|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Направленная защита от замыкания на землюПромышленность выпускает направленную защиту нулевой последовательности (ЗЗП-1 и ЗЗН) на полупроводниковой и микроэлементной базе. В основе работы этих защит лежит направление токов нулевой последовательности 3 I0 в поврежденных и неповрежденных фидерах. Они имеют противоположное направление. На рис. 13 представлена схема направленной защиты от замыкания на землю ЗЗП-1. Защита (рис. 13, а) состоит из вторичного измерительного преобразователя тока нулевой последовательности в виде промежуточного трансформатора TLA, двухкаскадного усилителя переменного тока на транзисторах VT1 и VT2, схемы сравнения фаз на транзисторах VT3 и VT4, двух электрических величин, пропорциональных току 3 I0 и напряжению 3 U0 нулевой последовательности, поступающих от фильтра тока нулевой последовательности (ФТНП) и от фильтра напряжения нулевой последовательности (ФННП) и реагирующего элемента ЕА. Напряжение на конденсаторе С6 сдвинуто по фазе на угол π/2 относительно тока нулевой последовательности, позволяет изменять ток срабатывания защиты (изменением числа витков обмотки трансформатора).
Рис. 13. Схема направленной защиты от замыканий на землю типа ЗЗП-1 (а) и векторные диаграммы (б, в) Двухкаскадный усилитель переменного тока на транзисторах VT1 и VT2 выделяет и усиливает составляющую промышленной частоты выходного напряжения согласующего устройства. Для этой цепи на выходе усилителя включен резонансный контур C2-TL с частотой f0 = 50 Гц. Схема сравнения на транзисторах VT3 и VT4 осуществляет сравнение фаз двух синусоидальных величин: напряжения Uб вторичной обмотки трансформатора TL, пропорционального току 3 I0 нулевой последовательности и смещенного по фазе относительно него на угол π/2, и напряжения Uк автотрансформатора TLV, пропорционального напряжению нулевой последовательности 3 U0. Сравнивается время совпадения tс их мгновенных значений по знаку с установленным временем tу. Реагирующий элемент ЕА срабатывает при tс ≥ tу. Из векторных диаграмм тока I0(1) и напряжения U0(1) следует, что при замыкании на защищаемой линии, когда через защиту к точке замыкания проходит ток 3 I0эк(1), обусловленный емкостями неповрежденных линий, сравниваемые напряжения Uб и Uк совпадают по |фазе (Рис. 13, б). На неповрежденной линии ток 3 I0л(1), обусловленный собственной емкостью линии, направлен к шинам, а сравниваемые ее защитой напряжения смещены по фазе на угол π (рис. 13, в). Из этого следует, что защита срабатывает, имея максимальную чувствительность, если угол φ сдвига фаз между Uб и Uк равен нулю, и не действует при φ=π. Таким образом, зона срабатывания определяется углом сдвига фаз –π/2 ≤ φ ≤ π/2. На Рис. 13, б, в она ограничена линией нулевой чувствительности. Схема сравнения является двухполупериодной. На ее выходе включен реагирующий элемент ЕА в виде поляризованного реле. Ток в обмотке реле в один из полупериодов определяется состоянием транзистора VT3 и диода VD3, а в другой полупериод – состоянием транзистора VT4 и диода VD4. Для прохождения тока необходимо, чтобы в первом случае одновременно были открыты VT3 и VD3, а во втором – VT4 и VD4. Состояние транзисторов и диодов зависит от полярностей мгновенных напряжений Uб и Uк. Они открыты, если эти напряжения имеют одинаковую полярность. При совпадающих по фазе Uб и Uк (Рис. 13, б) в течение одного из полупериодов открыты VT3 и VD3, а в течение другого – VT4 и VD4. При этом ток в обмотке реагирующего элемента ЕА максимален. По мере увеличения угла сдвига фаз между Uб и Uк время совместного открытого состояния соответствующих транзистора и диода в каждом полупериоде сокращается, поэтому среднее значение тока в обмотке ЕА уменьшается. Для получения указанной выше зоны срабатывания ток срабатывания реагирующего элемента выбран равным среднему значению тока при φ=π/2. Недостатком этих схем является работа транзисторов в усилительном режиме, что будет отрицательно сказываться во время переходных процессов при замыкании фазы на землю. Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.007 сек.) |