АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Лабораторне завдання. Метод вимірювань грунтується на визначенні опору напівпровідника при різних температурах

Читайте также:
  1. II. Перевірка виконання домашнього завдання.
  2. II. Перевірка домашнього завдання.
  3. VI. Домашнє завдання.
  4. VI. Домашнє завдання.
  5. VI. Домашнє завдання.
  6. VII. Домашнє завдання.
  7. в) Вірні відповіді на тестові завдання.
  8. Вказівки по оформленню комплексного завдання.
  9. Завдання.
  10. Захист курсових робіт і зарахування домашнього завдання.
  11. ЗМІСТ І ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ ІНДИВІДУАЛЬНОГО ЗАВДАННЯ.
  12. Індивідуальні завдання.

Метод вимірювань грунтується на визначенні опору напівпровідника при різних температурах.

Якщо прологарифмувати вираз (3) і розв'язати систему рівнянь

 

(5)

 

то вийде, що енергія активації провідності

 

(6)

 

Величина є тангенсом кута нахилу залежності R=f(T) побудованої в координатах (рис. 8). Таким чином, для енергії активації одержимо вираз

 

(7)

 

для термічного коефіцієнта опору одержимо вираз

 

, (8)

 

де

 

Залежність опору напівпровідника від температури

 

 
 

 

 


Рис. 8.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)