АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Вольтамперная характеристика полевого транзистора

Читайте также:
  1. A. Характеристика нагрузки на организм при работе, которая требует мышечных усилий и энергетического обеспечения
  2. I. Краткая характеристика группы занимающихся
  3. I. Общая характеристика договора продажи недвижимости
  4. II. Загальна характеристика ХНАДУ
  5. III. Характеристика ведомственных целевых программ и мероприятий подпрограммы
  6. III. Характеристика ведомственных целевых программ и мероприятий подпрограммы
  7. III. Характеристика ведомственных целевых программ и мероприятий подпрограммы
  8. III. Характеристика ведомственных целевых программ и мероприятий подпрограммы
  9. III.3.1. Общая характеристика и тенденция развития Правительства Российской Федерации
  10. III.4.1. Общая характеристика и тенденции развития федеральных органов исполнительной власти
  11. III.5.1.Становление судебной власти в России. Общая характеристика судебной системы
  12. III.6.1.Общая характеристика государственного устройства России
  1. Принцип работы, условное обозначение МДП – транзистора с индуцированным и встроенным каналом проводимости p- и n- типа.

Принцип работы МДП-транзистора с каналом N–типа. Если подать на затвор положительное напряжение относительно истока Uзи, возникнет электрическое поле. Оно будет выталкивать положительные ионы (дырки) из зоны P в сторону подложки. В результате под затвором концентрация дырок начнет уменьшаться, и их место займут электроны, притягиваемые положительным напряжением на затворе. Когда Uзи достигнет своего порогового значения, концентрация электронов в области затвора превысит концентрацию дырок. Между стоком и истоком сформируется тонкий канал с электропроводностью N-типа, по которому пойдет ток Iси. Чем выше напряжение на затворе транзистора Uзи, тем шире канал и, следовательно, больше сила тока. Такой режим работы полевого транзистора называется режимом обогащения.

Принцип работы МДП-транзистора с каналом P–типа такой же, только на затвор нужно подавать отрицательное напряжение относительно истока.

 

Условное обозначение МДП – транзисторов с индуцированным каналом n- и p- типа.

Условное обозначение МДП – транзисторов со встроенным каналом n- и p- типа.

 

  1. Диодная логика, выполняющая функцию 3И: схема и таблица истинности
  2. Диодная логика, выполняющая функцию 4ИЛИ: схема и формула выполняемой функции
  3. Транзисторный ключ на биполярном транзисторе: схема, принцип работы, как текут токи при единице на входе
  4. Транзисторный ключ на биполярном транзисторе. Способы повышения быстродействия с пояснениями и схемами
  5. Транзисторный ключ на комплементарных МОП - транзисторах: схема, принцип работы, достоинства
  6. Транзисторная логика 3И-НЕ: схема, таблица истинности
  7. Транзисторная логика 3ИЛИ-НЕ: схема, таблица истинности

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)