АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Метод Киропулоса

Читайте также:
  1. I. ГИМНАСТИКА, ЕЕ ЗАДАЧИ И МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
  2. I. Методические основы
  3. I. Предмет и метод теоретической экономики
  4. II. Метод упреждающего вписывания
  5. II. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ
  6. II. Методы непрямого остеосинтеза.
  7. II. Проблема источника и метода познания.
  8. II. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКАЯ КАРТА ДИСЦИПЛИНЫ
  9. III. Методологические основы истории
  10. III. Предмет, метод и функции философии.
  11. III. Социологический метод
  12. III. УЧЕБНО – МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО КУРСУ «ИСТОРИЯ ЗАРУБЕЖНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ К. XIX – НАЧ. XX В.»

Применим для выращивания щелочно-галлоидных кристаллов NaCl, KCl, KBr, LiF и других.

Рисунок 35. Схема выращивания кристалла из расплава методом Киропулоса.

1 – кристаллодержатель; 2 – затравка; 3 – растущий кристалл; 4 – фронт кристаллизации; 5 – расплав; 6 – нагреватель; 7 – тепловой экран; 8 – держатель тигля.

 

Сущность метода:

Исходную соль помещают в цилиндрический тигель и нагревают до температуры расплава Трасп.=Тк+(50¸150)°С, чтобы устранить дефекты на поверхности затравки 3 ее погружают в расплав 5, поверхностный слой затравки расплавляется. При этом все поверхностные дефекты окажутся в расплаве. Одновременно включив вращение кристаллодержателя 1.

Затем, медленно вращая затравку, её поднимают из расплава со скоростью постепенно увеличивающейся, формируя шейку;

dш³(3-5)мм в зависимости от диаметра lш=4dш.

Достигнув диаметра шейки, скорость вытягивания шейки становится постоянной. Особенностью процесса является образование фронта кристаллизации 4 ниже уровня расплава и обеспечивается автоматической в процессе всего роста. В процессе вытягивания кристалла уровень расплава понижается. В процессе кристаллизации уровень расплава также понижается за счет сокращения объема при кристаллизации, происходит усадка материала.

Перед завершением процесса, чтобы исключить образование дефектов в кристаллах и обеспечение отрыва кристалла от расплава формируется обратный конус. Шейка обратного конуса при вращении кристалла 3 способствуют уменьшению дефектов при выращивании кристаллов.

Шейка препятствует переходу примесей затравки в кристалл. Частота вращения кристалла и тигля от 2 до 10 мин-1. Обычно направление вращения обратное, что способствует лучшему перемешиванию расплава, равномерному нагреву расплава и постоянному диаметру вытянутого кристалла.

Из-за сил смачивания и поверхностных натяжений расплава, а так же вращения кристалла, кристалл не успевает самоограниться и имеет цилиндрическую или овальную форму. При вращении кристалла грани роста выраждаются и на цилиндрической поверхности кристалла образуются только риски, т.е. следы ребер пересекающих граней. В оптике эти риски позволяют определить направление кристаллографических осей.

Процесс ведут в герметичной камере, в которую подается инертный газ. Этим исключается образование окислов в процессе выращивания кристалла.

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)