P-N переход принцип работы полупроводникового диода

Основной материал полупроводниковых приборов – сверхчистый монокристаллический четырехвалентный кремний Si, кристаллическая решетка которого не имеет дефектов. В основных проводниках электрического тока – металлах (меди, алюминии, серебре) электропроводность обеспечивается свободными электронами, которые расположены на удаленных от атомных ядер оболочках. Наоборот, изоляторы не имеют свободных электронов, все электроны в них сильно связаны с ядрами. Электропроводность рассматриваемых полупроводников также обеспечивается свободными электронами или их отсутствием (так называемыми “дырками”), получаемыми путем введения в полупроводник специальных примесей. Если примесь пятивалентная (фосфор, мышьяк), то встраиваясь в 4-х валентный кремний она отдает свой пятый электрон в число свободных и тем самым создает электронную n -проводимость (negative). Если примесь 3-х валентная (бор), то создается обратный электрону носитель электрического тока – отсутствие электрона - “дырка” (hole), соответствующая p- проводимости (positive). Перескакивая в дырку из соседнего атома, электрон создает тем самым дырку в бывшем своем атоме, и дырка таким образом перемещается, перенося положительный заряд.

Предположим, имеется два отдельных бруска кремния разной проводимости, как показано на рисунке слева. Эти бруски не имеют электрического заряда, напряжение между ними равно нулю. Если их плотно прижать друг к другу, то между ними возникнет электрическое напряжение (потенциальный барьер), как показано справа.

Это произойдет потому, что свободные электроны начнут в силу диффузии проникать в р-область, а дырки начнут диффундировать в n-область. Однако этой диффузии будет препятствовать возникающая разница потенциалов между областями: плюс будет тянуть назад электроны и отталкивать дырки. Установится некоторое динамическое равновесие, как показано на рисунке в центре. Если подать внешнее напряжение, как показано справа внизу на рисунке, и понизить принудительно потенциальный барьер, дав слева минус, а справа плюс, то электроны хлынут слева направо, а дырки - справа налево и потечет электрический ток. Если наоборот повысить потенциальный барьер, то электроны отойдут налево от границы, а дырки - направо, и тока не будет. Таким образом, мы получили полупроводниковый диод, который проводит ток справа налево и не проводит ток слева направо, как изображено на рис. 9 справа вверху.

Поиск по сайту: