Память программ

Для хранения программ обычно служит один из видов постоянной памяти:

–PROM - однократно-программируемое ПЗУ;

–EPROM - электрически программируемое ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием;

–EEPROM - ПЗУ с электрической записью и стиранием (к этому виду относятся также современные микросхемы Flash-памяти);

–ROM - масочно-программируемое ПЗУ.

Все эти виды памяти являются энергонезависимыми - это означает, что содержимое памяти сохраняется после выключения питания микроконтроллера. Такая память необходима, так как микроконтроллер не содержит каких-либо устройств массовой памяти (магнитных дисков), с которых загружается программа в компьютерах. Программа постоянно хранится в микроконтроллере.

В процессе выполнения программа считывается из этой памяти, а блок управления (дешифратор команд) обеспечивает ее декодирование и выполнение необходимых операций. Содержимое памяти программ не может меняться (перепрограммироваться) во время выполнения программы. Поэтому функциональное назначение микроконтроллера не может измениться, пока содержимое его памяти программ не будет стерто (если это возможно) и перепрограммировано (заполнено новыми командами).

Следует обратить внимание, что разрядность микроконтроллера (8, 16 или 32 бит) указывается в соответствии с разрядностью его шины данных. В Гарвардской архитектуре команды могут иметь большую разрядность, чем данные, чтобы дать возможность считывать за один такт целую команду. Например, микроконтроллеры PIC в зависимости от модели используют команды с разрядностью 12, 14 или 16 бит. В микроконтроллерах AVR команда всегда имеет разрядность 16 бит. Однако все эти микроконтроллеры имеют шину данных разрядностью 8 бит.

В устройствах с Принстонской архитектурой разрядность данных обычно определяет разрядность (число линий) используемой шины. В микроконтроллерах Motorola 68HC05 24-разрядная команда размещается в трех 8-разрядных ячейках памяти программ. Для полной выборки такой команды необходимо произвести три цикла считывания этой памяти.

Когда говорится, что устройство является 8-разрядным, это означает разрядность данных, которые способен обрабатывать микроконтроллер.

Память ROM используется тогда, когда программный код заносится в микроконтроллер на этапе его производства. Предварительно программа отлаживается и тестируется, после чего передается фирме-производителю, где программа преобразуется в рисунок маски на стеклянном фотошаблоне. Полученный фотошаблон с маской используется в процессе создания соединений между элементами, из которых состоит память программ. Поэтому такую память часто называют масочно-программируемой ROM.

ROM является самым дешевым типом постоянной памяти для массового производства. Однако она имеет ряд существенных недостатков, которые привели к тому, что в последние годы этот тип памяти почти не используется. Основными недостатками являются значительные затраты средств и времени на создание нового комплекта фотошаблонов и их внедрение в производство. Обычно такой процесс занимает около десяти недель и является экономически выгодным при выпуске десятков тысяч приборов. Только при таких объемах производства обеспечивается преимущество ROM по сравнению с EEPROM. Существует также ограничение, связанное с возможностью использования таких микроконтроллеров только в определенной сфере применения, так как его программа обеспечивает выполнение жестко фиксированной последовательности операций, и не может быть использована для решения каких-либо других задач.

Электрически программируемая память EPROM состоит из ячеек, которые программируются электрическими сигналами и стираются с помощью ультрафиолетового света. Память PROM может быть запрограммирована только один раз. Эта память обычно содержит плавкие перемычки, которые пережигаются во время программирования. В настоящее время такая память используется очень редко.

Ячейка памяти EPROM представляет собой MOS-транзистор с плавающим затвором, который окружен диоксидом кремния (SiO2). Сток транзистора соединен с «землей», а исток подключен к напряжению питания с помощью резистора. В стертом состоянии (до записи) плавающий затвор не содержит заряда, и MOS-транзистор закрыт. В этом случае на истоке поддерживается высокий потенциал, и при обращении к ячейке считывается логическая единица. Программирование памяти сводится к записи в соответствующие ячейки логических нулей.

Программирование осуществляется путем подачи на управляющий затвор высокого напряжения согласно рисунку 4.1. Этого напряжения должно быть достаточно, чтобы обеспечить пробой между управляющим и плавающим затвором, пос­ле чего заряд с управляющего затвора переносится на плавающий. MOS-транзистор переключается в открытое состояние, закорачивая исток с землей. В этом случае при обращении к ячейке считывается логический нуль.

Чтобы стереть содержимое ячейки, она освещается ультрафиолетовым светом, который дает заряду на плавающем затворе достаточную энергию, чтобы он мог покинуть затвор. Этот процесс может занимать от нескольких секунд до нескольких минут.

Рис. 4.1 - Ячейка памяти EPROM

Обычно, микросхемы EPROM производятся в керамическом корпусе с кварцевым окошком для доступа ультрафиолетового света. Такой корпус довольно дорог, что значительно увеличивает стоимость микросхемы. Для уменьшения цены микросхемы EPROM заключают в корпус без окошка (версия EPROM с однократным программированием). Сокращение стоимости при использовании таких корпусов может быть настолько значительным, что эти версии EPROM в настоящее время часто используются вместо масочно-программируемых ROM.

Раньше микроконтроллеры программировались только с помощью параллельных протоколов, достаточно сложных для реализации. В настоящее время протоколы программирования современной EPROM и EEPROM памяти существенно изменились, что позволило выполнять программирование микроконтроллера непосредственно в составе системе, где он работает. Такой способ программирования получил название «in-system programming» или «ISP». ISP-микроконтроллеры могут быть запрограммированы после того, как их припаяли на плату. При этом сокращаются расходы на программирование, так как нет необходимости в использовании специального оборудования - программаторов.

Память EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory — электрически стираемая программируемая память) можно считать новым поколением EPROM памяти. В такой памяти ячейка стирается не ультрафиолетовым светом, а путем электрического соединения плавающего затвора с «землей». Использование EEPROM позволяет стирать и программировать микроконтроллер, не снимая его с платы. Таким способом можно периодически обновлять его программное обеспечение.

Память EEPROM более дорогая, чем EPROM (в два раза дороже EPROM с однократным программированием). EEPROM работает немного медленнее, чем EPROM.

Основное преимущество использования памяти EEPROM заключается в возможности ее многократного перепрограммирования без удаления из платы. Это дает огромный выигрыш на начальных этапах разработки систем на базе микроконтроллеров или в процессе их изучения, когда масса времени уходит на многократный поиск причин неработоспособности системы и выполнение последующих циклов стирания-программирования памяти программ.

Функционально Flash-память мало отличается от EEPROM. Основное различие состоит в способе стирания записанной информации. В памяти EEPROM стирание производится отдельно для каждой ячейки, а во Flash-памяти стирание осуществляется целыми блоками. Если необходимо изменить содержимое одной ячейки Flash-памяти, то потребуется перепрограммировать целый блок (или всю микросхему). В микроконтроллерах с памятью EEPROM можно изменять отдельные участки программы без необходимости перепрограммировать все устройство.

Часто указывается, что микроконтроллер имеет Flash-память, хотя на самом деле он содержит EEPROM. В настоящее время между этими типами памяти имеется мало различий, поэтому некоторые производители используют эти термины как эквивалентные.

Поиск по сайту: