Транзисторы

Полупроводниковый элемент, работающий в цепях как постоянного, так и переменного тока, используется в усилительном и релейном режимах. Его можно рассматривать как управляемое сопротивление.

При работе в релейном режиме – это бесконтактное реле и логические элементы.

Преимущества – надежность, долговечность.

Недостаток – отсутствие полного разрыва цепи в состоянии отсечки, гальваническая связь цепи управления с нагрузкой, зависимость параметров от температуры.

Транзистор позволяет плавно менять ток в нагрузке при изменении тока на базе.

В зависимости от значения R _у меняется ток базы i _d, изменяется сопротивление между эмиттером и коллектором.

В результате изменяется и ток нагрузки. При i _d = 0 транзистор заперт, при i _d = i _н он открыт – релейный режим.

VD – для защиты транзистора от перенапряжений. Для полного запирания тиристора необходимо изменить направление i d. Для транзистора типа р-n-р характерно увеличение коллекторного тока при увеличении отрицательного потенциала базы относительно эмиттера.

У прибора типа n-р-n – при увеличении положительного потенциала базы, к коллектору приложен плюс источника питания, к эмиттеру – минус.

с каналом n-типа	Биполярный тиристор – содержит кристалл полупроводника с тремя слоями чередующейся проводимости с двумя р-n переходами. Он управляется токами, подаваемыми на его базу. Полевой тиристор – управляется электрическим полем (напряжением, подаваемым на затвор) и имеет очень большое входное сопротивление. Используются в коммутационных бесконтактных аппаратах. Имеет высокую скорость переключения.
с каналом р-типа

Полевой (униполярный) транзистор имеют следующий принцип действия. Основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в них осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля, поэтому их называют полевыми.

Появился в 1952 одновременно с биполярным. В 1962 разработан полевой транзистор с изолированным затвором – или MДП.

По способу создания канала различают транзистор:

- полевые транзистором;

- транзисторы со встроенным каналом;

- транзисторы с индуцированным каналом.

Последние два типа относятся к разновидностям МДП – транзисторов.

Принцип работы полевого транзистора с р-n переходом. Выпускаются на токи до 50 мА и напряжении до 50 В.

- Электрод, с которого начинают двигаться носители – исток.

- Электрод, к которому носители движутся – сток.

- Третий электрод – затвор.

Управляющее входное напряжение подается между затвором и истоком. При изменении напряжения затвор – исток изменяется ширина его р-n – перехода. Изменение ширины происходит за счет более высокоомного n-слоя. Тем самым изменяются сечение токопроводящего канала и его проводимость, т.е. выходной ток.

Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость канала оказывают влияние как управляющее напряжение U _зи так и напряжением U _си.

Важным параметром является – напряжение на затворе, при котором ток стока близок к нулю – напряжение отсечки.

Поскольку управление выходным током полевых транзисторов производится напряжением входной цепи, для них представляет интерес так называемое или стоко-затворная вольтамперная характеристика

.

Основные параметры I с.max U зи – напряжение отсечки U си.max r вх

Типы однопереходных транзисторов:

КП 101Г	Низкочастотные маломощные
КП 103М
КП 201Е	- U зи = 15 В; U си = 10 В; U отс = 1,5 В
КП 303Е	- высокочастотные маломощные
КП 903В	- высокочастотные большие мощности

Поиск по сайту: