АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Методы выращивания пламенной плавкой по Вернейлю

Читайте также:
  1. II. Методы непрямого остеосинтеза.
  2. IV. Современные методы синтеза неорганических материалов с заданной структурой
  3. А. Механические методы
  4. Автоматизированные методы анализа устной речи
  5. Адаптивные методы прогнозирования
  6. АДМИНИСТРАТИВНО-ПРАВОВЫЕ МЕТОДЫ УПРАВЛЕНИЯ
  7. АДМИНИСТРАТИВНЫЕ МЕТОДЫ УПРАВЛЕНИЯ, ИХ СУЩНОСТЬ, ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ
  8. Административные, социально-психологические и воспитательные методы менеджмента
  9. Активные групповые методы
  10. Активные индивидуальные методы
  11. Акустические методы
  12. Акустические методы контроля

Метод разработан для выращивания тугоплавких кристаллов, у которых температура плавления Тпл.³ 1500-2500°C; рубин, корунд и т.д. Al2O3+C2O3 Tпл.=2030°C

Рисунок 38. Схема выращивания кристаллов из расплава по методу Вернейля.

1 – вибратор, 2 – подвес, 3 – бункер, 4 – исходный материал, 5 – сетка, 6 – ввод О2,

7 – ввод H2, 8 – затравка, 9 – кристаллодержатель.

Сущность метода. В бункер загружают смесь порошка Al2O3+1…3% Cr2O3 в виде порошков с зернистостью от1-20мкм.

Под действием встряхивающего устройства порошок через сетку попадает в пламя кислородоводородной горелки. Благодаря малым размерам частицы смеси расплавляются в высокотемпературной зоне пламени и попадают на затравочный кристалл. Затравка предварительно оплавляется без подачи шихты и образует слой расплава, удерживающаяся силами поверхностного натяжения. H2:O2=3:1.

Затравка, медленно вращаясь, опускается и на выходе из высокотемпературной зоны нагревателя происходит кристаллизация окиси Al из расплава на поверхности затравки, что обеспечивает рост кристалла. Затем в струю попадает встряхиваемая смесь порошков, которые расплавляются и в расплавленном состоянии попадают в образованный расплав, который кристаллизуется по мере опускания затравки и образует на затравке кристалл.

Выращенные кристаллы имеют форму обратного конуса. Полученные кристаллы обязательно отжигаются во избежание трещин и внутренних напряжений. Отжиг производится в вакуумных электропечах в графитовых тиглях. Температура отжига 1900°C в течение нескольких часов. Охлаждение с печью 50°/час.

Преимущества: отсутствие тигля, не требуются герметичные камеры или вакуум.

Недостатки: так как толщина слоя расплава мала и его подпитка происходит непрерывно за счет порошка исходной смеси, возможность регулирования процесса достаточно трудно осуществима.

 

 

Метод зонной кристаллизации (или зонной плавки)

Применяется для получения тугоплавких кристаллов и полупроводниковых кристаллов высокой чистоты.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)