АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Логические элементы на полевых транзисторах

Читайте также:
  1. B – технологические ошибки.
  2. D – элементы
  3. I Психологические принципы, задачи и функции социальной работы
  4. I. МЕХАНИКА И ЭЛЕМЕНТЫ СПЕЦИАЛЬНОЙ ТЕОРИИ ОТНОСИТЕЛЬНОСТИ
  5. I. Психологические операции в современной войне.
  6. I. Психологические условия эффективности боевой подготовки.
  7. II. Психологические аспекты делового общения
  8. II. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЛЕКАРСТВЕННЫХ СРЕДСТВ В ОРГАНИЗМЕ. БИОЛОГИЧЕСКИЕ БАРЬЕРЫ. ДЕПОНИРОВАНИЕ
  9. III. Методологические основы истории
  10. III. Несущие элементы покрытия.
  11. Ms Excel: мастер функций. Логические функции.
  12. S-элементы I и II групп периодической системы Д.И.Менделеева.

 

Из полевых транзисторов наибольшее применение при создании логических элементов получили МДП – транзисторы с индукционным каналом. Это объясняется одинаковой полярностью напряжений требуемых для управления и питания этих транзисторов, и следовательно, простым решением задачи последовательного соединения элементов на их основе.

Логические элементы на МДП – транзисторах обладают рядом преимуществ по сравнению с элементами на биполярных транзисторах. Благодаря высокому входному сопротивлению МДП – транзисторов логические элементы на их основе обладают высокой нагрузочной способностью.

Технология получения МДП – транзисторов проще, чем биполярный. К тому же в качестве пассивного элемента – резистора – здесь используют сопротивление проводящего канала МДП – транзистора. Это позволяет выполнять логические МДП – микросхемы на базе только транзисторных структур, что еще более упрощает и удешевляет их технологию по сравнению со схемами на биполярных транзисторах.

В кристалле полупроводники МДП – транзистор занимает меньше места, чем биполярный. Поэтому МДП – транзисторы позволяют создавать микросхемы с высокой степенью интеграции для решения более сложных функциональных задач. Они потребляют меньшую мощность (менее 1 мкВт).

Недостаток – они являются менее быстродействующие по сравнению со схемами на биполярных транзисторах.

Логический элемент НЕ – инвертор, представляет собой схему каскада с ключевым режимом работы транзистора. В интегральных микросхемах на МДП – транзисторах функцию нагрузки выполняет также МДП – транзистор.

 

Элемент НЕ
  TV2 – управляющий; TV1 – нагрузочный выполнены на МДП – транзисторах с индуцированным каналом р – типа. Напряжение питания имеет отрицательную полярность, в связи с чем состояние логической единице (у = 1) здесь соответствует отрицательный потенциал (негативная логика). Логическому нулю отвечает нулевое выходное напряжение.

 

При х = 1 входное напряжение превышает пороговое и TV2 открыт, падение напряжения на нем мало. TV1 – также открыт, так как между его затвором и стоком прикладывается напряжение , превышающее пороговое напряжение.

При х = 0 TV2 и TV1 – закрыты, через оба транзистора протекает малый ток, определяемый закрытым TV2.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)