 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Насыщенный транзисторный ключ с ОЭ
|
Читайте также: |
Ключ выключен, когда 
(режим отсечки), при этом 
.
Ключ включен, когда 
(режим насыщения), при этом 
.
Так как 
и 
, то 
.
а б в
Рис. 6.6. Насыщенный транзисторный ключ с ОЭ (а), его эквивалентная схема
в режиме насыщения (б) и выходные характеристики транзистора (в)
При расчете ключа выбирают 
, определяют 
, находят 
, а затем 
. Поскольку для насыщения необходимо 
, то выбирают 
. Степень (качество насыщения) характеризуется коэффициентом насыщения: 
.
При 
быстродействие схемы и, наоборот, при 
быстродействие схемы.
Токовые зеркала
Поиск по сайту: