САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Изменение концентрации происходит по экспоненциальному закону

Подвижность неосновных носителей заряда влияет на удельную проводимость и удельное сопротивление

,

где σ – удельная проводимость;

ρ – удельное сопротивление.

Радиационные эффекты способствуют уменьшению концентрации основных носителей заряда, снижают их подвижность. Все эти процессы приводят к росту удельного сопротивления полупроводника. Уменьшение подвижности и концентрации основных носителей заряда, а также снижение времени жизни неосновных носителей заряда, вызывает уменьшение коэффициента передачи тока базы β, росту токов утечки и напряжения насыщения биполярного транзистора, а также изменению предельно допустимого обратного напряжения диода и ёмкости перехода. Изменение этих параметров компонентов ИС влияет на статические и динамические характеристики микросхем.

Диапазон отказов

Глудкин О.П. Методы и устройства испытаний РЭС, ЭВС - М.: Высш.

шк., 1991.-335 с.

[1] Перечень основных терминов и определений приведен в приложении

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Поиск по сайту: