|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Эмиттерный повторитель (ЭП)
ЭП обладает высоким входным сопротивлением R ВХ и малым выходным сопротивлением R ВЫХ и поэтому используется для согласования источника сигнала и нагрузки. Условие согласования для источников сигналов в виде напряжений – R ИСТ << R Н. На практике принимают R ИСТ ≤ 0,1 R Н. При невыполнении этого условия ставят буферный элемент, например, ЭП, у которого R ВХ и R ВЫХ обеспечивают условие R ИСТ ≤ 0,1 R ВХ и R ВЫХ ≤ 0,1 R Н. Рис. 3.11. Согласование источника сигнала и нагрузки при помощи ЭП
В ЭП коллектор транзистора непосредственно подключен к источнику питания. На базу подается напряжение смещения для задания активного режима. Выходной сигнал снимается с эмиттерного резистора. В зависимости от полярности транзистора и источника питания возможен ряд вариантов включения. n-p-n- транзистор n-p-n- транзистор p-n-p- транзистор p-n-p- транзистор питание + U КК питание – U ЭЭ питание – U КК питание + U ЭЭ Рис. 3.12. Варианты подключения ЭП к источнику питания
Рассмотрим вариант ЭП на n-p-n- транзисторе и определим его R ВХ, используя простейшую модель транзистора.
Рис. 3.13. К определению входного сопротивления ЭП Так как транзистор – нелинейный элемент, рассматриваем малые приращения напряжений и токов, для которых можно использовать закон Ома. Пренебрегая падением напряжения на открытом эмиттерном переходе, считаем, что . Из простейшей модели транзистора следует: . Тогда входное сопротивление, определяемое приращением тока базы и напряжения базы: . Таким образом, входное сопротивление ЭП, соответствующее сопротивлению со стороны базы транзистора, приблизительно в ß раз больше сопротивления, стоящего в эмиттере. Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |