|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Простейшая модель транзистораВ простейшей модели транзистор представляется токовым узлом, в котором выполняется закон Кирхгофа: I Э = I Б + I К. При этом I К = f (I Б), а именно: I К = = ßI Б, где ß – коэффициент усиления по току (соответствует параметру h 21Э). Коэффициент усиления ß зависит от типа транзистора и обычно лежит в диапазоне 10–300. Для простоты оценки работы схемы часто принимается среднее значение в этом диапазоне – ß = 100. Чем больше коэффициент ß, тем меньше ток базы I Б, и, следовательно, для больших ß выполняется условие . Необходимо при этом иметь в виду, что с ростом ß растет уровень собственных шумов транзистора. Таким образом, основное свойство транзистора (усиление) простейшая модель объясняет тем, что малый ток базы управляет большим током коллектора, который, в свою очередь, берется от внешнего источника питания.
Рис. 3.2. Представление биполярного транзистора в виде токового узла Для обеспечения активного режима n-p-n -транзистора, если на его эмиттер подано отрицательное напряжение, на базу надо подать положительный потенциал, а на коллектор – еще более положительный потенциал. И, наоборот, для обеспечения активного режима p-n-p- транзистора, если на его эмиттер подано положительное напряжение, на базу надо подать отрицательный потенциал, а на коллектор – еще более отрицательный потенциал.
Рис. 3.3. Относительные потенциалы активного режима в биполярном транзисторе
Поскольку для открывания p-n -перехода кремниевого транзистора достаточно между базой и эмиттером подать напряжение U БЭ = 0,6 В (для германиевых транзисторов это напряжение немного меньше и составляет около 0,4 В), то напряжение на базе и эмиттере связано соотношениями: для n-p-n -транзистора – U Б = U Э + 0,6 В, а для p-n-p- транзистора – U Б = U Э – 0,6 В. Напряжение между базой и эмиттером U БЭ не следует увеличивать более чем на 0,6 В, так как возрастает ток через транзистор. Отношение определяет коэффициент передачи эмиттерного тока. Коэффициенты ß и α взаимосвязаны. Так как I Э = I Б + I К, а I К = ßI Б, то . Таким образом, при ß ≈ 10…300 α = 0,9…0,99.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |