|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Теплоемкость. Энергия Ферми. Зоны. ПолупроводникиТестовые задания
9.1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур … 1) ~ Т –1 2) не зависит и равна 3 R 3) ~ Т 3 4) ~ 5) ~ Т
9.2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур … 1) ~ Т 3 2) ~ Т –1 3) не зависит и равна 3 R 4) не зависит и равна 3/2 R 5) ~ Т
9.3. Уровень Ферми в собственном полупроводнике располагается … 1) посередине запрещенной зоны 2) у потолка валентной зоны 3) у дна зоны проводимости 4) посередине валентной зоны
9.4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений … 1) минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К 2) максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К 3) энергия, определяющая дно зоны проводимости 4) энергия, определяющая потолок валентной зоны
1) полупроводником 2) диэлектриком 3) проводником 4) однозначного ответа нет
9.6. Твердые тела являются проводниками, если … 1) валентная зона заполнена электронами полностью 2) в валентной зоне есть свободные энергетические уровни 3) зона проводимости заполнена полностью 4) в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни
9.7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является … 1) диэлектриком 2) проводником 3) полупроводником 4) проводником и полупроводником одновременно
9.8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0 К … 1) перекрыты валентная зона и зона проводимости 2) заполнена зона проводимости 3) нет запрещенной зоны 4) заполнена валентная зона 5) зона проводимости заполнена частично 9.9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются … 1) только электроны 2) только дырки 3) электроны и ионы акцепторных атомов 4) дырки и электроны 5) дырки и ионы акцепторных атомов
9.10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются … А) дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей Б) уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны В) валентная зона заполнена электронами не полностью Г) сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры 1) А, Б 2) Б, В 3) В, Г 4) Б, Г 5) А, Г
9.11. Донорные примесные уровни располагаются … 1) в середине запрещенной зоны 2) у потолка валентной зоны 3) у дна зоны проводимости 4) между уровнем Ферми и потолком валентной зоны 5) между уровнем Ферми и дном зоны проводимости
9.12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n- типа образуются в результате перехода электронов … А) из валентной зоны в зону проводимости Б) с донорного уровня в зону проводимости В) между уровнями валентной зоны Г) из валентной зоны на донорный уровень 1) А, Б 2) Б, В 3) В, Г 4) Б, Г 5) А, Г
9.13. Двойной электрический слой на границе р-n - перехода образуют … 1) дырки и электроны 2) отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома 3) отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома 4) дырки и отрицательные ионы донорного атома 5) электроны и положительные ионы и акцепторного атома
9.14. Положительный электрический слой на границе p - n - перехода образуется … 1) позитронами 2) положительными ионами акцепторной примеси 3) протонами 4) положительными ионами донорной примеси 5) дырками
9.15. Отрицательный электрический слой на границе p-n - перехода образуется … 1) электронами 2) дырками 3) отрицательными ионами донорных атомов 4) отрицательными ионами акцепторных атомов 9.16. Односторонняя проводимость р-n - перехода объясняется … 1) диффузией носителей тока 2) зависимостью сопротивления р-n - перехода от направления внешнего электрического поля 3) превышением концентрации основных носителей тока над неосновными 4) рекомбинацией носителей тока
9.17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен … 1) увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока 2) препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n - переход 3) уменьшение сопротивления p - n - перехода 4) ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n - переход
9.18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если… 1) в запрещенной зоне нет примесных уровней 2) в валентной зоне есть свободные энергетические уровни 3) зона проводимости заполнена электронами целиком 4) валентная зона заполнена электронами целиком Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.006 сек.) |