|
|||||||||||||||||||||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Выбор типа проводимости транзисторовВведение Целью курсовой работы является овладение основами схемотехнического проектирования импульсных и широкополосных усилителей, изучение критериев выбора режимов работы усилительного прибора и других элементов схемы. Схема усилительного прибора включает трехкаскадный усилительный тракт, включающий в различном сочетании каскады "общий коллектор" (ОК) "общую базу " (ОБ) и общий эмиттер (ОЭ). Задание предполагает выполнение усилителя как схемы с непосредственными межкаскадными связями. Построение схемы этого типа упрощает структуру усилительного тракта, так как не используются разделительные и блокировочные конденсаторы, а в промежуточных и оконечных каскадах потенциалозадаюшие базовые делители. Такое построение обеспечивает также возможность повышения стабильности и определенности режимов работы каскадов на постоянном токе за счет охвата схемы в целом петлей отрицательной обратной связи (ООС), действующей на постоянном токе. Предполагаемое схемное построение усилителя допускает использование в нем биполярных транзисторов с разным типом проводимости (транзисторов n-р-n и р-n-р), что позволяет отказаться от применения в ее структуре схем понижения потенциалов (схем сдвига уровня). Разрабатываемая схема предназначена для усиления однополярных импульсных сигналов, следующих с большой скважностью. Сигналы такого типа имеют пренебрежимо малые средние значения, в результате чего можно считать, что при воздействии сигналов все изменения тока в транзисторе имеют односторонний характер и происходят относительно исходного (досигнального) его значения. Исходные данные
В задании сформулированы требования к допустимым переходным искажениям импульса. Эти требования охарактеризованы предельно допустимым значением длительности нарастания фронта t н импульса (рис. 1), а также допустимым спадом его вершины ∆ при заданной предельной его длительности t и. В задании оговаривается, как полярность выходного импульса ("+" или "-"), так и его предельное значение амплитуды U m. Питание усилителя осуществляется от двух источников питания, один из которых вырабатывает положительный потенциал Eп+, а другой - отрицательный Eп-. В задании также содержатся следующие данные: Rн, Сн- значения параметров внешней цепи, на которую нагружен выход усилителя; tmax и tmin - пределы возможных изменений внешней температуры, при которых отклонения режимов работы усилительных каскадов на постоянном токе номинальных не должны превышать допустимых; Rc - сопротивление источника сигнала. Номинальные значения основных параметров транзисторов используемых в усилительном тракте: сопротивление базовой области r б =30 0м; коэффициент усиления по току в схеме ОЭ h 21э (β) =110; обратный ток эмиттерного перехода I оэ =10-14 A; напряжение Эрли =150 В; максимальный ток коллектора I к max =0,3 А; паразитная емкость перехода база-коллектор С бк =0,8 пФ; модуль коэффициента усиления по току в схеме ОЭ на частоте 280 МГц =5; технологический разброс ∆ U бэт номинального напряжения база-эмиттер = ±80 мВ; разброс ∆β коэффициента передачи тока базы в схеме ОЭ =±25. Выбор типа проводимости транзисторов Каскад типа ОЭ – инвертирующий Каскады типа ОБ, ОК - неинвертирующие Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |