АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Химическое осаждение

Читайте также:
  1. Взятие крови из вены на биохимическое исследование Вакутайнером
  2. Взятие крови из вены на биохимическое исследование шприцем
  3. Влияние внешних факторов на химическое равновесие.
  4. Выщелачивание и осаждение труднорастворимых соединений обменными процессами
  5. Горючее вещество – определенное химическое соединение
  6. Горючее вещество – определенное химическое соединение
  7. Горючее – индивидуальное химическое соединение
  8. Занятие 24. Химическое равновесие.
  9. ЛЕКЦИЯ 11. ХИМИЧЕСКОЕ РАВНОВЕСИЕ
  10. Стадии радикальной полимеризации. Инициирование (термическое, окислительно-восстановительное, фотохимическое).
  11. Формирование тонких слоев и покрытий электроосаждением (гальванотехника, гальваностегия, электролитическое осаждение).
  12. Химическая кинетика и химическое равновесие

Осуществляется из газовой среды, когда осаждение осуществляется в процессе химической реакции на поверхности самой подложки или вблизи от нее. Аппаратура в этом способе состоит из реактора, представляющего собой открытую проточенную систему.

Рисунок 42. Газовая эпитаксия:

а – схема процесса, б – зависимость скорости роста пленки от концентрации SiCl4 в газе.

Температура в зоне кристаллизации должна быть стабильна. При подаче реакционноспособных газов в этой зоне могут протекать следующие химические реакции.

· реакция разложения: SiH4, GeH4 при температуре 800°C -1200°C

SiH4= Si +2Н2

· Реакция восстановления: при температуре 1100°C

SiCl4+2Н2= Si + 4HCl

· газотранспортная реакция

2AICl3+3CO2+3H2=Al2O3+3CO+6HCl

Процесс определяется температурой кристаллизации, концентрацией газов, скоростью роста. Если будут отклонения, то состав и оптические свойства пленки могут отличаться.

 

Преимущества: низкие температуры, простая аппаратура, отсутствует тигель, кроме пленок можно получать объемные кристаллы.

Недостатки: ограничения по размерам.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)