АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия. Схемы включения транзистора

Читайте также:
  1. D) икемділік принципі
  2. E) менеджмент принциптері
  3. I. Первым (и главным) принципом оказания первой помощи при ранениях нижней конечности является остановка кровотечения любым доступным на данный момент способом.
  4. II. Основные принципы и правила служебного поведения государственных (муниципальных) служащих
  5. II. Принципы организации и деятельности прокуратуры Российской Федерации
  6. II. ТРУДОУСТРОЙСТВО
  7. III. По какому принципу образованы ряды? Назовите понятие, общее для приведенных ниже терминов, объединяющее их.
  8. АДМИНИСТРАТИВНОЕ УСТРОЙСТВО
  9. Адміністративна відповідальність: поняття, мета, функції, принципи та ознаки.
  10. Аксонометрические схемы систем водоснабжения
  11. Акцизы. Принципы и особенность налогообложения
  12. Альтруїзм-егоїзм — вихідні принципи родового життя

Транзистор представляет собой устройство, содержащее два ЭДП, образованные слоями n-p-n или p-n-p. Наибольшее распространение получили сплавные транзисторы на основе германия или кремния, чаще – кремния. Принципиальных отличий между транзисторами противоположной проводимости нет. На практике необходимы оба вида. Потому они и производятся. Более того: комплементарные транзисторы (разная проводимость, но полное соответствие друг другу). Средняя область транзистора называется базой, две крайних области— эмиттер (эмитирует, выделяет заряды) и коллектор (собирает заряды).

Выпускается большое количество типов транзисторов, которые можно классифицировать по различным признакам: по типу электропроводности (pnp- npn); точечные и плоскостные; по рассеиваемой мощности –маломощные (p<0,3 Вт), средней мощности (0,3<p<3) Вт; мощные (p>3Вт). По максимальной рабочей частоте: низкочастотные (f<30МГц); высокочастотные (30<f<300МГц); сверхвысокочастотные (f>300МГц). По технологии изготовления (сплавные, диффузионные, эпитаксиальные, планарные, планарно-эпитаксиальные и т.д.).

Существует три схемы включения транзистора (на рисунке показаны npn транзисторы). Показать обозначение напряжений (Uбэ).

Схема с общей базой а) соответствует левому предыд. рисунку. На рис. показано состояние электродов при отсутствии внешнего смещения. При наличии внешнего смещения эмиттерный переход смещается в прямом, коллекторный –в обратном направлении. Потенциальный барьер эмиттерного перехода снижается, коллекторного повышается. На эмитттерном ЭДП электроны переходят в базу, дырки из базы—в эмиттер (так же, как в прямосмещенном диоде). Так как переход выполняется несимметричным, концентрация электронов в области эмиттера во много раз превышает концентрацию дырок в базе. Основной составляющей Iэ являются электроны. В базе электроны движутся к коллектору за счет диффузии. Электрическое поле в области базы действует слабо поскольку в ней много дырок, ослабляющих действие поля. Электроны рекомбинируют с дырками, но часть их доходит до коллекторного перехода (база очень тонкая—не более 20 мкм). Т.к. коллекторный переход представляет собой обратносмещенный диод, то как в диоде, возникает обратный ток, который будет существовать даже при отключении эмиттерного напряжения. Эта составляющая неуправляема, но сильно зависит от температуры. Вторая составляющая коллекторного тока состоит из электронов, инжектированных из эмиттера и дошедших до коллектора. Они за счет поля коллекторного перехода попадают в эмиттер. Эту часть можно регулировать за счет внешнего источника за счет изменения эмиттерного тока.

В схеме с ОБ Iк ≈ Iэ.Входное сопротивление мало, Применяется редко.

Схема с общим эмиттером б) наиболее распространена. Переход эмиттер-база включен с прямым смещением, а коллектор-база –с обратным. Однако есть возможность регулировать ток Iкэ изменением тока базы. Ток коллектора почти равен току эмиттера. Маленькие изменения тока базы могут привести к большим изменениям тока коллектора. Эта способность усиления тока характеризуется статическим коэффициентом усиления тока в схеме с ОЭ β.

β =

В схеме с ОБ = 20…1000, но может достигать десятков тысяч для специальных транзисторов в ИС. В схеме с ОЭ сильно влияние температуры на свойства транзистора, особенно германиевого. Поэтому их область применения до 65…750С. Для кремниевых—120…1500С.

В схеме с общим коллектором входным током является ток базы, а выходным –ток эмиттера. Часто используется в микросхемах.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)