АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Дырочные полупроводники (р-типа)

Читайте также:
  1. Металлы и полупроводники
  2. Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников.
  3. Электронные полупроводники (n-типа)

 

 

Полупроводник p-типа

Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.

Проводимость p-полупроводников приблизительно равна:

 

Электронно-дырочный переход

 

электронно-дырочный переход или p-n -Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный),— область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.

 
 

 


 
 


       
 
   
φК
 

 


Рис. 1 Рис. 2 Рис. 3

 

При отсутствии внешнего электрического поля (Рис. 1) через p-n переход проходят только неосновные носители (их очень мало).

Концентрация дырок в зоне p намного больше чем в зоне n, а в зоне n наоборот велика концентрация электронов. На границе раздела полупроводников создаётся градиент концентрации дырок и электронов. Это вызывает диффузионное перемещение дырок и области p в область n, а электронов в противоположном направлении. Таким образом образуется обеднённый слой от подвижных носителей заряда, и появляются два не скомпенсированных заряда “+n” и “-p” и поле Е.

Двойной электрический слой в области p-n перехода обуславливает контактную разность потенциалов (или потенциальный барьер).

для Ge φК = 0,3-0,4 B

для Si φК = 0,7-0,8 B

Если подключить к p-n переходу внешний источник с полярностью Uоб (“+” к n области, а “–“ к p области), то обеднённый слой расширится φк + Uоб (здесь Iобр = I0 – тепловой ток)

Если поменять полярность Uпр (см. третий рисунок), то обеднённый слой сузится, а его проводимость увеличится т.к. электроны и дырки под воздействием Uпр начнут двигаться навстречу друг другу к p-n переходу, при этом Iпр >> Iобр = Io

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)