АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
|
Практическая часть. С целью освоения и закрепления материала пособие предусматривает проведение практического занятия
С целью освоения и закрепления материала пособие предусматривает проведение практического занятия. Оно включает следующие разделы:
- Творчески проработать материал учебного пособия и составить краткий конспект, отражающий следующие вопросы: название работы; принцип функционирования РЭМ; его устройство и назначение узлов; технические возможности аппаратуры; области применения; подготовка объектов для исследования и особые требования к ним.
- Определить полезное увеличение при анализе многофазной структуры. Экспериментально проверить правильность расчета увеличения. Объяснить, каким образом изменяется увеличение в растровом электронном микроскопе.
- Выбрать оптимальный наклон образца при наблюдении в отраженных и вторичных электронах. Объяснить, чем определяется выбор положения объекта (наклон) по отношению к пучку электронов.
- Оценить разрешающую способность РЭМ в зависимости от ускоряющего напряжения, атомного номера вещества объекта и диаметра зонда. Объяснить действие факторов, определяющих зависимость разрешающей способности от этих параметров.
- Изучить распределение химических элементов в образце (многокомпонентная система). Эксперимент проводится на образце с полированной поверхностью. Сравнить разрешающую способность двух изображений в отраженных электронах и в токе поглощенных электронов. Протравить поверхность образца и изучить его структуру во вторичных электронах. Сравнить контрастность и разрешающую способность изображений в отраженных и вторичных электронах.
- Исследовать дисперсные фазы. Использовать для выявления фаз топографический, композиционный контрасты и методы каналирования. Выбрать наиболее рациональный способ получения изображения. Провести автоматизированную обработку изображений и установить распределение по размерам дисперсных выделений и особенности морфологии частиц.
- Провести исследования изломов образцов, используя стереоскопические наблюдения при увеличениях не более 1000. Провести количественную обработку объемного изображения рельефа и построить топографическую карту поверхности объекта.
- Составить техническое задание на проведение исследований на РЭМ самостоятельно выбранного или предоставленного преподавателем объекта. Задание должно включать разделы: описание объекта исследования (материал, технология обработки, вид и режимы термической обработки и др.); предполагаемый режим работы РЭМ (увеличение, разрешение, тип контраста и др.); обоснование выбора исследования; требования к поверхности объекта в зависимости от задач исследования (фактография, магнитная структура, распределение химических элементов и структура и др).
При невозможности выполнения практической части работы с использованием РЭМ предусматривается самопроверка усвоения материала и контроль знаний с использованием специально прилагаемых тестов.
1 | 2 | 3 | 4 | Поиск по сайту:
|