АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

ТАБЛИЦІ ВИМІРЮВАННЬ

Читайте также:
  1. V. Заповнити таблиці.
  2. Визначимо обсяг механізованих робіт та потребу в тракторах і комбайнах у СК «Агробізнес» за допомогою таблиці 2.11
  3. Встановіть відповідність між категоріями (поняттями) та визначеннями (подані у таблиці категорії визначені Господарським кодексом України).
  4. Закінчення таблиці 16
  5. Закінчення таблиці 23
  6. Зведені таблиці в MS Excel
  7. Зчитати з клавіатури символьний рядок та виконати його обробку. Умови завдання представлено в таблиці 4.2. Вхідний масив та результат роботи програми вивести на екран.
  8. Розділ ІV. Електронні таблиці
  9. Статистичні таблиці
  10. Створення таблиці.
  11. Таблиці: створення, оброблення, форматування, сортування, обчислення елементами «Формула» у Microsoft Word.

МЕТА РОБОТИ

Теоретичне вивчення і практичне дослідження біполярних транзисторів за допомогою вимірювання вольт-амперних характеристик, визначення фізичних та основних технічних параметрів біполярних транзисторів із вольт-амперних характеристик.

 

ЗАВДАННЯ

1. Вивчити структуру паспортних параметрів біполярних транзисторів. Ознайомитися із вимірювальним стендом. Ознайомитись зі схемою досліджень (рис. 1).

2. Зібрати схему для дослідження вольт-амперних характеристик біполярних транзистора ввімкненого за схемою із спільним емітером.

3. Визначити експериментально і побудувати графічно вхідну характеристику транзистора - залежність вхідного струму від вхідної напруги.

4. Визначити експериментально та побудувати графічно сімейство вихідних характеристик транзистора - залежність вихідного струму від вихідної напруги.

5. За побудованими графіками характеристик визначити основні параметри біполярного транзистора: коефіцієнт підсилення струму бази - β; коефіцієнт підсилення струму емітера - α; диференційні опори емітерного rе і колекторного rc переходів для вибраної робочої точки Ар (Ic, Uce); графічно визначити дифузійний потенціал емітерного переходу φ0е та опір бази rb .

6. Провести аналіз результатів досліджень, і зробити висновки з виконаної роботи.


СХЕМА ДОСЛІДЖЕННЯ

Рис.1. Схема для дослідження характеристик транзистора ввімкненого за схемою із спільним емітером.

РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ

ТАБЛИЦІ ВИМІРЮВАННЬ

Табл. 5.1 Вхідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Uсе = 1 В; Т1 = 20ºС

Іb, мкА                     50
Ube, В   0,078 0,094 0,111 0,120 0,129 0,135 0,141 0,144 0,150 0,155

 

Табл. 5.2 Вхідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Uce = 10 В; Т2 =20 ºС

Іb, мкА                      
Ube, В   0,126 0,130 0,132 0,134 0,139 0,141 0,144 0,148 0,153 0,159

 

Вихідна ВАХ транзистора

 

Табл. 5.3.1 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 5 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   0,35 0,35 0,38 0,39 0,45 0,47 0,55 0,66 0,93 1,29

Табл. 5.3.2 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 10 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   0,50 0,55 0,56 0,57 0,45 0,61 0,65 0,73 1,10 1,60

Табл. 5.3.3 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 15 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   0,75 0,85 0,87 0,91 0,95 1,00 1,10 1,30 1,65 1,75

Табл. 5.3.4 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 20 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   1,15 1,20 1,25 1,35 1,37 1,45 1,60 1,65 1,70 1,77

Табл. 5.3.5 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 25 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   1,40 1,45 1,50 1,55 1,47 1,65 1,67 1,75 1,76 1,85

Табл. 5.3.6 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 30 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   1,67 1,65 1,74 1,75 1,76 1,77 1,80 1,90 1,94 1,95

 

Табл. 5.3.7 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 35 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   1,74 1,75 1,76 1,81 1,85 1,86 1,87 1,92 1,95 1,95

Табл. 5.3.8 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 40 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   1,76 1,84 1,85 1,87 1,90 1,94 1,95 2,00 2,05 2,15

 

Табл. 5.3.9 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 45 мкА

Uce, В                      
Іc, мА   1,80 1,94 1,95 1,96 2,00 2,02 2,05 2,07 2,15 2,20

Табл. 5.3.10 Вихідна ВАХ транзистора. Умови досліджень: Іb = 50 мкА


Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)