МОП-транзистор с индуцированным каналом

МОП-транзистор с индуцированным каналом имеет подложку с зонами противоположной проводимости для стока и истока, перекрытыми тонким слоем диэлектрика (SiO₂), на котором установлен затвор.

Для n -канального МОП-транзистора при приложении положительного напряжения U _ЗИ вблизи затвора индуцируется токопроводящий канал n -типа. Образование канала можно объяснить, исходя из того, что электроны – неосновные носители заряда – из подложки «притягиваются» к положительному потенциалу затвора, образуя область проводимости n- типа.

Для р- канального МОП-транзистора канал р- типа индуцируется при подаче на электроды напряжений противоположных полярностей по отношению к транзистору n- типа.

Подложка транзистора обычно соединена с истоком или, если предусмотрен ее отдельный вывод, может подключаться к источнику напряжения ниже (выше), чем напряжение истока n- канального (р- канального) транзистора. При подаче такого дополнительного напряжения на подложку относительно истока она начинает действовать как дополнительный затвор, уменьшающий ток стока.

Стоковые характеристики МОП-транзисторов с индуцированным каналом аналогичны стоковым характеристикам ПТ с управляющим p-n -переходом.

МОП p -канальный транзистор

Рис. 11.4. МОП-транзисторы: условное обозначение, структура
и стоково-затворные характеристики

Основным достоинством МОП-транзисторов является их высокое входное сопротивление (ток через изолированный затвор практически не течет).

Общим недостатком МОП-транзисторов является их чувствительность к статическому электричеству (выходят из строя при напряжении U _ЗИ > 20 В).

Недостаток МОП-транзисторов с индуцированным каналом заключается в необходимости работы с напряжением одной определенной полярности.

Поиск по сайту: