|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Методика расчета ЭПРассмотрим схему ЭП на рис. 3.18. Пусть U КК = 15 В, I ОК = 1 мА – ток покоя транзистора. Диапазон рабочих частот ∆f = 20 Гц – 20 кГц.
Рис. 3.18. К расчету ЭП
1. Определяем напряжение покоя в эмиттере, исходя из того, что сигнал на выходе должен быть симметричным: U Э = 0,5 U КК = 7,5 В. 2. Определяем напряжение смещения: U Б = U Э + 0,6 В = 8,1 В. 3. Выбираем сопротивление R Э, исходя из тока покоя I ОК ≈ I ОЭ ≈ 1 мА: 4. Выбираем сопротивления R 1 и R 2, обеспечивающие смещение и удовлетворяющие условию согласования R ЭКВ ≤ 0,1 R Б. Так как при ß = 100 , то R ЭКВ = (R 1║ R 2) ≤ 0,1 R Б = 75 к. Поскольку , то, если R 2 = 150 к, R 1 = 127 к. Выбираем R 1 = 130 к из нормированного ряда. В результате R ЭКВ = (R 1║ R 2) = 70 к, а входное сопротивление схемы R ВХ = (R ЭКВ║ R Б) = 64 к. Таким образом, данный ЭП обеспечивает работу с источником сигнала, имеющим R ИСТ ≤ 0,1 R ВХ ≈ 6 к. 5. Определяем С1, исходя из эквивалентной схемы ФВЧ и f Н. Так как , где R = (R ЭКВ║ R Б), то .
Рис. 3.19. К выбору переходного конденсатора
Емкость конденсатора С 1 должна быть в 3–5 раз больше рассчитанной емкости для обеспечения условия К (f)= 1, начиная с нижней граничной частоты f Н. Поэтому выбираем С 1 = 5 мкФ. Аналогичным образом определяем С 2, исходя из того, что С 2 и сопротивление нагрузки R Н также образуют ФВЧ с нижней граничной частотой f Н.
Контрольные вопросы к лекции 1. В чем состоит суть простейшей модели транзистора? 2. Каковы основные схемы включения транзистора и их коэффициенты передачи по току? 3. Что определяет крутизна входной характеристики транзисторов? 4. Что определяют выходные характеристики транзисторов? 5. Каково назначение ЭП? 6. В чем заключается методика расчета ЭП? Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |