АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

IButton с энергонезависимой однократнопрограммируемой EPROM-памятью

Читайте также:
  1. IButton с энергонезависимой статической памятью
  2. Автономный цифровой термопреобразователь в корпусе iButton
  3. Области применения электронного ключа iButton
  4. Описание протокола iButton
  5. Принципы конструкции iButton и считывающих устройств для них

 

В отличие от семейств с энергонезависимой статической памятью, в этих приборах не используются литиевые батарейки, хотя и имеется память данных. Память данных здесь однократнопрограммируемая EPROM.Напряжение программирования 11,5В +0,5В, ток 10 мА.

Питание всей схемы осуществляется только от "паразитного" источника. Отсутствие литиевой батарейки позволяет DallasSemiconductor выпускать эти модели, как в толстом F5, так и в тонком F3 корпусах. Группа включает семейства DS1981U, DS1982U, DS1982, DS1985 и DS1986. У всех семейств имеется стандартного вида ПЗУ, но разный объём памяти данных. Последняя адресуется и разбита на страницы по 32 байта. DS1981 имеет 2 страницы, DS1982 – 4 страницы, DS1985 – 64 страницы и DS1986 – 256 страниц. Модели с маркировкой U отличаются от остальных моделей тем, что 12 бит из общего пространства уникального номера занимает прошивка 5E7H, остальные же 36 бит имеют уникальную прошивку [29].

Для повышения надёжности занесения данных в однократнопрограммируемую память данных в электрическую схему введены дополнительные элементы: детектор напряжения, генератор

контрольной суммы, регистр статуса и 8-битная блокнотная память (рисунок 9). Все ячейки чистой EPROM содержат лог. 1. Однажды установленный в лог. 0 бит памяти невозможно в дальнейшем изменить, однако оставшийся в единичном состоянии может быть изменён в лог. 0 при повторном программировании. Каждая страница памяти данных может быть защищена от попытки повторной записи в неё данных, установкой соответствующего бита регистра статуса в состояние лог. 0. Регистр статуса программируется только однократно, поэтому обратно открыть для записи страницу уже будет нельзя. Кроме байта защиты памяти данных, регистр статуса имеет байты переадресации страниц. Запись в эти байты позволяет переписать содержимое страницы на другую открытую для записи страницу и дополнить её содержимое модифицированными данными. Для приложений, требующих модификации данных, DallasSemiconductor предлагает брать модели с заведомо большим количеством страниц [29].

 

Рисунок 9 – Структура 8-битная блокнотная память

Что касается механизма записи информации в память данных этого семейства, то он несколько усложнен. Адреса, коды команд и данные проверяются исключительно побайтно. Мастер считывает код, вычисленный генератором проверочного кода, и сравнивает со своими вычислениями. Только после этого разрешается продвижение на очередной байт в процедуре записи.



Протокол обмена с мастером поддерживает восемь команд: четыре ПЗУ команды, команды с памятью данных чтение и запись, а также команды для регистра статуса чтение и запись. Модель DS1986 имеет возможность работать в скоростном режиме "overdrive" [29].

В приложениях не требующих частого обновления данных эти iButton находят применение, вследствие своей дешевизны.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |


Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.007 сек.)