ЗАДАНИЕ 1. Выявить дислокации на поверхностях (111) и (100) кристаллов кремния

Выявить дислокации на поверхностях (111) и (100) кристаллов кремния.

1) Приготовить травитель Сиртла.

2) Приготовить образцы, отрезав скрайбером от подложек кремния (111) и (100) кусочки площадью 2-3 см². Протереть отрезанные кусочки бязью, смоченной в изопропиловом спирте.

3) Ознакомиться по инструкции с устройством и правилами работы оптического микроскопа МИИ-4. Посмотреть под микроскопом поверхность образцов перед их травлением.

4) Провести травление. Для этого пластмассовым пинцетом погрузить образец в травитель на 5 мин, при этом образец нужно непрерывно покачивать для сбивания с поверхности образующихся пузырьков газа. После окончания травления образцы промыть дистиллированной водой и высушить фильтровальной бумагой.

5) Изучить под микроскопом поверхность обработанных в травителе образцов. Охарактеризовать форму ямок на плоскостях (111) и (100), их размещение, сделать рисунок.

6) Подсчитать количество ямок травления в пяти полях зрения микроскопа. Определить среднее количество ямок в поле зрения и рассчитать плотность дислокаций.

ЗАДАНИЕ 2

Удалить слой диоксида кремния с локального участка кремниевой подложки.

1) Приготовить травитель № 3.

2) Приготовить образец, отрезав скрайбером от подложки кремния со слоем оксида кусочек площадью 5-6 см². Протереть образец бязью, смоченной в ацетоне.

3) На половину площади образца нанести защитную пленку.

4) Образец обработать в травителе в течение 5 мин. После окончания травления образец промыть дистиллированной водой и высушить фильтровальной бумагой.

5) Снять защитную пленку. Рассмотреть образец визуально и под микросокпом. По таблице цветности определить толщину слоя оксида кремния.

ЛИТЕРАТУРА

1. Шаскольская М.П. Кристаллография: Учебник для ВТУЗов. М.: Высшая школа, 1984. 376 с.

2. Шаскольская М.П. Очерки о свойствах кристаллов. М.:Наука, 1987. 176 с.

3. Богородицкий Н.П., Пасынков В В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы: Учебник для ВУЗов. Л.: Энергоатомиздат, 1985. 304 с.

4. Готра З.Ю. Справочник. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991.

5. Луфт Б.Д. и др. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. М.: Радио и связь, 1982.

6. Сангвал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990.

7. Акимов А.Н., Власукова Л.А., Комаров Ф.Ф. Дефектно-примесный состав арсенида галлия и методы его анализа. Минск: Изд-во БГУ, 1999.

8. Физика твердого тела. Т.1. Методы получения твердых тел и исследования их структуры / Лабораторный практикум под ред. А.Ф. Хохлова. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского государственного университета, 2000.

9. Большая Советская энциклопедия.

10. Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М. 1973.

11. Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.

Поиск по сайту: