»

Специальность подготовки:

210601 Радиоэлектронные системы и устройства

Форма обучения очная

Тула – 2012

1. Цели и задачи микроэлектроники

- создание микроминиатюрной аппаратуры

- создание микроминиатюрной аппаратуры с высокой надежностью и воспроизводимостью

- создание микроминиатюрной аппаратуры с высокой надежностью и воспроизводимостью, низким энергопотреблением и высокой функциональной сложностью

2. Сущность понятия «интегральная микросхема»

- совокупность элементов и компонентов, выполненные по интегральной технологии, называют интегральными микросхемами

- функциональные узлы, выполненные по интегральной технологии, называют интегральными микросхемами

- электронное изделие, выполненное по интегральной технологии, называют интегральными микросхемами

3. Основные преимущества интегральных микросхем по сравнению с аналогичными схемами на дискретных компонентах

- малые габариты, малая масса, высокая надёжность, повышенная механическая прочность

- малые габариты, малая масса, высокая надёжность, повышенная механическая прочность, большая рассеиваемая мощность

- малые габариты, малая масса, высокая надёжность, высокая рабочая частота

4. Сущность понятия «элемент интегральной микросхемы»

- часть интегральной схемы, которая не может быть выделена как самостоятельное изделие

- часть интегральной схемы, реализующая функцию преобразования информации, которая не может быть выделена как самостоятельное изделие

- часть интегральной схемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая не может быть выделена как самостоятельное изделие

5. Сущность понятия «компонент интегральной микросхемы»

- часть интегральной схемы, реализующая функцию какого-либо радиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие

- часть интегральной схемы, которая может быть выделена как самостоятельное изделие

6. Сущность понятия «корпус интегральной микросхемы»

- часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий

- часть интегральной схемы, которая может быть выделена как самостоятельное изделие

- конструктивная основа ИС, на которой располагаются все элементы и компоненты ИС

7. Сущность понятия «подложка интегральной микросхемы»

- часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий

- конструктивная основа ИС, на которой располагаются все элементы и компоненты ИС

- заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок

8. Сущность понятия «плата интегральной микросхемы»

- часть подложки (или вся подложка), на поверхности которой выполнены пленочные элементы, контактные площадки и линии соединений элементов и компонентов

- конструктивная основа ИС, на которой располагаются все элементы и компоненты ИС

9. Сущность понятия «полупроводниковая пластина»

- заготовка, используемая для создания ИС (иногда с выполненными на ней элементами)

10. Сущность понятия «кристалл ИС»

- заготовка, используемая для создания ИС (иногда с выполненными на ней элементами)

- часть пластины, полученная после ее резки, когда на одной пластине выполнено несколько функциональных устройств

11. Сущность понятия «контактная площадка»

- металлизированные участки на кристалле

- металлизированные участки на кристалле, предназначенные для присоединения к выводам корпуса ИС

- выводы корпуса ИС

12. Сущность понятия «бескорпусная ИМС»

- ИС, содержащая кристалл и выводы (применяется для создания микросборок)

- ИС, содержащая кристалл и выводы

- ИС, содержащая кристалл и выводы, подсоединённые к внешним выводам корпуса

13. Сущность понятия степень интеграции ИС

- Критерий сложности ИС, т.е. число N содержащихся в ней элементов и простых компонентов

- Критерий сложности ИС, т.е. числа N содержащихся в ней элементов и простых компонентов, определяется коэффициентом k = lgN, значение которого округляется до ближайшего целого числа

- Критерий сложности ИС, т.е. числа N содержащихся в ней элементов и простых компонентов, определяется коэффициентом k =10 lgN, значение которого округляется до ближайшего целого числа

14. Сущность понятия «плотность упаковки элементов на кристалле»

- число элементов ИС

- число элементов, приходящихся на единицу объёма

- число элементов, приходящихся на единицу площади

15. Основные особенности полупроводниковых ИС

- все элементы представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическое основание (пассивную подложку)

- все элементы и межэлементные соединения изготовлены в объеме и на поверхности полупроводника

- на диэлектрической подложке изготовляются пленочные пассивные элементы (резисторы, конденсаторы) и устанавливаются навесные активные и пассивные компоненты

16. Основные особенности плёночных ИС

- все элементы представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическое основание (пассивную подложку)

- все элементы и межэлементные соединения изготовлены в объеме и на поверхности полупроводника

17. Основные особенности совмещённых ИС

- все элементы представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическое основание (пассивную подложку)

- транзисторы изготавливаются в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды - как и проводники на изолирующем слое двуокиси кремния

18. Основные особенности гибридных ИС

- все элементы представляют собой пленки, нанесенные на диэлектрическое основание (пассивную подложку)

- все элементы и межэлементные соединения изготовлены в объеме и на поверхности полупроводника

19. Чем объясняется использование принципа схемотехнической избыточности в ИС?

- малой площадью, занимаемой одним элементом на кристалле

- технологичностью транзисторов одного типа и нежелательностью применения различных электронных приборов в одной микросхеме

- технологическим удобством формирования большого числа элементов в кристалле

20. Классификация ИМС конструктивно-технологическим признакам

- полупроводниковые, плёночные, гибридные, совмещённые

- аналоговые, цифровые, аналого-цифровые, цифро-аналоговые

- аналоговые, цифровые, микропроцессоры, базовые матричные кристаллы, ПЛИС

21. Материалы полупроводниковых ИС

- кремний, арсенид галлия, германий, ситалл

- кремний, арсенид галлия

- ситалл, поликор, стекло, кремний

22. Разновидности диффузионных резисторов ИС

- диффузионные, ионно-легированные

- диффузионные, пинч-резисторы, ионно-легированные

- диффузионные на основе базовой области, диффузионные на основе эмиттерной области

23. Объёмное сопротивление базовой области

- 2…15 Ом/кв

- 100…300 Ом/кв

- 1000…5000 Ом/кв

24. Объёмное сопротивление коллекторной области

- 2…15 Ом/кв

- 100…300 Ом/кв

- 1000…5000 Ом/кв

25. Объёмное сопротивление эмиттерной области

- 2…15 Ом/кв

- 100…300 Ом/кв

- 1000…5000 Ом/кв

26. Особенности пинч-резисторов

- создаются на основе нижней слаболегированной области эмиттерного слоя с большим удельным сопротивлением, имеющей меньшую площадь сечения

- создаются на основе нижней слаболегированной области базового слоя с большим удельным сопротивлением, имеющей меньшую площадь сечения

- создаются на основе нижней слаболегированной области коллекторного слоя с большим удельным сопротивлением, имеющей меньшую площадь сечения

27. Особенности ионно-легированных резисторов

- позволяет реализовать малую концентрацию примеси, т. е. высокое удельное сопротивление и достаточно высокую точность

- позволяет реализовать малую концентрацию примеси, т. е. высокое удельное сопротивление

28. Разновидности конденсаторов полупроводниковых ИС

- диффузионные, МДП, плёночные

- трёхслойные, торцевые, диффузионные

- диффузионные, МДП

29. Конструкция диффузионного конденсатора

- любой обратно смещённый p –n –переход: коллектор – подложка, база – коллектор, эмиттер – база, скрытый n+-слой – изолирующая p+ -область

- обратно смещённый p –n –переход коллектор – подложка

- p –n –переход: коллектор – подложка, база – коллектор, эмиттер – база, скрытый n+-слой – изолирующая p+ -область

30. Конструкция МДП – конденсатора

- верхней обкладкой является n+-слой, а нижней – пленка алюминия. Диэлектриком служат тонкие слои SiO₂ или Si₃N₄

- Нижней обкладкой является n+-слой, а верхней – пленка алюминия. Диэлектриком служат тонкие слои SiO₂ или Si₃N₄

- Нижней обкладкой является n+-слой, а верхней – пленка алюминия. Диэлектриком служат тонкие слои поликристаллического Si

31. Методы изоляции элементов в полупроводниковых ИС

- p –n переходом, диэлектриком

- p –n переходом, диэлектриком, комбинированная, воздушная

- p –n переходом, диэлектриком, комбинированная

32. Достоинства изоляции p-n переходом

- малые токи утечки, малая ёмкость зоны изоляции

- простота технологии, низкая стоимость

- отсутствие механической обработки

33. Недостатки изоляции p-n переходом

- возрастание токов утечки при повышении температуры, большая ёмкость

- необходимость точной механической обработки

- сложность технологии, высокая стоимость

34. Разновидности изоляции p-n переходом

- изоляция p–n–переходом, коллекторная изоляция

- изоляция V-образными канавками

- изоляция скрытым слоем

35. Достоинства диэлектрической изоляции

- Диэлектрическая изоляция позволяет на несколько порядков уменьшить размеры зоны изоляции

- Диэлектрическая изоляция позволяет на несколько порядков снизить токи утечки и на порядок удельную емкость по сравнению с p–n–переходом

- Диэлектрическая изоляция позволяет на несколько порядков снизить токи утечки

36. Недостатки диэлектрической изоляции

- возрастание токов утечки при повышении температуры, большая ёмкость

- необходимость точной механической обработки

- сложность технологии, высокая стоимость

37. Достоинства комбинированной изоляции

- относительная простота технологии, малые токи утечки, небольшая ёмкость

- относительная простота технологии, малые токи утечки, небольшая ёмкость

- позволяет на несколько порядков уменьшить размеры зоны изоляции

38. Разновидности комбинированной изоляции

- коллекторная диффузия, базовая диффузия

- коллекторная диффузия, базовая диффузия, кремний на сапфире

- изоляция диэлектрическими пленками, изоляция p–n–переходом и V-образными канавками

39. Материалы тонкоплёночных резисторов:

- алюминий, хром, нихром, тантал

- хром, нихром, кермет, резистивные сплавы

- хром, нихром, кермет

40. Основные разновидности тонкоплёночных резисторов

- полосковые, типа «меандр», «пинч» - резисторы

- полосковые, типа «меандр»

- полосковые, типа «меандр», «пинч» - резисторы, диффузионные

41. Основные разновидности толстоплёночных резисторов

- полосковые

- полосковые, типа «меандр»

- полосковые, типа «меандр», «пинч» - резисторы, диффузионные

42. Основные разновидности тонкоплёночных конденсаторов

- двухслойные, трёхслойные, торцевые

- трёхслойные, торцевые

- однослойные, двухслойные, трёхслойные, торцевые

43. Основные разновидности толстоплёночных конденсаторов

- двухслойные, трёхслойные, торцевые

- трёхслойные

- однослойные, двухслойные, трёхслойные, торцевые

44. Материалы подложек тонкоплёночных ГИС

- кремний, арсенид галлия, германий

- ситалл, стекло, керамика, поликор

- ситалл, стекло, керамика, поликор, арсенид галлия

45. Материалы подложек толстоплёночных ГИС

- керамика, арсенид галлия, германий

- керамика

- ситалл, стекло, керамика, поликор

46. Основной элемент ИС на биполярных транзисторах

- планарно-эпитаксиальный транзистор n-p-n типа

- планарно-эпитаксиальный транзистор p-n- p типа

- планарно-эпитаксиальный транзистор Шотки n-p-n типа

47. Назначение скрытого n+- слоя

- снижение мощности рассеяния биполярного транзистора

- предотвращение снижения быстродействия и увеличение напряжения Uкэ в режиме насыщения

- снижение напряжения Uкэ в режиме насыщения

48. Конструкции интегральных диодов полупроводниковых ИС

- создаются на основе перехода коллектор-эмиттер транзистора n-p-n типа

- создаются на основе перехода база-эмиттер планарно-эпитаксиального транзистора n-p-n типа

- создаются на основе структуры интегрального планарно-эпитаксиального транзистора n-p-n типа

49. Все операции изготовления БИС можно разделить на следующие большие группы

- проектирование, опытное производство, отработка технологии, серийный выпуск

- изготовление кристалла (чипа), монтаж кристалла в корпус и контроль параметров готовой ИС

- изготовление кристалла, диффузия, эпитаксия, фотолитография, сборка

50. Основные операции фотолитографического процесса

- нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование, проявление, травление

- нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование, проявление, дубление, травление

- нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование, проявление, дубление, травление слоя окисла кремния

51. Основные операции сборки и корпусирования ИС

- разделение пластины на кристаллы, контроль структур, установка в корпус, подсоединение к внешним выводам, герметизация, контроль и тенировка

- разделение пластины на кристаллы, подсоединение к внешним выводам, герметизация

- разделение пластины на кристаллы, контроль структур, установка в корпус, подсоединение к внешним выводам, герметизация

52. Каким методом производится разделение пластины на кристаллы?

- скрайбирование алмазным резцом

- скрайбирование алмазным резцом, резка алмазным кругом, лазерная резка

- скрайбирование алмазным резцом, резка алмазным кругом

53. Какой порядок имеет плотность дефектов (1/мм²) на поверхности БИС в настоящее время

- 1

- 0,01

- 0,0005

54. Каким выражением определяется среднее число дефектов z на одной ИС (A_s – площадь кристалла, d - плотность дефектов, B – коэффициент поражаемости)

- ***

55. Достоинства КМОП элементов ИС

- малая потребляемая мощность, минимальные тепловыделения,

- малая потребляемая мощность, минимальные тепловыделения, максимальное быстродействие, минимальные габариты

- малая потребляемая мощность, минимальные тепловыделения, максимальный выход годных структур

56. Каким образом предотвращают эффект «защёлкивания» КМОП

- выполняют двухслойные схемы КМДП

- делают n+ охранное кольцо вокруг кармана, выполняют двухслойные схемы КМДП

- делают n+ охранное кольцо вокруг кармана, выполняют двухслойные схемы КМДП, используют схему защиты

57. Почему длина канала традиционного МДПТ не может быть меньше 1 мкм

- невозможно технологически выполнение

- длина канала должна быть больше размеров истока и стока МДП

- длина канала должна быть больше толщины обеднённых изолирующих слоёв (иначе происходит смыкание слоев)

58. В чём заключается проекционная фотолитография

- создание контактного фотошаблона с помощью проекционной оптической системы

- экспонирование фоторезиста с помощью проекционной оптической системы через фотошаблон большого размера

- экспонирование фоторезиста с помощью проекционной оптической системы

59. В чём заключается электронная литография

- формирование полупроводниковой структуры в кристалле облучением кремния ускоренным потоком электронов высокой энергии

- экспонирование электронорезиста с помощью сфокусированного электронного луча малых размеров

- формирование оригинала фотошаблона методом электронной обработки поверхности плёнки маскирующего материала

60. Для каких целей используется электронная литография:

- изготовление прецизионных контактных фотошаблонов с маскирующим слоем металла на поверхности

- изготовление структур полупроводниковых ИС

- изготовление структур гибридных ИС

61. Проблемы, возникающие при проекционной ФЛ

- высокая стоимость оборудования

- аберрации оптической системы, необходимость жёсткости конструкции, устранение вибраций

- высокие напряжения, приводящие к возникновению рентгеновского излучения

62. Проблемы, возникающие при электронной литографии

- высокая стоимость оборудования

- рассеяние электронов в электронном резисте, сложность фокусировки пучка при больших ускоряющих напряжениях

- высокие напряжения, приводящие к возникновению рентгеновского излучения

63. Проблемы, возникающие при ионно-лучевой литографии

- высокая стоимость оборудования, аберрации оптической системы, необходимость жёсткости конструкции, устранение вибраций

- рассеяние электронов в электронном резисте, сложность фокусировки пучка при больших ускоряющих напряжениях

- создание ионной оптики, управление пучком ионов или создание маски для пучка ионов, получение устойчивых моноэнергетических пучков ионов достаточной интенсивности, высокая стоимость оборудования

64. Недостатки диффузионного легирования

- размывание краёв области легирования из-за диффузии под окисел

- ограниченная точность из-за расплывания диффузионной области

- высокая стоимость технологического оборудования

65. Достоинства диффузионного легирования

- высокая точность

- простота и невысокая стоимость оборудования

- высокая точность и производительность

66. Недостатки ионной имплантации

- размывание краёв области легирования из-за диффузии под окисел

- ограниченная точность из-за расплывания диффузионной области

- высокая стоимость технологического оборудования

67. Достоинства ионной имплантации

- резкие края зоны легирования, можно получить заглубленное легирование

- простота и невысокая стоимость оборудования

- высокая точность и производительность

68. Что называется кластером в наноэлектронике

- кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от сотен до миллионов

- кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от единиц до сотен тысяч, имеющие наноразмеры по трём направлениям

- кластерами называются нанообъекты, состоящие из сравнительно небольшого числа атомов или молекул, от сотен до миллионов, имеющие наноразмеры по трём направлениям

69. Что называется магнитным кластером

- разупорядочивание магнитных моментов отдельных атомов кластера

- выстраивание всех магнитных моментов в различных направлениях по отношению к какой либо оси симметрии кластера

- выстраивание всех магнитных моментов в одном направлении по отношению к какой либо оси симметрии кластера

70. Метод получения малых углеродных кластеров

- для получения кластеров углерода может быть использовано лазерное испарение углеродной подложки в потоке гелия

- для получения кластеров углерода может быть использовано термовакуумное испарение углеродной подложки

- для получения кластеров углерода может быть использовано электронное испарение углеродной подложки в потоке кислорода

71. Что такое фуллерен С

- молекула углерода, похожая на букву С и состоящая из 60 атомов углерода

- молекула углерода, похожая на футбольный мяч и состоящая из 60 атомов углерода

- молекула углерода, похожая на футбольный мяч и состоящая из 81 атома углерода

72. Методы получения углеродных нанотрубок

- термовакуумное осаждение, электронно-лучевое осаждение

- термовакуумное осаждение, электронно-лучевое осаждение, химическое осаждение

- лазерное испарение, углеродная дуга, химическое осаждение

73. Методы синтеза разупорядоченных твёрдотельных структур

- компактирование, быстрое отвердевание, газовая атомизация, гальванический способ

- газовая атомизация, гальванический способ

-, термовакуммное осаждение, компактирование, быстрое отвердевание, газовая атомизация, гальванический способ

74. Механические свойства наноструктурированного материала

- резкое возрастание прочности

- резкое возрастание пластичности

- резкое повышение температуры плавления

75. Определение наноэлектроники

- область современной электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем и устройств на их основе с размерами элементов менее 10 нм

- область современной микроэлектроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных микроэлектронных схем и устройств на их основе с размерами элементов менее 100 нм

76. В чём состоит основная задача наноэлектроники

- в разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы

- в разработке новых микроэлектронных устройств со сверхмалыми размерами, создании методов их получения и объединения в интегральные схемы

- в разработке новых электронных устройств со сверхмалыми размерамиПолная энергия носителей в квантово-размерной пленке складывается из

77. Зависимость плотности электронных состояний от энергии в квантовой пленке имеет вид

- ***

78. Полная энергия носителей в квантово-размерной нити имеет спектр вида

- ***

79. На основе квантовых точек были созданы

- миниатюрные источники света с высоким коэффициентом полезного действия

- миниатюрные источники СВЧ излучения с высоким коэффициентом полезного действия

- миниатюрные транзисторы с высоким коэффициентом полезного действия

80. Фазовая интерференция электронных волн происходит в структурах с размерами порядка

- порядка длины частотной когерентности электрона в данном материале

- порядка длины фазовой когерентности электрона в данном материале

- порядка длины пространственной когерентности электрона в данном материале

81. Сущность квантового эффекта Холла

- на графике зависимости напряжения Холла от магнитного поля появляется спадающий участок

- на графике зависимости напряжения Холла от магнитного поля появляется разрыв

- на графике зависимости напряжения Холла от магнитного поля появляется ряд плоских ступенек

82. Принцип работы интерференционного транзистора

- Ток может течь от истока к стоку либо непосредственно (по коротким траекториям), либо по более длинным путям через волновод. Разность хода (расстояние) между двумя путями прохождения тока может регулироваться с помощью затвора. Электронные волны, если только они не испытывают никаких изменяющих их фазу столкновений, достигая стока по двум разным путям, будут конструктивно интерферировать (складываться) всякий раз, когда разность хода равна целому числу длины волны Ферми. Конструктивная интерференция локализует электроны на выходе согласующего волновода, и проводимость между истоком и стоком увеличивается.

- Ток может течь от истока к стоку либо непосредственно (по коротким траекториям), либо по более длинным путям через волновод. Разность хода (расстояние) между двумя путями прохождения тока может регулироваться с помощью затвора. Электронные волны, достигая стока, будут конструктивно интерферировать (складываться). Конструктивная интерференция локализует электроны на выходе согласующего волновода, и проводимость между истоком и стоком увеличивается.

83. Принцип работы полевых транзисторов на отражённых электронах

- электроны распространяются баллистически между стоком и истоком, кроме случайных столкновений с границами раздела

- изменяя отражение границ раздела с помощью внешнего смещения, можно контролировать ток, текущий между парой контактов, что позволяет строить полевые транзисторы

- полевой транзистор может работать (переключать), находясь между многоканальными выходами и даже многоканальными входами, так как встречные пучки баллистических электронов имеют незначительное взаимодействие

84. Принцип работы полевых транзисторов на преломлённых электронах

85. Что означает термин туннелирование

- перенос частицы через область, ограниченную потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы (или проникновение в эту область)

- перенос носителей заряда через потенциальный барьер с определенного уровня в эмиттирующей области на энергетически эквивалентный ему уровень в квантовом колодце происходит с сохранением энергии и импульса электрона. Такое совпадение уровней приводит к возрастанию туннельного тока

86. Сущность резонансного туннелирования

87. Электронные приборы, использующие одноэлектронное туннелирование образованы

- одной или несколькими квантовыми кластерами, соединенными туннельными переходами - как между собой, так и с подводящими электродами

- одной или несколькими p-n переходами, соединенными туннельными переходами как между собой, так и с подводящими электродами

- одной или несколькими квантовыми точками, соединенными туннельными переходами - как между собой, так и с подводящими электродами

88. Свойства одноэлектронной ловушки

- би- или мультистабильная внутренняя зарядовая память, то есть в пределах определенного диапазона напряжения U, прикладываемого к затвору, ближайший к затвору островок может быть в одном, двух или более устойчивых зарядовых состояниях

89. Принцип работы стандарта постоянного тока

- Принцип его работы основан на стабилизации частоты одноэлектронных колебаний с помощью внешнего высокочастотного источника с характерной частотой. Стабилизация фазы обеспечивает передачу определенного количества электронов за период внешнего высокочастотного сигнала и, таким образом, генерацию постоянного тока, который фундаментально связан с частотой

- Принцип его работы основан на стабилизации фазы одноэлектронных колебаний с помощью внешнего высокочастотного источника с характерной частотой. Стабилизация фазы обеспечивает передачу определенного количества электронов за период внешнего высокочастотного сигнала и, таким образом, генерацию постоянного тока, который фундаментально связан с частотой

90. Принципы работы логических элементов, управляемых напряжением

- один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке

- напряжение, подаваемое на затвор, контролирует ток в цепи исток-сток одноэлектронного транзистора

91. Принципы работы логических элементов, управляемых зарядом

- один бит информации представлен наличием или отсутствием одного электрона в проводящем островке

- напряжение, подаваемое на затвор, контролирует ток в цепи исток-сток одноэлектронного транзистора

92. Преимущества одноэлектронных приборов по сравнению с известными биполярными и полевыми полупроводниковыми транзисторами

- намного меньшие размеры и расширенные функциональные возможности

- намного меньшие размеры, сверхвысокое быстродействие, высокая удельная мощность рассеяния

- намного меньшие размеры

93. Недостатки одноэлектронных приборов по сравнению с известными биполярными и полевыми полупроводниковыми транзисторами

- работоспособность одноэлектронных транзисторов обычно ограничена областью низких температур; одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных переходов; существуют трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка

- работоспособность одноэлектронных транзисторов обычно ограничена областью низких температур; одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных переходов; напряжение исток сток для одноэлектронных транзисторов должно быть меньше, чем амплитуда (размах) напряжения затвора; существуют трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка

- работоспособность одноэлектронных транзисторов обычно ограничена областью низких температур; одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных переходов; напряжение исток сток для одноэлектронных транзисторов должно быть меньше, чем амплитуда (размах) напряжения затвора; существуют трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка; низкие функциональные возможности

94. Резонансно-туннельный диод представляет собой

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных p-n переходов, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных квантовых колодцев, разделенных нанокластерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

- периодическая структура, которая состоит из последовательно расположенных квантовых колодцев, разделенных потенциальными барьерами, с электрическими контактами к двум крайним противоположным областям

95. Вольт-амперная характеристика резонансного туннельного диода

- имеет максимум и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

- имеет максимум и участок с положительным дифференциальным сопротивлением

- имеет минимум и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

96. Резонансно-туннельный транзистор представляет собой

- управляемые затвором в виде барьеров Шоттки или p-n-переходов резонансно-туннельные диоды

97. Целью спинтроники является

- создание элементов электронной обработки информации с использованием в качестве носителей информации спина электрона

- создание элементов электронной обработки информации с использованием в качестве носителей информации как заряда электрона, так и его спина и механического момента

- создание элементов электронной обработки информации с использованием в качестве носителей информации как заряда электрона, так и его спина

98. Сущность эффекта гигантского магнитосопротивления

- значительное изменение сопротивления материалов при помещении их в магнитном поле

- значительное изменение магнитной проницаемости материалов при помещении их в магнитном поле

- значительное изменение диэлектрической проницаемости материалов при помещении их в магнитном поле

99. Сущность спин-зависимого туннелирования

- структура имеет высокое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют одинаковые направления намагниченности; сопротивление структуры значительно уменьшается, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

- структура имеет высокое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют разные направления намагниченности; сопротивление структуры значительно уменьшается, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

- структура имеет низкое сопротивление, когда два ферромагнитных слоя имеют разные направления намагниченности; сопротивление структуры значительно возрастает, когда намагниченности слоев станут однонаправленными во внешнем магнитном поле

100. Сущность эффекта Кондо

- в металлах, содержащих небольшое количество магнитных примесей, таких, как Fe, Co, Ni, сопротивление при очень высоких температурах уменьшается

- в металлах, содержащих небольшое количество магнитных примесей, таких, как Fe, Co, Ni, сопротивление при очень низких температурах увеличивается

101. Назначение и применение спин-вентильной головки

- считывание информации магнитных битов, которые записаны на поверхности дисков или лент в виде по-разному ориентированных магнитных областей (доменов)

- считывание информации, которая записаны на поверхности магнитных дисков или лент

- считывание информации магнитных битов, которые записаны в объёме дисков или лент в виде по-разному ориентированных магнитных областей (доменов)

102. Энергонезависимая память на гигантском магнитосопротивлении

- элементы памяти используют эффект резонансного туннелированы

- элементы памяти используют эффект гигантского магнитосопротивления

- элементы памяти используют эффект Холла

103. Энергонезависимая память на спин-зависимом туннелировании

- сформирована из двух ортогональных в плоскости массивов параллельных ферромагнитных дорожек, разделенных в пространстве тонким изолирующим слоем; каждое пересечение дорожек действует как магнитный туннельный переход

104. Спин-вентильный транзистор

- трехвыводной прибор, базовая область транзистора содержит металлический, многослойный спиновой вентиль между двумя областями кремния n-типа проводимости, действующими как эмиттер и коллектор

- трехвыводной прибор, базовая область транзистора содержит металлический, многослойный вентиль между двумя областями кремния р-типа проводимости, действующими как эмиттер и коллектор

105. Варианты нанолитографии

- оптическая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии

- методы, использующие сканирующие зонды; оптическая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии, нанопечать

- методы, использующие сканирующие зонды, нанопечать

106. Сущность нанопечати

- механическое вдавливание жесткого штампа в полимерную пленку резиста при повышенной температуре

- оптическая, рентгеновская и электронно-лучевая литографии

- методы, использующие сканирующие зонды

107. Сущность самоупорядочения

- процесс адсорбции и специфического расположения молекул в объёме

- процесс специфического расположения молекул на твердой поверхности

- процесс адсорбции и специфического расположения молекул на твердой поверхности

108. Молекулярные блоки для самоупорядочения должны содержать основные функциональные группы

- группу, прикрепляющую их к поверхности и поверхностную функциональную группу

- группу, прикрепляющую их к поверхности, промежуточную группу и поверхностную функциональную группу

- группу, фиксирующую их в объёме, промежуточную группу и поверхностную функциональную группу

109. Что такое технологический маршрут?

- это изготовление полупроводниковых схем.

- это последовательность технологических операций обработки полупроводниковых пластин для изготовления интегральных микросхем.

- это операционная карта обработки полупроводниковых пластин.

110. Основные операции изготовления полупроводниковых чипов

- подготовка пластин, создание топологического рисунка, получение p-n перехода база-коллектор, получение p-n перехода эмиттер-база, контактная металлизация и разделение на чипы.

- подготовка пластин, получение p-n переходов, создание топологического рисунка, контактная металлизация и разделение на чипы.

- подготовка пластин, получение p-n переходов, контактная металлизация, создание топологического рисунка и разделение на чипы.

111. Назовите основные свойства полупроводниковых материалов

- монокристалличность структуры, однородность легирующей примеси, стойкость к атмосферному воздействию, температуростойкость.

- монокристалличность структуры, термостойкость, влагостойкость, бездефектность структуры, малый вес.

- монокристалличность структуры, термостойкость, влагостойкость, малый вес, теплопроводность.

112. Обработка свободным абразивом основана

- на образование в полупроводнике микротрещин и скалывания участков пластины.

- на скалывание частиц полупроводника.

- на истирание поверхности полупроводника.

113. Резка полупроводниковых слитков проводится

- алмазным диском с внутренней режущей кромкой, стальными полотнами.

- стальными полотнами; дисками с алмазной кромкой.

- лазером, стальными полотнами.

114. Преимущество резки алмазным диском с внутренней режущей кромкой

- высокая производительность, 3-4 класс чистоты обработки, разброс по толщине ± 20 мкм, малые отходы.

- производительность, 7-8 класс чистоты поверхности, малый разброс по толщине, малые отходы материала.

- производительность, 7-8 класс чистоты, малые отходы, малые коробления.

115. Достоинство инно-плазменной обработки подложек

- отсутствие жидких травлений; возможность обработки диэлектрических материалов.

- применение жидких травлений.

- применение твердых материалов, возможность обработки диэлектрических подложек.

116. При плазмохимическом методе обработки подложек:

- протекает процесс замещения поверхностного слоя.

- происходит процесс роста поверхностного слоя.

- протекает процесс реактивного травления материала подложки.

117. Назовите виды изоляции между элементами ИС

- изоляция p-n переходами, комбинированная изоляция, диффузионная

- изоляция диэлектрическая, p-n переходами, комбинированная

- комбинированная, диэлектрическая, совмещенная

118. Чем определяется точность воспроизведения сопротивления полупроводникового резистора?

- точностью изготовления фотошаблона и резистивной маски, точностью процесса травления, точностью распределения примеси

- точностью фотошаблона, диффузии, эпитаксии, металлизации

- точностью распределения примесей, толщиной базы, эпитаксией

119. При работе резистора в широком диапазоне частот многослойную структуру резистора рассматривают:

- как набор последовательных конденсаторов

- как структуру с распределенным сопротивлением

- как RC-структуру с распределенными параметрами

120. Предельная частота полупроводниковых резисторов:

- до 10 МГц

- до 100 МГц

- до 1 МГц

121. В полупроводниковых ИС применяют следующие конструктивно-технологические разновидности конденсаторов:

- конденсаторы на основе p-n переходов, тонкопленочные конденсаторы со структурой металл – диэлектрик – полупроводник (МДП), тонкопленочные конденсаторы со структурой металл – диэлектрик – металл (МДМ)

- конденсаторы на основе p-n переходов, конденсаторы на основе пленочных структур, конденсаторы толстопленочные

- конденсаторы толстопленочные, конденсаторы керамические, конденсаторы электролитические

122. Чем определяется точность воспроизведения сопротивления полупроводникового резистора?

- точностью фотошаблона, диффузии, эпитаксии, металлизации

- точностью распределения примесей, толщиной базы, эпитаксией

123. Какие материалы применяют в качестве проводников в полупроводниковых ИС?

- алюминий, многослойные проводники, тройные системы

- алюминий, хром, тантал, молибден, медь, золото

- алюминий, хром, тантал, серебро, олово

124. Основными причинами отказов элементов гибридных интегральных схем являются:

- отказы механические, электрические, восстанавливаемые

- недостаточно качество техпроцессов, вибрации, удары

- недостаточное качество техпроцессов, деградация структур конструкции

125. Где формируются полупроводниковые элементы ИС?

- на поверхности полупроводника

- в эпитаксиальном слое

- в приповерхностном слое

126. Достоинство изоляции элементов ИС p-n переходов является:

- простота технологической реализации

- емкости p-n перехода

- сопротивления утечки от сопротивления

127. Комбинированная изоляция элементов в полупроводниковых схемах

- уменьшает токи утечки, увеличивает емкости изолированных областей

- уменьшает паразитные емкости изолированных областей на подложку и токи утечки по сравнению с изоляцией p-n переходом

- уменьшает сопротивление утечки и обратные токи перехода

128. Какие вещества называют фоторезистами?

- вещества, меняющие свою электропроводность под действием актиничного излучения

- светочувствительные вещества, изменяющие свои свойства под действием актиничного света и, прежде всего растворимость

- светочувствительные вещества, изменяющие под действием света механические свойства

129. Какие бывают фоторезисты?

- высокоомные и низкоомные

- высокоомные и высокоточные

- позитивные и негативные

130. Назовите основные свойства фоторезистов

- светочувствительность, кислотостойкость, электропроводность, адгезия к подложке

- разрешающая способность, светочувствительность, кислотостойкость, адгезия к подложке

- разрешающая способность, светочувствительность, механическая прочность, теплостойкость, кислотостойкость,

131. Разрешающая способность фоторезиста это:

- число различимых линий на поверхности подложки

- минимальная ширина линии на поверхности подложки

- число различимых линий, равной толщины, которые без слияния могут быть получены на 1 мм поверхности пластины

132. Какую фотолитографию называют контактной?

- это фотолитография через маску

- это фотолитография через фотошаблон в контакте с подложкой

- это фотолитография через пленку на фоторезист

133. Как наносят фоторезист на подложку?

- центрифугированием, распылением, окунанием, поливом

- центрифугированием, химическим осаждением, распылением

- распылением, центрифугированием, вакуумным распылением, химическим осаждением

134. Самая высокая разрешающая способность характерна для:

- контактной фотолитографии

- для оптической фотолитографии

- для рентгенолитографии

135. Какие виды диффузантов вы знаете?

- газовые, жидкие, твердые

- газовые, твердые, составные

- составные, сплавные, газовые

136. Ионная имплантация это:

- внедрение ионов примеси в структуру полупроводника

- внедрение ионов полупроводника в подложку

- внедрение ионов примеси в p-n переход

137. Назовите основные разновидности сварки для присоединения электрических выводов к омическим контактам кристаллов

- термокомпрессия, электроконтактная, комбинированная

- электроконтактная, точечная, дуговая

- термокомпрессия, электроконтактная, ультразвуковая

138. Холодная сварка – это сварка:

- при низких температурах

- под давлением

- термокомпрессия

139. Чем определяется нестабильность конденсаторов на основе p-n переходов?

- полупроводниковым материалом, площадью обкладок, диэлектрической проницаемостью

- контактной разностью потенциалов, площадью обкладок

- контактной разностью потенциалов, диэлектрической проницаемостью полупроводника.

140. Условия возникновения диффузии примесей

- температура, концентрация примесей

- температура, градиент концентрации примесей

- примеси, неоднородности полупроводника

141. Какие виды диффузантов вы знаете?

- газовые, жидкие, твердые

- газовые, твердые, составные

- составные, сплавные, газовые

142. Линия ликвидуса на диаграмме состояний определяет:

- области начала кристаллизации сплавов при охлаждении

- области начала плавления сплавов при нагреве

- области кристаллизации сплавов

143. Линия солидуса определяет:

- начало области кристаллизации сплава при охлаждении

- начало области плавления сплава при нагреве

- начало диффузии примеси в полупроводник

144. Назовите достоинства электронной литографии

- отсутствие дифракции и, значит, более высокая чёткость, более высокая, чем у оптических систем глубина резкости.

- более высокая глубина резкости и чйткости

- более высокая точность и чёткость

145. Назовите принципиальные ограничения традиционной полупроводниковой технологии.

- ограничения, обусловленные законами физики твердого тела и барьером межсоединений.

- ограничение топологических норм менее0,1 мкм.

- архитектура квантовых приборов не предусматривает межсоединений.

146. Что такое мезоскопия?

- область микроэлектроники с размерами приборов до десятков мкм.

- область микроэлектроники с размерами приборов от десятых долей мкм.

- область микроэлектроники с размерами единиц мкм.

147. Назначение затворов генератора МОП-накопителя:

- первый затвор накопительный, второй затвор разделительный.

- оба затвора накопительные.

- первый затвор разделительный для формирования потенциального барьера, второй затвор накопительный, формирует величину зарядового пакета.

148. Что такое функциональная оптоэлектроника?

- направление функциональной электроники, изучающее явление взаимодействия динамических неоднородностей оптической природы с электромагнитными полями в континуальной среде;

- направление функциональной электроники, изучающее явление взаимодействия неоднородностей оптической природы с электромагнитными полями;

- направление функциональной электроники, изучающее оптические явления.

149. Что такое полупроводниковая функциональная электроника?

- это направление функциональной электроники, изучающее взаимодействие динамических неоднородностей в полупроводниковых средах с физическими полями

- это направление функциональной электроники, изучающее неоднородности в полупроводниках

- это направление функциональной электроники, изучающее распределение примесей в полупроводниках

150. Назовите континуальные среды в полупроводниках

- кристаллическая решётка, твёрдые растворы;

- кристаллическая решётка, твёрдые растворы, аморфные полупроводники и органические полупроводники;

- кристаллическая решётка, сверхрешётки, твёрдый раствор, аморфные и органические полупроводники;

151. Что такое токовые шнуры в полупроводниках?

- каналы проводимости;

- из за неравномерности тока по сечению полупроводника происходит образование областей с большей плотностью тока

- неравномерность проводимости полупроводника

152. Что такое биспин?

- СВЧ прибор;

- преобразователь аналоговых сигналов;

- структура с бисмещённым переходом инжекционной неустойчивости;

153. Дайте понятие термина микроэлектроника:

- микроэлектроника – это область электроники, связанная с электронными приборами

- микроэлектроника – это область электроники, связанная с производством приборов в микроэлектронике, исполнение с использованием групповых технологий

- микроэлектроника – это область электроники, связанная с использованием поведения заряженных частиц в твёрдом теле, под действием различных полей и использованием групповой технологии при создании приборов и устройств.

154. В чём отличия функциональной электроники от наноэлектроники:

- в функциональной электроники сохранена групповая технология в создании микроэлементов, в наноэлектронике он утрачен;

- в функциональной электроники утрачен принцип групповой технологии

- в наноэлектронике сохранена групповая технология микроэлементов

155. В каком виде в приборах схемотехнической электроники, хранится или обрабатывается информация?

- в аналоговых или цифровых сигналах;

- в виде ячеек, в виде заряда, потенциала или тока определённого уровня на определённой статической неоднородности;

- информация хранится в аналоговых или цифровых интегральных схемах.

156. Определите понятие функциональной окустоэлектроники

- это направление функциональной электроники в котором исследуются окустоэлектронныеи эффекты и явления;

- это направление функциональной электроники в различных твёрдых континуальных средах

- явл. частью функциональной электроники

157. Какая система электродов называется встречноштыревыми преобразователями?

- системы из двух фазных электродов

- система радионопарных электродов

- система вложенных друг в друга групп электродов

158. Чем определяется синхронизм преобразователя?

- периодом преобразователя

- условием синхронизма, является равенство периода преобразователя длине ПАВ

- условием синхронизма, неравенством периода преобразователя длине ПАВ

159. В чём заключается импульсный метод сохранения и записи в АЗУ?

- в создании определённого рельефа с последующей фиксацией

- в создании потенциального рельефа плотности заряда в приповерхностном слое полупроводника с его последующей фиксацией

- в создании заряда в слое полупроводника с его фиксацией

160. Что используется в качестве континуальных сред в функциональной диэлектрической электронике

- активные диэлектрики

- твёрдые диэлектрики

- жидкие диэлектрики

161. Назовите перспективные материалы для запоминающих устройств

- сегнетоэлектрики;

- сегнетоэлектрические пленки на основе нитрата калия;

- магнитоэлектрические пленки.

162. Что понимают под активными диэлектриками?

- однородные диэлектрические материалы;

- диэлектрические материалы в которых могут возбуждаться динамические неоднородности;

- электро-изоляционные диэлектрики.

163. В каком случае не выполняется принцип суперпозиции гармонических колебаний?

- в области нелинейного взаимодействия волны с твёрдым телом;

- в области линейного взаимодействия волны с твёрдым телом;

- в случае взаимодействия акустических волн;

164. Чем определяется выбор континуальных сред?

- условиями эксплуатации приборов;

- электрическими характеристиками материалов;

- определяется природой используемых динамических неоднородностей.

165. Что является континуальными средами функциональной электроники?

- твердотельные материалы, пьезоэлектрики, пьезополупроводники, сложные слоистые среды;

- как правило твёрдые материалы;

- как правило жидкие среды.

166. Определите понятие функциональной электроники

- функциональная электроника представляет собой область интегральной электроники, изучающей возникновение и взаимодействие динамических неоднородностей в континуальных средах;

- функциональная электроника представляет собой область интегральной электроники, создающей приборы на основе динамических неоднородностей;

- функциональная электроника – совокупность устройств электронной техники.

167. Определите понятие динамической неоднородности

- это объём с отличными от других объёмов свойствами;

- локальный объём на поверхности или внутри среды, которая не имеет статических неоднородностей;

- локальный объём на поверхности или внутри среды с отличными от её окружения свойствами, которые не имеют внутри себя статических неоднородностей и генерируются в результате физико-химических процессов

168. В чём заключается операция стирания сверхрешёток?

- в очищении потенциальных ям сверхрешёток от электронов и дырок.

- в инжекции электронов и дырок в сверхрешётку.

- в генерации электронов и дырок в сверхрешётку.

169. Зачем создаются двумерные структуры?

- для управления динамическими неоднородностями.

- для управления динамическими неоднородностями и создания среды распространения квантово-механических волн.

- для повышения электропроводимости полупроводников.

170. Что такое домен Ганна?

- в полупроводнике возникает неоднородность в виде домена.

- в континуальных средах с междоменным переходом образуется домен.

- в континуальных средах с междоменным переходом электронов возникает отрицательная дифференциальная проводимость и формируется динамическая неоднородность в виде электрического домена.

Контрольные вопросы составил Е.А. Макарецкий

д.т.н., профессор

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.144 сек.)

Главная | О проекте | Полезные cсылки | Контакты | Случайная страница